Без категории

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Модули управления SiC Power Factor Correction (PFC) представляют собой предварительно разработанные каскады управления и питания, которые объединяют карбидокремниевые MOSFETs/диоды с цифровым управлением, датчиками и защитой для обеспечения >99% коэффициента мощности (PF) и <3% общих гармонических искажений (THD) в широких диапазонах нагрузки. Они являются основой высокоэффективных фронтальных выпрямителей в ИБП, VFD,...

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Высоковольтные силовые модули на основе карбида кремния (SiC) обеспечивают компактное, эффективное и надежное преобразование при киловольтном напряжении в цепи постоянного тока для средневольтных (MV) приводов, тяговых инверторов и преобразователей, работающих от сети. Благодаря использованию МОП-транзисторов и диодов SiC на 1200-3300 В в современных корпусах с AlN/Si3N4 DBC, креплению матрицы серебряным спеканием и шинам с малой индуктивностью, эти модули обеспечивают высокую коммутационную...

Обзор продукта и актуальность на рынке 2025 года Диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) представляют собой однополярные выпрямители с почти нулевым зарядом обратного восстановления (Qrr), что обеспечивает сверхбыстрое переключение с низкими потерями на этапах коррекции коэффициента мощности (PFC) и импульсных источниках питания (SMPS). В отличие от кремниевых сверхбыстрых/быстродействующих диодов, устройства SiC Schottky устраняют обратный ток восстановления, резко сокращая потери при переключении и электромагнитные помехи (EMI)….

Обзор продукта и актуальность на рынке 2025 года Прогон и автоматизированное испытательное оборудование (ATE) для устройств из карбида кремния (SiC) обеспечивают высокотемпературные, высоковольтные условия нагрузки, необходимые для скрининга отказов на ранних этапах эксплуатации и проверки срока службы в суровых условиях. По сравнению с традиционным кремнием, более высокая прочность электрического поля и повышенные температуры перехода SiC требуют специализированных печей, приспособлений для силовой нагрузки, блоков параметрических измерений,…

Поиск и проверка поставщиков SiC в России: Исчерпывающее руководство для B2B-покупателей В развивающемся ландшафте передовых материалов изделия из карбида кремния (SiC) выделяются своими исключительными свойствами, что делает их незаменимыми в высокопроизводительных промышленных приложениях. Поскольку в промышленности по всему миру все чаще требуются материалы, способные выдерживать экстремальные условия, поиск надежных и технически…

SiC - движущая сила инноваций в области технологий возобновляемой энергетики Глобальный переход к устойчивым источникам энергии вывел технологии возобновляемой энергетики на передний край инноваций. Поскольку промышленность стремится к повышению эффективности, надежности и производительности солнечных, ветряных и накопительных систем, передовые материалы играют все более важную роль. Среди них карбид кремния (SiC) стал одним из…

Обзор продукции и актуальность на рынке 2025 года Системы упаковки и терморегулирования устройств из карбида кремния (SiC) определяют реальную производительность, срок службы и безопасность высокочастотных преобразователей энергии. Помимо самого полупроводника, соединение кристалла, подложка, межсоединения, инкапсуляция и путь отвода тепла решают, будет ли оборудование работать в жарких, пыльных и нестабильных сетях Пакистана. Sicarb Tech разрабатывает упаковку…

Обзор продукции и актуальность на рынке 2025 года Интеллектуальные интегрированные системы силовых модулей из карбида кремния (SiC) сочетают в себе высокоэффективные силовые каскады MOSFET/диодов из SiC со встроенными датчиками, граничной аналитикой и стандартизированными механическими/электрическими интерфейсами. В отличие от дискретных модулей, эти интегрированные системы поставляются в виде готовых к развертыванию строительных блоков — в комплекте с драйверами затворов, шинами с низкой индуктивностью, конденсаторами звена постоянного тока, защитой и цифровой диагностикой — что позволяет быстро масштабировать от десятков…

Обзор продукции и актуальность на рынке 2025 года Высоконадежные драйверы затворов из карбида кремния (SiC) являются основой управления современными высокочастотными силовыми каскадами. Они обеспечивают изолированное, точное управление затвором, быструю защиту и надежную электромагнитную помехоустойчивость, необходимые для полного использования MOSFET и JFET из SiC в сложных условиях. В текстильном, цементном, сталелитейном и развивающемся цифровом секторах Пакистана эти драйверы…