\n| Yar\u0131 \u0130letken \u00dcretimi<\/td>\n | Yonga Aynalar\u0131, S\u00fcsept\u00f6rler, Halkalar<\/td>\n | Y\u00fcksek safl\u0131k, termal tekd\u00fczelik, kimyasal atalet, dayan\u0131kl\u0131l\u0131k<\/td>\n | Yar\u0131 \u0130letken<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n Bu \u00e7e\u015fitli uygulama alan\u0131, SiC'nin \u00e7ok y\u00f6nl\u00fcl\u00fc\u011f\u00fcn\u00fcn ve \u00e7ok say\u0131da y\u00fcksek riskli sekt\u00f6rde modern elektroni\u011fi geli\u015ftirme konusundaki kritik rol\u00fcn\u00fcn alt\u0131n\u0131 \u00e7izmektedir.<\/p>\n Malzeme \u00d6zellikleri: Yar\u0131 \u0130letken Safl\u0131\u011f\u0131 \u0130\u00e7in SiC Kaliteleri<\/h2>\n\u00d6zellikle yar\u0131 iletken end\u00fcstrisinin zorlu gereksinimleri s\u00f6z konusu oldu\u011funda, t\u00fcm Silisyum Karb\u00fcr e\u015fit yarat\u0131lmam\u0131\u015ft\u0131r. SiC'nin belirli kristal yap\u0131s\u0131 (polimorf) ve safl\u0131k seviyesi, farkl\u0131 yar\u0131 iletken uygulamalar\u0131 i\u00e7in uygunlu\u011funu belirleyen kritik fakt\u00f6rlerdir. Sat\u0131n alma y\u00f6neticileri ve m\u00fchendisler i\u00e7in, bu farkl\u0131l\u0131klar\u0131 anlamak, do\u011fru malzemeleri tedarik etmenin anahtar\u0131d\u0131r.<\/p>\n Yar\u0131 iletken cihazlarla ilgili birincil SiC polimorflar\u0131 \u015funlard\u0131r:<\/p>\n \n- 4H-SiC:<\/strong> Bu, daha y\u00fcksek elektron hareketlili\u011fi ve di\u011fer polimorflara k\u0131yasla daha izotropik \u00f6zellikler dahil olmak \u00fczere \u00fcst\u00fcn \u00f6zellikleri nedeniyle \u015fu anda g\u00fc\u00e7 elektroni\u011fi cihazlar\u0131 i\u00e7in en bask\u0131n polimorftur. Bu, daha d\u00fc\u015f\u00fck a\u00e7\u0131k durum direnci ve belirli bir voltaj derecesi i\u00e7in daha iyi genel cihaz performans\u0131na d\u00f6n\u00fc\u015f\u00fcr. Y\u00fcksek voltajl\u0131 MOSFET'ler ve Schottky diyotlar\u0131 i\u00e7in tercih edilen malzemedir.<\/li>\n
- 6H-SiC:<\/strong> Tarihsel olarak, 6H-SiC daha yayg\u0131nd\u0131 ve y\u00fcksek kalitede yeti\u015ftirilmesi daha kolayd\u0131. 4H-SiC'den daha d\u00fc\u015f\u00fck elektron hareketlili\u011fine sahip olsa da, belirli y\u00fcksek frekansl\u0131 cihazlar ve GaN epitaksisi i\u00e7in bir alt tabaka dahil olmak \u00fczere baz\u0131 \u00f6zel uygulamalar i\u00e7in hala kullan\u0131lmaktad\u0131r.<\/li>\n
- 3C-SiC (K\u00fcbik SiC):<\/strong> Bu polimorf, SiC polimorflar\u0131 aras\u0131nda en y\u00fcksek elektron hareketlili\u011fine sahiptir ve teorik olarak silikon alt tabakalar \u00fczerinde yeti\u015ftirilebilir, potansiyel olarak maliyetleri d\u00fc\u015f\u00fcr\u00fcr. Ancak, b\u00fcy\u00fck Si yongalar\u0131 \u00fczerinde y\u00fcksek kaliteli, kusursuz 3C-SiC elde etmek \u00f6nemli bir zorluk olmaya devam ediyor ve ana ak\u0131m g\u00fc\u00e7 cihazlar\u0131 i\u00e7in ticari olarak benimsenmesini s\u0131n\u0131rl\u0131yor. Umut verici teorik avantajlar\u0131 nedeniyle ara\u015ft\u0131rmalar devam ediyor.<\/li>\n<\/ul>\n
Poli tiplerin \u00f6tesinde, safl\u0131k \u00e7ok \u00f6nemlidir. \u00d6zellikle substratlar ve epitaksiyel katmanlar i\u00e7in yar\u0131 iletken s\u0131n\u0131f\u0131 SiC, son derece y\u00fcksek safl\u0131k seviyeleri gerektirir (genellikle >99,999%). Kirleticiler istenmeyen elektronik durumlar\u0131 ortaya \u00e7\u0131karabilir, kusur yo\u011funluklar\u0131n\u0131 art\u0131rabilir ve cihaz performans\u0131n\u0131 ve g\u00fcvenilirli\u011fini d\u00fc\u015f\u00fcrebilir. Y\u0131\u011f\u0131n kristal b\u00fcy\u00fctme i\u00e7in Fiziksel Buhar Ta\u015f\u0131ma (PVT) ve epitaksi i\u00e7in Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) gibi yar\u0131 iletken s\u0131n\u0131f\u0131 SiC \u00fcretim s\u00fcre\u00e7leri, bu safl\u0131k seviyelerine ula\u015fmak i\u00e7in titizlikle kontrol edilir.<\/p>\n Yar\u0131 iletken s\u0131n\u0131f\u0131 SiC i\u00e7in temel hususlar \u015funlard\u0131r:<\/p>\n \n- Mikro Boru Yo\u011funlu\u011fu (MPD):<\/strong> Mikropipeler, SiC cihazlar\u0131nda \u00f6ld\u00fcr\u00fcc\u00fc kusurlar olabilen i\u00e7i bo\u015f vida dislokasyonlar\u0131d\u0131r. Y\u00fcksek verimli b\u00fcy\u00fck alanl\u0131 cihazlar\u0131n \u00fcretimi i\u00e7in d\u00fc\u015f\u00fck MPD (ideal olarak s\u0131f\u0131r) \u00e7ok \u00f6nemlidir.<\/li>\n
- Bazal D\u00fczlem Dislokasyon (BPD) Yo\u011funlu\u011fu:<\/strong> BPD'ler SiC cihazlarda bipolar bozulmaya neden olabilir. \u00d6nemli Ar-Ge \u00e7al\u0131\u015fmalar\u0131, SiC alt tabakalar ve epilayerlerdeki BPD yo\u011funlu\u011funu azaltmaya odaklanmaktad\u0131r.<\/li>\n
- Y\u00fczey Kalitesi:<\/strong> Sonraki epitaksiyel b\u00fcy\u00fcme ve cihaz imalat\u0131 i\u00e7in minimum y\u00fczey alt\u0131 hasar\u0131 ile atomik olarak p\u00fcr\u00fczs\u00fcz y\u00fczeyler esast\u0131r. Bu, hassas parlatma ve temizleme teknikleri gerektirir.<\/li>\n
- Doping Tekd\u00fczeli\u011fi:<\/strong> \u0130letken SiC alt tabakalar\u0131 ve epikatmanlar\u0131 i\u00e7in, tutarl\u0131 cihaz \u00f6zellikleri i\u00e7in katk\u0131 maddelerinin (n-tipi i\u00e7in azot veya p-tipi i\u00e7in al\u00fcminyum gibi) tekd\u00fcze da\u011f\u0131l\u0131m\u0131 kritik \u00f6neme sahiptir.<\/li>\n<\/ul>\n
Teknik al\u0131c\u0131lar, SiC tedarik\u00e7ilerinin hedef uygulamalar\u0131 i\u00e7in gerekli olan belirli polimorf, safl\u0131k ve kusur \u00f6zelliklerine sahip malzemeler sa\u011flayabildi\u011finden emin olmal\u0131d\u0131r. Bu ba\u011flamda ayr\u0131nt\u0131l\u0131 malzeme spesifikasyon sayfalar\u0131 ve kalite sertifikalar\u0131 esast\u0131r.<\/p>\n \u00dcretimdeki Engellerin A\u015f\u0131lmas\u0131: SiC Yonga \u00dcretimi<\/h2>\nSilisyum Karb\u00fcr'\u00fcn ham maddeden bitmi\u015f bir yar\u0131 iletken yongaya yolculu\u011fu teknik zorluklarla doludur. SiC'nin \u00f6zellikleri son derece arzu edilirken, do\u011fas\u0131nda bulunan sertli\u011fi ve kimyasal kararl\u0131l\u0131\u011f\u0131, i\u015flenmesini geleneksel silikondan \u00f6nemli \u00f6l\u00e7\u00fcde daha karma\u015f\u0131k ve maliyetli hale getirir. Bu engelleri anlamak, y\u00fcksek kaliteli SiC yongalar\u0131yla ili\u015fkili de\u011feri ve teslim s\u00fcrelerini takdir etmek i\u00e7in \u00f6nemlidir.<\/p>\n Temel \u00fcretim zorluklar\u0131 \u015funlard\u0131r:<\/p>\n \n- Kristal B\u00fcy\u00fcme (Boule \u00dcretimi):<\/strong>\n
\n- Y\u00fcksek S\u0131cakl\u0131klar:<\/strong> SiC, atmosfer bas\u0131nc\u0131nda erimek yerine s\u00fcblimle\u015fir ve 2000\u00b0C'yi a\u015fan b\u00fcy\u00fcme s\u0131cakl\u0131klar\u0131 gerektirir (tipik olarak Fiziksel Buhar Ta\u015f\u0131n\u0131m\u0131 \u2013 PVT yoluyla). Kararl\u0131 ve tekd\u00fcze y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klar\u0131 korumak b\u00fcy\u00fck bir m\u00fchendislik ba\u015far\u0131s\u0131d\u0131r.<\/li>\n
- Kusur Kontrol\u00fc:<\/strong> Boule b\u00fcy\u00fcmesi s\u0131ras\u0131nda mikropipeler, vida dislokasyonlar\u0131 ve y\u0131\u011f\u0131n hatalar\u0131 gibi kristalografik kusurlar\u0131n kontrol\u00fc son derece zordur. Bu kusurlar, cihaz verimini ve performans\u0131n\u0131 ciddi \u015fekilde etkileyebilir.<\/li>\n
- Yava\u015f B\u00fcy\u00fcme<\/strong> SiC<\/li>\n
- Dopant Katk\u0131s\u0131:<\/strong> B\u00fcy\u00fcme s\u0131ras\u0131nda homojen ve kontroll\u00fc doping (n-tipi veya p-tipi) elde etmek, dahil olan y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klar nedeniyle karma\u015f\u0131kt\u0131r.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Gofret Dilimleme ve \u015eekillendirme:<\/strong>\n
\n- Sertlik:<\/strong> SiC, en sert sentetik malzemelerden biridir (Mohs sertli\u011fi 9,0-9,5), bu da k\u00fcl\u00e7eleri gofretlere dilimlemeyi ve daha sonra \u015fekillendirmeyi \u00e7ok zorla\u015ft\u0131r\u0131r. Elmasla emprenye edilmi\u015f tel testereler ve ta\u015flama aletleri gereklidir, ancak bunlar h\u0131zla a\u015f\u0131n\u0131r ve maliyetleri art\u0131r\u0131r.<\/li>\n
- Malzeme Kayb\u0131:<\/strong> Dilimleme ve ta\u015flama i\u015flemleri \u00f6nemli malzeme kayb\u0131na (kerf kayb\u0131) neden olabilir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Parlatma ve D\u00fczle\u015ftirme:<\/strong>\n
\n- Atomik D\u00fczg\u00fcn Y\u00fczeyler Elde Etme:<\/strong> Epitaksi i\u00e7in gerekli olan hasars\u0131z, atomik olarak d\u00fcz y\u00fczeyler olu\u015fturmak, mekanik ta\u015flama, laplama ve kimyasal-mekanik parlatma (CMP) i\u00e7eren \u00e7ok a\u015famal\u0131 bir i\u015flemdir. Her ad\u0131m, \u00f6nceki ad\u0131mlar\u0131n neden oldu\u011fu y\u00fczey alt\u0131 hasar\u0131 gidermek i\u00e7in hassas bir \u015fekilde kontrol edilmelidir.<\/li>\n
- Y\u00fczey P\u00fcr\u00fczl\u00fcl\u00fc\u011f\u00fc:<\/strong> Hedef y\u00fczey p\u00fcr\u00fczl\u00fcl\u00fc\u011f\u00fc genellikle angstrom aral\u0131\u011f\u0131ndad\u0131r (\u00f6rne\u011fin, <0,5 nm RMS).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Epitaksiyal B\u00fcy\u00fcme:<\/strong>\n
\n- Y\u00fcksek Kaliteli Katmanlar:<\/strong> SiC alt tabakalar\u0131 \u00fczerinde d\u00fc\u015f\u00fck kusur yo\u011funlu\u011funa sahip ince, hassas bir \u015fekilde katk\u0131lanm\u0131\u015f SiC epitaksiyal katmanlar\u0131n (tipik olarak Kimyasal Buhar Biriktirme – CVD yoluyla) yeti\u015ftirilmesi, cihaz imalat\u0131 i\u00e7in kritik \u00f6neme sahiptir. B\u00fcy\u00fck gofretler \u00fczerinde stokiyometri ve homojenli\u011fi korumak zordur.<\/li>\n
- S\u00fcr\u00fcklenme Katman\u0131 Kal\u0131nl\u0131\u011f\u0131 ve Katk\u0131 Kontrol\u00fc:<\/strong> G\u00fc\u00e7 cihazlar\u0131 i\u00e7in, istenen k\u0131r\u0131lma gerilimi ve a\u00e7\u0131k direnci elde etmek i\u00e7in s\u00fcr\u00fcklenme katman\u0131n\u0131n kal\u0131nl\u0131\u011f\u0131 ve katk\u0131 konsantrasyonu hassas bir \u015fekilde kontrol edilmelidir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Maliyet:<\/strong> Karma\u015f\u0131k s\u00fcre\u00e7ler, \u00f6zel ekipman, y\u00fcksek enerji t\u00fcketimi, yava\u015f b\u00fcy\u00fcme oranlar\u0131 ve malzeme sertli\u011finin birle\u015fimi, SiC gofretlerin silikon gofretlerden \u00f6nemli \u00f6l\u00e7\u00fcde daha pahal\u0131 olmas\u0131na katk\u0131da bulunur. Ancak, devam eden Ar-Ge ve \u00f6l\u00e7ek ekonomileri bu maliyetleri giderek azaltmaktad\u0131r.<\/li>\n<\/ul>\n
Bu zorluklar\u0131n \u00fcstesinden gelmek malzeme bilimi, kristal b\u00fcy\u00fctme, hassas mekanik ve kimyasal i\u015fleme konular\u0131nda \u00f6nemli bir uzmanl\u0131k gerektirmektedir. SiC yonga plakas\u0131 \u00fcretiminde uzmanla\u015fm\u0131\u015f \u015firketler, kristal kalitesini iyile\u015ftirmek, yonga plakas\u0131 \u00e7ap\u0131n\u0131 art\u0131rmak (\u015fu anda 200 mm'ye do\u011fru ilerliyor), kusur yo\u011funluklar\u0131n\u0131 azaltmak ve \u00fcretim maliyetlerini d\u00fc\u015f\u00fcrmek i\u00e7in Ar-Ge'ye b\u00fcy\u00fck yat\u0131r\u0131mlar yap\u0131yor. Teknik al\u0131c\u0131lar i\u00e7in, bu \u00fcretim karma\u015f\u0131kl\u0131klar\u0131n\u0131n \u00fcstesinden gelme konusunda g\u00fc\u00e7l\u00fc bir ge\u00e7mi\u015fe sahip tedarik\u00e7ilerle ortakl\u0131k kurmak, y\u00fcksek kaliteli yonga plakalar\u0131n\u0131n istikrarl\u0131 bir \u015fekilde tedarik edilmesini sa\u011flamak a\u00e7\u0131s\u0131ndan \u00e7ok \u00f6nemlidir.<\/p>\n SiC ile Yeni Nesil Yar\u0131 \u0130letken Cihazlar\u0131n Tasar\u0131m\u0131<\/h2>\nSilisyum Karb\u00fcr'e ge\u00e7i\u015f, yar\u0131 iletken cihaz tasar\u0131m\u0131nda yeni ufuklar a\u00e7arak, m\u00fchendislerin silikonun performans s\u0131n\u0131rlamalar\u0131n\u0131 a\u015fan bile\u015fenler olu\u015fturmas\u0131na olanak tan\u0131r. Ancak, SiC'nin benzersiz \u00f6zelliklerinden etkin bir \u015fekilde yararlanmak, tasar\u0131m a\u015famas\u0131nda dikkatli bir de\u011ferlendirme gerektirir. M\u00fchendisler, hem SiC'nin avantajlar\u0131n\u0131 hem de \u00f6zel \u00f6zelliklerini hesaba katmak i\u00e7in yakla\u015f\u0131mlar\u0131n\u0131 uyarlamal\u0131d\u0131r.<\/p>\n SiC tabanl\u0131 yar\u0131 iletken cihazlar i\u00e7in temel tasar\u0131m hususlar\u0131 \u015funlard\u0131r:<\/p>\n \n- Termal Y\u00f6netim Stratejisi:<\/strong>\n
\n- SiC m\u00fckemmel termal iletkenli\u011fe sahip olsa da, elde edilebilen daha y\u00fcksek g\u00fc\u00e7 yo\u011funluklar\u0131, etkili \u0131s\u0131 da\u011f\u0131l\u0131m\u0131n\u0131n hala \u00e7ok \u00f6nemli oldu\u011fu anlam\u0131na gelir. Tasar\u0131m hususlar\u0131 aras\u0131nda, aktif SiC cihaz\u0131ndan verimli termal yollar sa\u011flamak i\u00e7in kal\u0131p ba\u011flant\u0131 malzemeleri, alt tabaka se\u00e7imleri ve genel paket tasar\u0131m\u0131 yer al\u0131r.<\/li>\n
- Daha y\u00fcksek ba\u011flant\u0131 s\u0131cakl\u0131klar\u0131nda \u00e7al\u0131\u015fma yetene\u011fi, so\u011futma sistemlerini basitle\u015ftirebilir, ancak t\u00fcm mod\u00fcl\u00fcn g\u00fcvenilirli\u011fi ve \u00f6mr\u00fc hesaplamalar\u0131na dahil edilmelidir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Kap\u0131 S\u00fcr\u00fcc\u00fc Tasar\u0131m\u0131 (SiC MOSFET'ler i\u00e7in):<\/strong>\n
\n- SiC MOSFET'ler genellikle silikon IGBT'ler veya MOSFET'lere k\u0131yasla farkl\u0131 kap\u0131 s\u00fcr\u00fcc\u00fc gerilim seviyeleri (\u00f6rne\u011fin, tam geli\u015ftirme i\u00e7in daha y\u00fcksek pozitif gerilim, bazen sa\u011flam kapanma i\u00e7in negatif gerilim) gerektirir.<\/li>\n
- SiC cihazlar\u0131n\u0131n daha h\u0131zl\u0131 anahtarlama h\u0131zlar\u0131, d\u00fc\u015f\u00fck parazitik end\u00fcktanslara ve kap\u0131 kapasitans\u0131n\u0131 h\u0131zla \u015farj etmek ve de\u015farj etmek i\u00e7in y\u00fcksek tepe ak\u0131mlar\u0131 sa\u011flama yetene\u011fine sahip kap\u0131 s\u00fcr\u00fcc\u00fcleri talep eder. Bu, anahtarlama kay\u0131plar\u0131n\u0131 en aza indirir.<\/li>\n
- Desat\u00fcrasyon (Desat) tespiti ve k\u0131sa devre korumas\u0131 gibi koruma \u00f6zellikleri, SiC'nin \u00f6zellikleri i\u00e7in optimize edilmelidir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- D\u00fczen ve Parazitik Y\u00f6netimi:<\/strong>\n
\n- SiC cihazlar\u0131n\u0131n y\u00fcksek anahtarlama h\u0131zlar\u0131 (dV\/dt ve dI\/dt), cihaz paketindeki ve \u00e7evresindeki devredeki parazitik end\u00fcktanslar ve kapasitanslarla ilgili sorunlar\u0131 \u015fiddetlendirebilir. Bu, gerilim a\u015f\u0131m\u0131na, \u00e7\u0131nlamaya ve EMI sorunlar\u0131na yol a\u00e7abilir.<\/li>\n
- Dikkatli d\u00fczen, d\u00f6ng\u00fc end\u00fcktanslar\u0131n\u0131 en aza indirme ve uygun ay\u0131rma kapasit\u00f6rleri kullanma kritik \u00f6neme sahiptir. Do\u011frudan ba\u011fl\u0131 bak\u0131r (DBC) alt tabakalar\u0131 ve \u00e7ok \u00e7ipli mod\u00fcller dahil olmak \u00fczere geli\u015fmi\u015f paketleme \u00e7\u00f6z\u00fcmleri s\u0131kl\u0131kla kullan\u0131l\u0131r.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Cihaz Paralellemesi:<\/strong>\n
\n- Y\u00fcksek ak\u0131ml\u0131 uygulamalar i\u00e7in, birden fazla SiC cihaz\u0131n\u0131n paralel ba\u011flanmas\u0131 gerekebilir. SiC MOSFET'lerdeki a\u00e7\u0131k direncin pozitif s\u0131cakl\u0131k katsay\u0131s\u0131, ak\u0131m payla\u015f\u0131m\u0131na yard\u0131mc\u0131 olur, ancak termal ka\u00e7\u0131\u015f\u0131 \u00f6nlemek ve dengeli ak\u0131m da\u011f\u0131l\u0131m\u0131 sa\u011flamak i\u00e7in dikkatli kap\u0131 s\u00fcr\u00fcc\u00fc tasar\u0131m\u0131 ve simetrik d\u00fczenler hala \u00f6nemlidir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- G\u00f6vde Diyot \u00d6zellikleri (SiC MOSFET'ler):<\/strong>\n
\n- SiC MOSFET'lerin intrinsik g\u00f6vde diyotu, silikon MOSFET g\u00f6vde diyotlar\u0131ndan farkl\u0131 \u00f6zelliklere sahiptir ve genellikle daha y\u00fcksek bir ileri gerilim d\u00fc\u015f\u00fc\u015f\u00fc sergiler. Baz\u0131 uygulamalar i\u00e7in uygun olsa da, s\u0131k s\u0131k serbest tekerlek gerektiren di\u011fer uygulamalarda, daha iyi performans i\u00e7in harici bir SiC Schottky diyotu birlikte paketlenebilir veya paralel olarak kullan\u0131labilir.<\/li>\n
- Yeni nesil SiC MOSFET'ler, geli\u015ftirilmi\u015f g\u00f6vde diyot performans\u0131 sunar.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Y\u00fcksek S\u0131cakl\u0131k Yetene\u011finden Yararlanma:<\/strong>\n
\n- Tasar\u0131mlar, SiC'nin 175\u00b0C, hatta 200\u00b0C ve \u00fczeri ba\u011flant\u0131 s\u0131cakl\u0131klar\u0131nda g\u00fcvenilir bir \u015fekilde \u00e7al\u0131\u015fma yetene\u011finden yararlanabilir. Bu, so\u011futma sistemlerinin boyutunu ve maliyetini azaltabilir veya daha zorlu ortam ko\u015fullar\u0131nda \u00e7al\u0131\u015fmaya izin verebilir. Ancak, \u00e7evredeki bile\u015fenler ve paketleme malzemeleri de bu s\u0131cakl\u0131klar i\u00e7in derecelendirilmelidir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Maliyet ve Performans Aras\u0131ndaki De\u011fi\u015fimler:<\/strong>\n
\n- SiC cihazlar\u0131 \u00fcst\u00fcn performans sunarken, genellikle silikon muadillerinden daha pahal\u0131d\u0131r. Tasar\u0131mc\u0131lar, bile\u015fen maliyetini hakl\u0131 \u00e7\u0131karmak i\u00e7in toplam sistem seviyesindeki faydalar\u0131 (\u00f6rne\u011fin, azalt\u0131lm\u0131\u015f so\u011futma, daha k\u00fc\u00e7\u00fck pasifler, daha y\u00fcksek verimlilik) de\u011ferlendirmelidir. Bir\u00e7ok uygulamada, sistem seviyesindeki tasarruflar daha y\u00fcksek cihaz maliyetinden daha a\u011f\u0131r basmaktad\u0131r.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n
SiC ile ba\u015far\u0131l\u0131 bir \u015fekilde tasar\u0131m yapmak, cihaz, paketi, kap\u0131 s\u00fcr\u00fcc\u00fcs\u00fc ve genel sistem topolojisi aras\u0131ndaki etkile\u015fimi g\u00f6z \u00f6n\u00fcnde bulunduran b\u00fct\u00fcnsel bir yakla\u015f\u0131m i\u00e7erir. Deneyimli SiC bile\u015fen \u00fcreticileriyle i\u015fbirli\u011fi yapmak, tasar\u0131mlar\u0131 maksimum performans ve g\u00fcvenilirlik i\u00e7in optimize etmek i\u00e7in de\u011ferli bilgiler ve uygulama deste\u011fi sa\u011flayabilir.<\/p>\n Yar\u0131 \u0130letkenler \u0130\u00e7in SiC'de \u00d6zelle\u015ftirmenin Rol\u00fc<\/h2>\nStandart, rafa haz\u0131r Silisyum Karb\u00fcr bile\u015fenler, yar\u0131 iletken end\u00fcstrisindeki bir\u00e7ok ihtiyac\u0131 kar\u015f\u0131larken, optimize edilmi\u015f performans, benzersiz form fakt\u00f6rleri ve uygulamaya \u00f6zel \u00f6zellikler aray\u0131\u015f\u0131 genellikle \u00f6zel SiC \u00e7\u00f6z\u00fcmleri gerektirir. \u00d6zelle\u015ftirme, m\u00fchendislerin ve tasar\u0131mc\u0131lar\u0131n SiC \u00f6zelliklerini ve geometrilerini tam gereksinimlerine g\u00f6re uyarlamalar\u0131na, daha fazla verimlilik ve rekabet avantaj\u0131 elde etmelerine olanak tan\u0131r. Bu, \u00f6zellikle \u00f6zel yar\u0131 iletken \u00fcretim ekipman\u0131 par\u00e7alar\u0131 (mandal, halka, s\u00fcsept\u00f6rler) ve geli\u015fmi\u015f cihaz alt tabakalar\u0131 veya epitaksiyal katmanlar i\u00e7in ge\u00e7erlidir.<\/p>\n Yar\u0131 iletken alan\u0131nda \u00f6zel SiC \u00e7\u00f6z\u00fcmlerinin faydalar\u0131 \u015funlard\u0131r:<\/p>\n \n- Optimize Edilmi\u015f Performans:<\/strong> \u00d6zel katk\u0131 profilleri, belirli kristal y\u00f6nelimleri veya benzersiz epitaksiyal katman yap\u0131lar\u0131, belirli bir uygulama i\u00e7in k\u0131r\u0131lma gerilimi, a\u00e7\u0131k diren\u00e7 veya anahtarlama h\u0131z\u0131 gibi cihaz \u00f6zelliklerini geli\u015ftirmek i\u00e7in tasarlanabilir.<\/li>\n
- Belirli Geometriler ve Form Fakt\u00f6rleri:<\/strong> Yar\u0131 iletken \u00fcretimi, SiC s\u00fcsept\u00f6rleri, gofret mandallar\u0131 veya kenar halkalar\u0131 gibi bile\u015fenlerin hassas boyutlara uymas\u0131 gereken karma\u015f\u0131k ekipmanlar\u0131 i\u00e7erir. \u00d6zel imalat, m\u00fckemmel entegrasyon ve optimum termal veya plazma homojenli\u011fi sa\u011flar.<\/li>\n
- Geli\u015ftirilmi\u015f Termal Y\u00f6netim:<\/strong> \u00d6zel SiC \u0131s\u0131 yay\u0131c\u0131lar\u0131 veya alt tabakalar\u0131, y\u00fcksek g\u00fc\u00e7l\u00fc mod\u00fcller i\u00e7in termal da\u011f\u0131l\u0131m\u0131 en \u00fcst d\u00fczeye \u00e7\u0131karmak i\u00e7in belirli kal\u0131nl\u0131klar ve y\u00fczey kaplamalar\u0131yla tasarlanabilir.<\/li>\n
- Di\u011fer Malzemelerle Entegrasyon:<\/strong> \u00d6zel SiC bile\u015fenleri, di\u011fer malzemelerle ba\u011flanma veya entegrasyon i\u00e7in tasarlanabilir ve karma\u015f\u0131k mod\u00fcl montajlar\u0131n\u0131 kolayla\u015ft\u0131r\u0131r.<\/li>\n
- Geli\u015ftirilmi\u015f Malzeme Safl\u0131\u011f\u0131 veya Belirli Kaliteler:<\/strong> Baz\u0131 son teknoloji uygulamalar, standart \u00fcr\u00fcnler olarak yayg\u0131n olarak bulunmayan daha y\u00fcksek safl\u0131k seviyelerine veya belirli SiC polimorflar\u0131na ihtiya\u00e7 duyabilir. \u00d6zel \u00fcretim bu ni\u015f gereksinimleri kar\u015f\u0131layabilir.<\/li>\n<\/ul>\n
\u00d6zel \u00e7\u00f6z\u00fcmlere y\u00f6nelik artan talebin fark\u0131na varan uzman tedarik\u00e7iler ortaya \u00e7\u0131km\u0131\u015ft\u0131r. Bu uzmanl\u0131k i\u00e7in \u00f6nemli bir k\u00fcresel merkez, \u00e7e\u015fitli b\u00fcy\u00fckl\u00fcklerde 40'tan fazla silisyum karb\u00fcr \u00fcretim i\u015fletmesine ev sahipli\u011fi yapan \u00c7in'in Weifang \u015eehrinde bulunmaktad\u0131r. Bu i\u015fletmeler toplu olarak \u00c7in'in toplam silisyum karb\u00fcr \u00fcretiminin 80%'sinden fazlas\u0131n\u0131 olu\u015fturmaktad\u0131r. Bu dinamik ekosistem i\u00e7inde Sicarb Tech \u00f6ne \u00e7\u0131kmaktad\u0131r. 2015 y\u0131l\u0131ndan bu yana, geli\u015fmi\u015f silisyum karb\u00fcr \u00fcretim teknolojisinin tan\u0131t\u0131lmas\u0131 ve uygulanmas\u0131nda etkili olduk ve yerel i\u015fletmelere b\u00fcy\u00fck \u00f6l\u00e7ekli \u00fcretim ve teknolojik ilerlemeler elde etmelerinde \u00f6nemli \u00f6l\u00e7\u00fcde yard\u0131mc\u0131 olduk. Derin kat\u0131l\u0131m\u0131m\u0131z, bu hayati SiC end\u00fcstri merkezinin ortaya \u00e7\u0131k\u0131\u015f\u0131na ve devam eden geli\u015fimine tan\u0131kl\u0131k etmemizi ve katk\u0131da bulunmam\u0131z\u0131 sa\u011flad\u0131.<\/p>\n \u00c7in Bilimler Akademisi (Weifang) \u0130novasyon Park\u0131 \u00e7at\u0131s\u0131 alt\u0131nda ve \u00c7in Bilimler Akademisi Ulusal Teknoloji Transfer Merkezi ile yak\u0131n i\u015fbirli\u011fi i\u00e7inde faaliyet g\u00f6steren Sicarb Tech, \u00c7in Bilimler Akademisi'nin m\u00fcthi\u015f bilimsel ve teknolojik yeteneklerinden yararlanmaktad\u0131r. A\u015fa\u011f\u0131dakiler i\u00e7in sa\u011flam bir platform sunuyoruz SiC \u00fcr\u00fcnlerini \u00f6zelle\u015ftirmek<\/a>i\u00e7in sa\u011flam bir platform sunuyoruz ve \u00e7ok \u00e7e\u015fitli SiC bile\u015fenlerinin \u00f6zel \u00fcretimi konusunda uzmanla\u015fm\u0131\u015f, birinci s\u0131n\u0131f bir profesyonel ekiple destekleniyoruz. Uzmanl\u0131\u011f\u0131m\u0131z, malzeme bilimi, proses m\u00fchendisli\u011fi, tasar\u0131m optimizasyonu ve titiz \u00f6l\u00e7\u00fcm ve de\u011ferlendirme teknolojilerini kapsamaktad\u0131r. Hammaddelerden bitmi\u015f \u00fcr\u00fcnlere kadar bu entegre yakla\u015f\u0131m, yar\u0131 iletken end\u00fcstrisi ve \u00f6tesi i\u00e7in \u00e7e\u015fitli ve karma\u015f\u0131k \u00f6zelle\u015ftirme ihtiya\u00e7lar\u0131n\u0131 kar\u015f\u0131lamam\u0131z\u0131, daha y\u00fcksek kaliteli ve maliyet a\u00e7\u0131s\u0131ndan rekabet\u00e7i \u00e7\u00f6z\u00fcmler sa\u011flamam\u0131z\u0131 sa\u011flar.<\/p>\nSiC Bile\u015fenlerinde Kalite G\u00fcvencesi ve Test<\/h2>\nSilisyum Karb\u00fcr cihazlar\u0131n ola\u011fan\u00fcst\u00fc performans \u00f6zellikleri, temel malzemeler ve bile\u015fenler kat\u0131 kalite standartlar\u0131n\u0131 kar\u015f\u0131lad\u0131\u011f\u0131nda ger\u00e7ekle\u015ftirilebilir. Yar\u0131 iletken uygulamalar\u0131 i\u00e7in, en k\u00fc\u00e7\u00fck kusurlar\u0131n bile cihaz ar\u0131zas\u0131na veya performans\u0131n d\u00fc\u015fmesine yol a\u00e7abilece\u011fi durumlarda, sa\u011flam kalite g\u00fcvencesi (QA) ve kapsaml\u0131 test protokolleri pazarl\u0131\u011fa a\u00e7\u0131k de\u011fildir. Sat\u0131n alma y\u00f6neticileri ve m\u00fchendisler, SiC \u00fcretim s\u00fcreci boyunca kalite kontrol\u00fcne sars\u0131lmaz bir ba\u011fl\u0131l\u0131k g\u00f6steren tedarik\u00e7ilere \u00f6ncelik vermelidir.<\/p>\n Yar\u0131 iletken s\u0131n\u0131f\u0131 SiC bile\u015fenleri i\u00e7in QA ve testin temel y\u00f6nleri \u015funlard\u0131r:<\/p>\n \n- Malzeme Karakterizasyonu:<\/strong>\n
\n- Polimorf Do\u011frulama:<\/strong> Do\u011fru SiC polimorfunu (\u00f6rne\u011fin, 4H-SiC, 6H-SiC) do\u011frulamak i\u00e7in Raman spektroskopisi veya X-\u0131\u015f\u0131n\u0131 k\u0131r\u0131n\u0131m\u0131 (XRD) gibi teknikler kullan\u0131l\u0131r.<\/li>\n
- Safl\u0131k Analizi:<\/strong> Eser element safs\u0131zl\u0131klar\u0131n\u0131 belirlemek i\u00e7in I\u015f\u0131ma De\u015farj K\u00fctle Spektrometresi (GDMS) veya \u0130kincil \u0130yon K\u00fctle Spektrometresi (SIMS) kullan\u0131labilir.<\/li>\n
- Diren\u00e7 Haritalamas\u0131:<\/strong> Katk\u0131 tekd\u00fczeli\u011fini sa\u011flamak i\u00e7in gofretler \u00fczerindeki diren\u00e7 da\u011f\u0131l\u0131m\u0131n\u0131 haritalamak i\u00e7in d\u00f6rt noktal\u0131 prob \u00f6l\u00e7\u00fcmleri veya girdap ak\u0131m\u0131 y\u00f6ntemleri kullan\u0131l\u0131r.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Kusur Metreolojisi:<\/strong>\n
\n- Mikro Boru Yo\u011funlu\u011fu (MPD):<\/strong> KOH da\u011flamadan sonra otomatik optik inceleme veya fotol\u00fcminesans (PL) haritalama veya X-\u0131\u015f\u0131n\u0131 topografisi (XRT) gibi tahrip edici olmayan teknikler, mikropipeleri saymak ve haritalamak i\u00e7in kullan\u0131l\u0131r.<\/li>\n
- Dislokasyon Yo\u011funlu\u011fu:<\/strong> Bazal D\u00fczlem Dislokasyonlar\u0131 (BPD'ler) ve \u0130plik Vida Dislokasyonlar\u0131 (TSD'ler) gibi di\u011fer dislokasyonlar\u0131 \u00f6l\u00e7mek i\u00e7in benzer teknikler (da\u011flama, PL, XRT) kullan\u0131l\u0131r.<\/li>\n
- Y\u0131\u011f\u0131lma Kusurlar\u0131:<\/strong> PL g\u00f6r\u00fcnt\u00fcleme, \u00f6zellikle epikatmanlardaki y\u0131\u011f\u0131n hatalar\u0131n\u0131 belirlemede etkilidir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Y\u00fczey ve Y\u00fczey Alt\u0131 Kalite De\u011ferlendirmesi:<\/strong>\n
\n- Y\u00fczey P\u00fcr\u00fczl\u00fcl\u00fc\u011f\u00fc:<\/strong> Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM), y\u00fczey p\u00fcr\u00fczl\u00fcl\u00fc\u011f\u00fcn\u00fc angstrom veya nanometre \u00f6l\u00e7e\u011finde \u00f6l\u00e7er.<\/li>\n
- Y\u00fczey Kirlili\u011fi:<\/strong> Toplam Yans\u0131ma X-\u0131\u015f\u0131n\u0131 Floresans\u0131 (TXRF) veya Buhar Faz\u0131 Bozunmas\u0131 (VPD) ve ard\u0131ndan ICP-MS, y\u00fczey metalik kirleticileri tespit edebilir.<\/li>\n
- Y\u00fczey Alt\u0131 Hasar\u0131:<\/strong> Kesitsel Ge\u00e7irimli Elektron Mikroskobu (TEM) veya \u00f6zel da\u011flama gibi teknikler, ta\u015flama veya parlatmadan kaynaklanan hasar katmanlar\u0131n\u0131 ortaya \u00e7\u0131karabilir.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Boyutsal Metroloji:<\/strong>\n
\n- Otomatik metroloji ara\u00e7lar\u0131 kullanarak gofret \u00e7ap\u0131, kal\u0131nl\u0131\u011f\u0131, e\u011fimi, e\u011frili\u011fi ve site d\u00fczl\u00fc\u011f\u00fcn\u00fcn hassas \u00f6l\u00e7\u00fcm\u00fc.<\/li>\n
- \u00d6zel bile\u015fenler i\u00e7in, kritik boyutlar\u0131 ve toleranslar\u0131 do\u011frulamak i\u00e7in CMM (Koordinat \u00d6l\u00e7\u00fcm Makineleri) veya optik profilometri kullan\u0131l\u0131r.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Epitaksiyal Katman Karakterizasyonu:<\/strong>\n
\n- Kal\u0131nl\u0131k Tekd\u00fczeli\u011fi:<\/strong> Fourier D\u00f6n\u00fc\u015f\u00fcml\u00fc K\u0131z\u0131l\u00f6tesi Spektroskopisi (FTIR) veya spektroskopik elipsometri.<\/li>\n
- Katk\u0131 Konsantrasyonu ve Tekd\u00fczelik:<\/strong> Kapasitans-Gerilim (CV) \u00f6l\u00e7\u00fcmleri, SIMS.<\/li>\n
- Y\u00fczey Morfolojisi:<\/strong> Nomarski mikroskobu, AFM.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Elektriksel Test (bitmi\u015f cihazlar veya test yap\u0131lar\u0131 i\u00e7in):<\/strong>\n
\n- Ar\u0131za gerilimi, a\u00e7\u0131k durum direnci, ka\u00e7ak ak\u0131m ve e\u015fik gerilimi gibi parametrelerin gofret \u00fczerinde prob ile \u00f6l\u00e7\u00fclmesi.<\/li>\n
- Anahtarlama \u00f6zelliklerini de\u011ferlendirmek i\u00e7in dinamik test.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Proses Kontrol\u00fc ve \u0130zlenebilirlik:<\/strong>\n
\n- \u00dcretim boyunca \u0130statistiksel Proses Kontrol\u00fc (SPC).<\/li>\n
- Hammaddeden bitmi\u015f \u00fcr\u00fcne kadar parti izlenebilirli\u011fi.<\/li>\n
- End\u00fcstri standartlar\u0131na uyum (\u00f6rne\u011fin, gofretler i\u00e7in SEMI standartlar\u0131).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n
G\u00fcvenilir SiC tedarik\u00e7ileri, geli\u015fmi\u015f metrololoji ekipmanlar\u0131na yo\u011fun yat\u0131r\u0131m yapar ve titiz QA sistem<\/p>\n Gelecek Trendleri: SiC Yar\u0131 \u0130letken S\u0131n\u0131rlar\u0131n\u0131 Zorluyor<\/h2>\nSilisyum Karb\u00fcr\u00fcn yar\u0131 iletken end\u00fcstrisindeki etkisi zaten derindir, ancak teknoloji hen\u00fcz statik olmaktan uzakt\u0131r. Devam eden ara\u015ft\u0131rma ve geli\u015ftirme \u00e7al\u0131\u015fmalar\u0131, SiC yeteneklerinin s\u0131n\u0131rlar\u0131n\u0131 s\u00fcrekli olarak zorlamakta ve \u00f6n\u00fcm\u00fczdeki y\u0131llarda daha da heyecan verici geli\u015fmeler vaat etmektedir. Yar\u0131 iletken, otomotiv, havac\u0131l\u0131k ve enerji sekt\u00f6rlerindeki i\u015fletmeler i\u00e7in, bu e\u011filimleri takip etmek, tasar\u0131mlar\u0131 gelece\u011fe haz\u0131rlamak ve rekabet avantaj\u0131n\u0131 korumak a\u00e7\u0131s\u0131ndan \u00e7ok \u00f6nemlidir.<\/p>\n SiC teknolojisindeki \u00f6nemli gelecek e\u011filimleri \u015funlard\u0131r:<\/p>\n \n- Daha B\u00fcy\u00fck Yonga \u00c7aplar\u0131:<\/strong> 150 mm (6 in\u00e7)’den 200 mm (8 in\u00e7) SiC yongalar\u0131na ge\u00e7i\u015f devam etmektedir. Daha b\u00fcy\u00fck yongalar, yonga ba\u015f\u0131na maliyeti \u00f6nemli \u00f6l\u00e7\u00fcde azaltarak SiC cihazlar\u0131n\u0131 silikonla daha ekonomik olarak rekabet\u00e7i hale getirmektedir. Ara\u015ft\u0131rmalar ayr\u0131ca 300 mm (12 in\u00e7) SiC yongalar\u0131n\u0131n fizibilitesini de ara\u015ft\u0131rmaktad\u0131r, ancak bu \u00f6nemli teknik zorluklar yaratmaktad\u0131r.<\/li>\n
- Geli\u015ftirilmi\u015f Kristal Kalitesi ve Defekt Azaltma:<\/strong> Birincil odak noktas\u0131, SiC alt tabakalar\u0131ndaki ve epikatmanlardaki defekt yo\u011funluklar\u0131n\u0131 (mikro borular, BPD’ler, TSD’ler) azaltmaya devam etmektedir. Daha d\u00fc\u015f\u00fck defekt yo\u011funluklar\u0131, daha y\u00fcksek cihaz verimi, geli\u015fmi\u015f g\u00fcvenilirlik ve daha b\u00fcy\u00fck, daha g\u00fc\u00e7l\u00fc SiC yongalar\u0131 \u00fcretme yetene\u011fi sa\u011flar.<\/li>\n
- Geli\u015fmi\u015f Epitaksi Teknikleri:<\/strong> Yeni \u00f6nc\u00fcller ve reakt\u00f6r tasar\u0131mlar\u0131 da dahil olmak \u00fczere CVD s\u00fcre\u00e7lerindeki yenilikler, daha h\u0131zl\u0131 b\u00fcy\u00fcme oranlar\u0131, b\u00fcy\u00fck yonga plakalar\u0131 \u00fczerinde daha iyi homojenlik ve doping profilleri ve katman kal\u0131nl\u0131klar\u0131 \u00fczerinde daha hassas kontrol sa\u011flamay\u0131 ama\u00e7lamaktad\u0131r. Buna ultra y\u00fcksek voltajl\u0131 cihazlar (>10 kV) i\u00e7in daha kal\u0131n s\u00fcr\u00fcklenme katmanlar\u0131n\u0131n geli\u015ftirilmesi de dahildir.<\/li>\n
- Yeni Cihaz Yap\u0131lar\u0131:<\/strong>\n
\n- SiC Hendek MOSFET’ler:<\/strong> D\u00fczlemsel SiC MOSFET’ler yayg\u0131n olmakla birlikte, hendek ge\u00e7it yap\u0131lar\u0131 sunmaktad\u0131r<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
SiC Teknolojisi ile Beslenen Yar\u0131 \u0130letken Evrimi Yar\u0131 iletken end\u00fcstrisi, daha k\u00fc\u00e7\u00fck, daha h\u0131zl\u0131 ve daha verimli elektronik cihazlara y\u00f6nelik amans\u0131z talep taraf\u0131ndan y\u00f6nlendirilen s\u00fcrekli bir evrim halindedir. Geleneksel silikon tabanl\u0131 teknolojiler teorik s\u0131n\u0131rlar\u0131na yakla\u015f\u0131rken, performans\u0131n s\u0131n\u0131rlar\u0131n\u0131 zorlamak i\u00e7in yeni malzemeler ortaya \u00e7\u0131k\u0131yor. Bunlar aras\u0131nda Silisyum Karb\u00fcr (SiC) kendini farkl\u0131la\u015ft\u0131rd\u0131...<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":2348,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_gspb_post_css":"","_kad_blocks_custom_css":"","_kad_blocks_head_custom_js":"","_kad_blocks_body_custom_js":"","_kad_blocks_footer_custom_js":"","_kad_post_transparent":"","_kad_post_title":"","_kad_post_layout":"","_kad_post_sidebar_id":"","_kad_post_content_style":"","_kad_post_vertical_padding":"","_kad_post_feature":"","_kad_post_feature_position":"","_kad_post_header":false,"_kad_post_footer":false,"_kad_post_classname":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-2540","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-uncategorized"],"acf":{"en_gb-title":"","en_gb-meta":"","ja-title":"","ja-meta":"","ja-content":"","ko-title":"","ko-meta":"","ko-content":"","nl-title":"","nl-meta":"","nl-content":"","es-title":"","es-meta":"","es-content":"","ru-title":"","ru-meta":"","ru-content":"","tr-title":"","tr-meta":"","tr-content":"","pl-title":"","pl-meta":"","pl-content":"","pt-title":"","pt-meta":"","pt-content":"","de-title":"","de-meta":"","de-content":"","fr-title":"","fr-meta":"","fr-content":""},"taxonomy_info":{"category":[{"value":1,"label":"Uncategorized"}]},"featured_image_src_large":["https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/05\/Custom-Silicon-Carbide-Products-10_1-1.jpg",1024,1024,false],"author_info":{"display_name":"yiyunyinglucky","author_link":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/author\/yiyunyinglucky\/"},"comment_info":20,"category_info":[{"term_id":1,"name":"Uncategorized","slug":"uncategorized","term_group":0,"term_taxonomy_id":1,"taxonomy":"category","description":"","parent":0,"count":795,"filter":"raw","cat_ID":1,"category_count":795,"category_description":"","cat_name":"Uncategorized","category_nicename":"uncategorized","category_parent":0}],"tag_info":false,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2540","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2540"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2540\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4935,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2540\/revisions\/4935"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2348"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2540"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2540"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/tr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2540"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}} |