R-SiC
Свойства и области применения
Карбид кремния - лучший выбор среди высокопроизводительных материалов
Карбид кремния обладает замечательными эксплуатационными характеристиками. Он обладает чрезвычайно высокой твердостью и сильной износостойкостью. Его теплопроводность высока, что обеспечивает ему отличную теплоотдачу. Кроме того, он обладает хорошей химической стабильностью и устойчив к коррозии.
R-SiC
Рекристаллизованный карбид кремния
Рекристаллизованный карбид кремния (R-SiC) - это высокоэффективный материал, образующийся при высокой температуре свыше 2000°C, уступающий по твердости только алмазу, который сохраняет многие превосходные свойства SiC, такие как высокая температурная прочность, сильная коррозионная стойкость, отличная устойчивость к окислению, хорошая устойчивость к тепловому удару и т.д.
Свойства
Высокая твердость
Твердость по шкале Мооса составляет 9,2-9,5, уступая лишь алмазу и кубическому нитриду бора, что делает его пригодным для изготовления износостойких деталей.
Высокая прочность
Сохраняет высокую прочность при повышенных температурах: предел прочности при изгибе при 1000°C достигает 80%-90% от значения при комнатной температуре.
Высокая теплопроводность
Отличный теплоотвод с теплопроводностью 170-220 Вт/(м-К) при 20°C, идеально подходит для компонентов, требующих эффективного теплообмена.
Низкий коэффициент теплового расширения
Коэффициент теплового расширения 4,0×10-⁶-4,5×10-⁶/°C (20-1000°C), что обеспечивает превосходную устойчивость к тепловым ударам и стабильность размеров при резких изменениях температуры.
Химическая стабильность
Химически инертен к большинству кислот и щелочей при комнатной температуре, вступает в реакцию с сильными окислителями только при высоких температурах, подходит для работы в жестких химических средах.
Устойчивость к коррозии
Устойчив к расплавленным металлам и солям, широко применяется в металлургической и химической промышленности.
Превосходные электрические свойства
Высокое удельное сопротивление (1,0×10-³-1,5×10-³ Ω-м при 1600°C) для использования в качестве нагревательных элементов высокотемпературных печей, а полупроводниковые характеристики позволяют применять их в электронных устройствах.
Области применения
Полупроводниковая и фотоэлектрическая промышленность
Выращивание монокристаллов кремния/ SiC
Опоры для кварцевых тиглей: Устойчивый рост кремниевых слитков при 1500°C без загрязнения углеродом (свободный кремний 0%).
Компоненты печи для выращивания кристаллов SiC: Снижение плотности дефектов (например, дислокаций) при производстве эпитаксиальных пластин 4H-SiC.
Технологическое оборудование для эпитаксии
Камерные суспензоры CVD: Выдерживает 1600°C для обеспечения равномерного осаждения на поверхности пластин.
Высокотемпературное промышленное оборудование
Нагревательные элементы вакуумных печей
Заменяйте графитовые элементы в инертной атмосфере при температуре до 2000°C, избегая загрязнения углеродом (например, в печах для производства монокристаллов сапфира).
Лучистые трубки и теплообменники
Лучистые трубы печей науглероживания служат 8 лет (по сравнению с 1-2 годами для металлических труб); рекуператоры отходящих газов устойчивы к истиранию частицами.
Атомная энергетика и аэрокосмическая промышленность
Компоненты ядерных реакторов
Топливная оболочка для высокотемпературных газоохлаждаемых реакторов, устойчивая к нейтронному облучению и коррозии CO₂ (≤1600°C).
Тепловая защита космических аппаратов
Термобарьерные подложки для покрытия возвращаемых аппаратов, выдерживающих аэродинамический нагрев до 1800°C (например, китайские лунные зонды "Чанъэ").
Тепловое управление электронными устройствами
Подложки для мощных микросхем
Подложки для модулей усилителей базовых станций 5G с теплопроводностью 170-220 Вт/(м-К), в 3 раза эффективнее алюминия.
Светодиодные радиаторы
Замена металлов в упаковке светодиодов высокой яркости для устранения несоответствия теплового расширения.
Специализированная керамика и оптика
Лазерные окна и линзы
Лазерные выходные стекла CO₂ с коэффициентом пропускания >95%, выдерживающие тепловой поток 200 Вт/см².
Упаковка высокочастотных устройств
Материалы для радарных куполов, сочетающие высокую теплопроводность и низкие диэлектрические потери (ε≈4,5).
Химическая и металлургическая промышленность
Оборудование для обработки расплавленного металла
Горшки для дистилляции цинковой плавки, устойчивые к коррозии паров цинка при температуре 1000°C (срок службы в 3 раза больше, чем у графита).
Коррозионно-стойкие облицовки реакторов
Футеровка печей для синтеза соляной кислоты, устойчивая к эрозии Cl₂ и HCl.
Рекомендации по выбору
Идеально подходит для
① Сверхвысокие температуры (>1600°C) или среды с высокой степенью чистоты.
② Критические требования к теплопроводности и химической стабильности.
③ Длительное воздействие экстремальных температурных циклов (например, ядерные реакторы).
Альтернативы
SiSiC(Siliconized Silicon Carbide) for budgets <1600°C; RBSiC (Reaction-Bonded Silicon Carbide) for complex shapes with cost sensitivity.
Примеры продуктов
Настройте свои детали уже сегодня!
Мы обладаем широким спектром технологий для изготовления продукции из карбида кремния на заказ, таких как технология материалов, технология обработки, технология проектирования и технология комплексного процесса от материалов до продукции. Поэтому мы способны удовлетворить различные требования по изготовлению продукции на заказ. Если вам нужны дополнительные решения или вы хотите узнать о других видах технологического процесса производства изделий из карбида кремния, пожалуйста, свяжитесь с нашей командой инженеров.
