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Visão geral do produto e relevância para o mercado em 2025 Os substratos de SiC para dissipação de calor em nível de chip são componentes cerâmicos projetados e colocados diretamente abaixo das matrizes de semicondutores ou dentro das pilhas de módulos de energia para conduzir e disseminar o calor lateralmente, reduzindo os gradientes térmicos e as temperaturas de pico da junção. Usando SiC ligado por reação (RBSiC), SiC sinterizado sem pressão/em estado sólido (SSiC) ou híbridos de SiSiC, esses substratos oferecem alta condutividade térmica,...

Visão geral do produto e relevância para o mercado em 2025 Os módulos de controle de correção de fator de potência (PFC) SiC são estágios de controle e potência pré-projetados que combinam MOSFETs/diodos de carbeto de silício com controle digital, detecção e proteção para fornecer fator de potência (PF) >99% e distorção harmônica total (THD) <3% em amplas faixas de carga. Eles são a base dos retificadores front-end de alta eficiência em UPS, VFD,...

Product Overview and 2025 Market Relevance Silicon carbide (SiC) high-voltage power modules enable compact, efficient, and robust conversion at kilovolt-class DC-link voltages for medium-voltage (MV) drives, traction inverters, and grid-tied converters. Leveraging 1200–3300 V SiC MOSFETs and diodes in advanced packages with AlN/Si3N4 DBC, silver-sinter die attach, and low-inductance busbars, these modules deliver high switching…

Visão geral do produto e relevância do mercado de 2025 Os diodos Schottky de carboneto de silício (SiC) são retificadores unipolares com carga de recuperação reversa quase zero (Qrr), permitindo a comutação ultrarrápida e de baixa perda em estágios de correção do fator de potência (PFC) e fontes de alimentação de modo de comutação (SMPS). Ao contrário dos diodos de recuperação ultrarrápida/rápida de silício, os dispositivos Schottky SiC eliminam a corrente de cauda de recuperação reversa, cortando drasticamente as perdas de comutação e a interferência eletromagnética (EMI)...

Visão geral do produto e relevância do mercado de 2025 Os equipamentos de teste automatizado (ATE) e queima de dispositivos de carboneto de silício (SiC) fornecem os ambientes de tensão de alta temperatura e alta tensão necessários para rastrear falhas no início da vida útil e verificar a vida útil em condições severas. Em comparação com o silício tradicional, a maior resistência do campo elétrico e as temperaturas de junção elevadas do SiC exigem fornos especializados, dispositivos de tensão de energia, unidades de medição paramétrica...

Encontrando e examinando fornecedores de SiC na Rússia: Um guia abrangente para compradores B2B No cenário em evolução dos materiais avançados, os produtos personalizados de carbeto de silício (SiC) se destacam por suas propriedades excepcionais, tornando-os indispensáveis em aplicações industriais de alto desempenho. Como os setores do mundo todo exigem cada vez mais materiais capazes de suportar condições extremas, a busca por materiais confiáveis e tecnicamente&#8230..;

SiC impulsiona inovações em tecnologia de energia renovável A mudança global para fontes de energia sustentáveis colocou as tecnologias de energia renovável na vanguarda da inovação. À medida que os setores se esforçam para obter maior eficiência, confiabilidade e desempenho em sistemas solares, eólicos e de armazenamento de energia, os materiais avançados desempenham um papel cada vez mais crucial. Entre eles, o carbeto de silício (SiC) surgiu como um…

Visão geral do produto e relevância do mercado de 2025 Os sistemas de embalagem de dispositivos de carboneto de silício (SiC) e gerenciamento térmico determinam o desempenho, a vida útil e a segurança do mundo real dos conversores de energia de alta frequência. Além do próprio semicondutor, a fixação do chip, o substrato, as interconexões, o encapsulamento e o caminho de extração de calor decidem se o equipamento prospera nas condições industriais quentes, empoeiradas e variáveis da rede do Paquistão. A Sicarb Tech projeta embalagens...

Visão geral do produto e relevância do mercado de 2025 Os sistemas integrados de módulos de energia de carboneto de silício (SiC) combinam estágios de energia MOSFET/diodo SiC de alta eficiência com detecção integrada, análise de borda e interfaces mecânicas/elétricas padronizadas. Ao contrário dos módulos discretos, esses sistemas integrados chegam como blocos de construção prontos para implantação — completos com drivers de gate, barras de barramento de baixa indutância, capacitores de ligação CC, proteções e diagnósticos digitais — permitindo o dimensionamento rápido de dezenas...