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Përmbledhje e produktit dhe rëndësia e tregut në vitin 2025 Modulet e monitorimit dhe diagnostikimit të sistemit të energjisë SiC janë shtesa inteligjente dhe njësitë e integruara që instrumentojnë rregulluesit, inverterët, UPS-të dhe raftet e energjisë DC të bazuara në SiC për të ofruar telemetri në kohë reale, mirëmbajtje parashikuese dhe menaxhim të ciklit jetësor nga distanca. Të ndërtuara posaçërisht për trenat e energjisë me hapësirë të gjerë bandash që funksionojnë me frekuencë dhe temperaturë më të lartë, këto module kapin elektrike të shpejta…

Přehled produktů a relevance pro trh v roce 2025 Vysokofrekvenční, vysoce husté stejnosměrné napájecí systémy z karbidu křemíku (SiC) integrují SiC MOSFET a diody s pokročilou magnetikou, digitálním řízením a robustním tepelným balením, aby poskytovaly kompaktní a účinnou stejnosměrnou konverzi pro telekomunikační weby, uzly edge computingu a průmyslové stejnosměrné sítě. Spolehlivý provoz při zvýšených okolních teplotách a při poruchách sítě běžných…

Visão geral do produto e relevância para o mercado em 2025 Os módulos conversores de UPS on-line de carbeto de silício (SiC) são estágios de energia pré-projetados que integram MOSFETs/diodos de SiC, magnetismo de alta densidade, controle digital e gerenciamento térmico avançado para oferecer proteção contínua e de dupla conversão para cargas de missão crítica. Em comparação com os projetos de UPS baseados em silício, os módulos de SiC alcançam maior eficiência em carga total e leve,...

S. Produtos coreanos de SiC para o seu sucesso No atual cenário industrial de rápido avanço, a demanda por materiais que possam suportar condições extremas e oferecer desempenho superior é fundamental. Entre eles, os **produtos personalizados de carbeto de silício (SiC)** se destacam como um divisor de águas, oferecendo propriedades inigualáveis para uma ampla gama de aplicações críticas. Esta postagem do blog se aprofunda em…

Indústria do Vidro: SiC para Estabilidade e Controlo a Alta Temperatura A indústria do vidro opera sob algumas das condições térmicas e mecânicas mais exigentes encontradas na manufatura. Atingir um controlo preciso da temperatura, garantir a longevidade do equipamento e manter a pureza do vidro são de importância primordial. O carboneto de silício (SiC) surgiu como um material cerâmico avançado crítico, oferecendo desempenho incomparável em ambientes de alta temperatura,...

Visão geral do produto e relevância para o mercado em 2025 Os substratos de SiC para dissipação de calor em nível de chip são componentes cerâmicos projetados e colocados diretamente abaixo das matrizes de semicondutores ou dentro das pilhas de módulos de energia para conduzir e disseminar o calor lateralmente, reduzindo os gradientes térmicos e as temperaturas de pico da junção. Usando SiC ligado por reação (RBSiC), SiC sinterizado sem pressão/em estado sólido (SSiC) ou híbridos de SiSiC, esses substratos oferecem alta condutividade térmica,...

Visão geral do produto e relevância para o mercado em 2025 Os módulos de controle de correção de fator de potência (PFC) SiC são estágios de controle e potência pré-projetados que combinam MOSFETs/diodos de carbeto de silício com controle digital, detecção e proteção para fornecer fator de potência (PF) >99% e distorção harmônica total (THD) <3% em amplas faixas de carga. Eles são a base dos retificadores front-end de alta eficiência em UPS, VFD,...

Product Overview and 2025 Market Relevance Silicon carbide (SiC) high-voltage power modules enable compact, efficient, and robust conversion at kilovolt-class DC-link voltages for medium-voltage (MV) drives, traction inverters, and grid-tied converters. Leveraging 1200–3300 V SiC MOSFETs and diodes in advanced packages with AlN/Si3N4 DBC, silver-sinter die attach, and low-inductance busbars, these modules deliver high switching…

Visão geral do produto e relevância do mercado de 2025 Os diodos Schottky de carboneto de silício (SiC) são retificadores unipolares com carga de recuperação reversa quase zero (Qrr), permitindo a comutação ultrarrápida e de baixa perda em estágios de correção do fator de potência (PFC) e fontes de alimentação de modo de comutação (SMPS). Ao contrário dos diodos de recuperação ultrarrápida/rápida de silício, os dispositivos Schottky SiC eliminam a corrente de cauda de recuperação reversa, cortando drasticamente as perdas de comutação e a interferência eletromagnética (EMI)...