Автор: yiyunyinglucky

Стекольная промышленность: SiC для высокотемпературной стабильности и контроля Стекольная промышленность работает в одних из самых сложных тепловых и механических условиях, встречающихся в производстве. Обеспечение точного контроля температуры, обеспечение долговечности оборудования и поддержание чистоты стекла имеют первостепенное значение. Карбид кремния (SiC) стал критически важным передовым керамическим материалом, предлагающим непревзойденные характеристики в высокотемпературных условиях,...

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Теплораспределительные подложки SiC на уровне чипа - это инженерные керамические компоненты, размещаемые непосредственно под полупроводниковыми матрицами или внутри стеков силовых модулей для отвода и латерального распределения тепла, уменьшения тепловых градиентов и пиковых температур спаев. Используя реакционно-связанный SiC (RBSiC), спеченный без давления/твердотельный SiC (SSiC) или гибриды SiSiC, эти подложки обеспечивают высокую теплопроводность,...

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Модули управления SiC Power Factor Correction (PFC) представляют собой предварительно разработанные каскады управления и питания, которые объединяют карбидокремниевые MOSFETs/диоды с цифровым управлением, датчиками и защитой для обеспечения >99% коэффициента мощности (PF) и <3% общих гармонических искажений (THD) в широких диапазонах нагрузки. Они являются основой высокоэффективных фронтальных выпрямителей в ИБП, VFD,...

Обзор продукции и актуальность для рынка 2025 года Высоковольтные силовые модули на основе карбида кремния (SiC) обеспечивают компактное, эффективное и надежное преобразование при киловольтном напряжении в цепи постоянного тока для средневольтных (MV) приводов, тяговых инверторов и преобразователей, работающих от сети. Благодаря использованию МОП-транзисторов и диодов SiC на 1200-3300 В в современных корпусах с AlN/Si3N4 DBC, креплению матрицы серебряным спеканием и шинам с малой индуктивностью, эти модули обеспечивают высокую коммутационную...

Обзор продукта и актуальность на рынке 2025 года Диоды Шоттки из карбида кремния (SiC) представляют собой однополярные выпрямители с почти нулевым зарядом обратного восстановления (Qrr), что обеспечивает сверхбыстрое переключение с низкими потерями на этапах коррекции коэффициента мощности (PFC) и импульсных источниках питания (SMPS). В отличие от кремниевых сверхбыстрых/быстродействующих диодов, устройства SiC Schottky устраняют обратный ток восстановления, резко сокращая потери при переключении и электромагнитные помехи (EMI)….

Обзор продукта и актуальность на рынке 2025 года Прогон и автоматизированное испытательное оборудование (ATE) для устройств из карбида кремния (SiC) обеспечивают высокотемпературные, высоковольтные условия нагрузки, необходимые для скрининга отказов на ранних этапах эксплуатации и проверки срока службы в суровых условиях. По сравнению с традиционным кремнием, более высокая прочность электрического поля и повышенные температуры перехода SiC требуют специализированных печей, приспособлений для силовой нагрузки, блоков параметрических измерений,…

Поиск и проверка поставщиков SiC в России: Исчерпывающее руководство для B2B-покупателей В развивающемся ландшафте передовых материалов изделия из карбида кремния (SiC) выделяются своими исключительными свойствами, что делает их незаменимыми в высокопроизводительных промышленных приложениях. Поскольку в промышленности по всему миру все чаще требуются материалы, способные выдерживать экстремальные условия, поиск надежных и технически…

SiC - движущая сила инноваций в области технологий возобновляемой энергетики Глобальный переход к устойчивым источникам энергии вывел технологии возобновляемой энергетики на передний край инноваций. Поскольку промышленность стремится к повышению эффективности, надежности и производительности солнечных, ветряных и накопительных систем, передовые материалы играют все более важную роль. Среди них карбид кремния (SiC) стал одним из…

Обзор продукции и актуальность на рынке 2025 года Системы упаковки и терморегулирования устройств из карбида кремния (SiC) определяют реальную производительность, срок службы и безопасность высокочастотных преобразователей энергии. Помимо самого полупроводника, соединение кристалла, подложка, межсоединения, инкапсуляция и путь отвода тепла решают, будет ли оборудование работать в жарких, пыльных и нестабильных сетях Пакистана. Sicarb Tech разрабатывает упаковку…