Módulos de potência MOSFET de carbeto de silício de alta tensão para aplicações de inversor e UPS de 1200–1700 V
Visão geral do produto e relevância do mercado de 2025 para o Paquistão Os módulos de potência MOSFET de carbeto de silício (SiC) de alta tensão na classe de 1200–1700 V oferecem perdas de comutação e condução ultrabaixas, permitindo a operação de alta frequência (50–100 kHz), pegadas compactas e eficiência excepcional em inversores de média a alta potência e sistemas UPS. Para as indústrias têxtil, cimento e siderúrgica do Paquistão — onde a instabilidade da rede, o calor, a poeira,…

