Без категории

Обзор продукции и актуальность на рынке 2025 года Высокочастотные, высокоплотные кремниево-карбидные (SiC) системы постоянного тока объединяют SiC MOSFET и диоды с передовыми магнитными компонентами, цифровым управлением и надежной тепловой упаковкой для обеспечения компактного и эффективного преобразования постоянного тока для телекоммуникационных сайтов, узлов граничных вычислений и промышленных сетей постоянного тока. Надежно работая при повышенных температурах окружающей среды и при нарушениях в сети, распространенных...

Обзор продукции и актуальность для рынка в 2025 году Модули онлайн-преобразователей ИБП на основе карбида кремния (SiC) представляют собой предварительно спроектированные каскады питания, объединяющие SiC MOSFETs/diodes, магнитные элементы высокой плотности, цифровое управление и передовое терморегулирование для обеспечения непрерывной защиты с двойным преобразованием для критически важных нагрузок. По сравнению с ИБП на основе кремния, модули SiC обеспечивают более высокий КПД как при полной, так и при малой нагрузке, более быстрый переходный...

S. Корейские продукты SiC для вашего успеха В современном быстро развивающемся промышленном ландшафте спрос на материалы, способные выдерживать экстремальные условия и обеспечивать превосходные эксплуатационные характеристики, имеет первостепенное значение. Среди них особое место занимают **изделия из карбида кремния (SiC), предлагающие непревзойденные свойства для широкого спектра критически важных применений. В этой статье блога мы рассмотрим…

Стекольная промышленность: SiC для высокотемпературной стабильности и контроля Стекольная промышленность работает в одних из самых сложных тепловых и механических условиях, встречающихся в производстве. Обеспечение точного контроля температуры, обеспечение долговечности оборудования и поддержание чистоты стекла имеют первостепенное значение. Карбид кремния (SiC) стал критически важным передовым керамическим материалом, предлагающим непревзойденные характеристики в высокотемпературных условиях,...

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Теплораспределительные подложки SiC на уровне чипа - это инженерные керамические компоненты, размещаемые непосредственно под полупроводниковыми матрицами или внутри стеков силовых модулей для отвода и латерального распределения тепла, уменьшения тепловых градиентов и пиковых температур спаев. Используя реакционно-связанный SiC (RBSiC), спеченный без давления/твердотельный SiC (SSiC) или гибриды SiSiC, эти подложки обеспечивают высокую теплопроводность,...

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Модули управления SiC Power Factor Correction (PFC) представляют собой предварительно разработанные каскады управления и питания, которые объединяют карбидокремниевые MOSFETs/диоды с цифровым управлением, датчиками и защитой для обеспечения >99% коэффициента мощности (PF) и <3% общих гармонических искажений (THD) в широких диапазонах нагрузки. Они являются основой высокоэффективных фронтальных выпрямителей в ИБП, VFD,...

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Высоковольтные силовые модули на основе карбида кремния (SiC) обеспечивают компактное, эффективное и надежное преобразование при киловольтном напряжении в цепи постоянного тока для средневольтных (MV) приводов, тяговых инверторов и преобразователей, работающих от сети. Благодаря использованию МОП-транзисторов и диодов SiC на 1200-3300 В в современных корпусах с AlN/Si3N4 DBC, креплению матрицы серебряным спеканием и шинам с малой индуктивностью, эти модули обеспечивают высокую коммутационную...

Обзор продукта и актуальность на рынке 2025 года Диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) представляют собой однополярные выпрямители с почти нулевым зарядом обратного восстановления (Qrr), что обеспечивает сверхбыстрое переключение с низкими потерями на этапах коррекции коэффициента мощности (PFC) и импульсных источниках питания (SMPS). В отличие от кремниевых сверхбыстрых/быстродействующих диодов, устройства SiC Schottky устраняют обратный ток восстановления, резко сокращая потери при переключении и электромагнитные помехи (EMI)….

Обзор продукта и актуальность на рынке 2025 года Прогон и автоматизированное испытательное оборудование (ATE) для устройств из карбида кремния (SiC) обеспечивают высокотемпературные, высоковольтные условия нагрузки, необходимые для скрининга отказов на ранних этапах эксплуатации и проверки срока службы в суровых условиях. По сравнению с традиционным кремнием, более высокая прочность электрического поля и повышенные температуры перехода SiC требуют специализированных печей, приспособлений для силовой нагрузки, блоков параметрических измерений,…