Sem categoria

Apèsi sou pwodwi 2025 ak enpòtans mache pou Pakistan Sistèm pouvwa entegre Silicon Carbide (SiC) UPS pote ansanm etap redresman–varyateur gwo frekans, entèfas depo enèji, ak kontwòl entèlijan andedan kabinè modilè 50–400 kVA. Lè yo pwofite SiC MOSFETs ak SiC dyòd Schottky nan topoloji twa nivo ak PFC bridgeless, sistèm sa yo delivre >98% efikasite, repons dinamik rapid, ak gwo fyab—kritik…

Apèsi sou pwodwi 2025 ak enpòtans mache pou Pakistan Silisyòm Carbide (SiC) izole DC/DC konvètisè modil bay ray oksilyè pwoteje ki nesesè pou opere wo vòltaj UPS, VFDs, redresman, ak entèfas renouvlab. Modil sa yo jenere ekipman pou izole ranfòse pou chofè pòtay (±15/18 V, +6 V, +12/15 V), elektwonik kontwòl (5/12/24 V), detèktè, ak relè—pandan y ap tolere gwo tranzisyon mòd komen…

Apèsi sou pwodwi 2025 ak enpòtans mache pou Pakistan Silisyòm carbide seramik substrats chalè-spreader—R‑SiC (reyaksyon-mare), SSiC (sintered), RBSiC (reyaksyon-mare silikonize), ak SiSiC (silikon-enfiltre)—se poto tèmik nan elektwonik pouvwa modèn. Lè yo konbine gwo konduktivite tèmik, dansite ki ba, ekselan rèd, ak rezistans mete/ewozyon eksepsyonèl, seramik sa yo deplase chalè rapidman soti nan SiC MOSFETs, SiC dyòd Schottky, eritaj IGBT…

Apèsi sou pwodwi 2025 ak enpòtans mache pou Pakistan Gwo frekans silisyòm carbide (SiC) inite kontwòl koreksyon faktè pouvwa (PFC) se sèvo nan ultra‑efikas AC front ends pou UPS, VFDs, redresman, ak ekipman pou pouvwa endistriyèl gwo pouvwa. Lè yo kowòdone SiC MOSFETs ak SiC dyòd Schottky nan bridgeless totem‑poto oswa topoloji ranje ogmantasyon nan 50–100 kHz, kontwolè sa yo…

Misturas Homogêneas com Equipamento de Mistura de Pó de SiC: A Chave para Desbloquear o Desempenho Máximo do Carboneto de Silício Introdução: O Motor Invisível – Equipamento de Mistura de Pó de SiC para Desempenho Superior do Material O Carboneto de Silício (SiC) é um material fundamental nas indústrias modernas de alto desempenho, valorizado por sua excepcional dureza, condutividade térmica e resistência ao desgaste e ataque químico. No entanto,…

SiC personalizado do Japão para máxima precisão Na busca incessante por desempenho e durabilidade em setores críticos, os produtos personalizados de carbeto de silício (SiC) se destacam como um material fundamental. Reconhecido por suas propriedades extraordinárias, o SiC oferece soluções inigualáveis para aplicações em que os materiais convencionais simplesmente falham. Esta postagem do blog se aprofunda no mundo do SiC de engenharia de precisão…

Apèsi sou pwodwi 2025 ak enpòtans mache pou Pakistan Entègre silisyòm carbide (SiC) UPS redresman–modil varyateur konbine redresman PFC gwo frekans ak etap pouvwa varyateur twa nivo nan yon blòk kontra enfòmèl ant, faktori-valide ki delivre efikasite eksepsyonèl, repons dinamik rapid, ak gwo fyab. Pou sektè tekstil, siman, ak asye Pakistan, ak pou gwoup sant done k ap grandi nan Karachi, Lahore,…

Apèsi sou pwodwi 2025 ak enpòtans mache pou Pakistan Silisyòm Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) yo se aparèy travayè pou koreksyon faktè pouvwa gwo frekans (PFC) ak redresman rapid nan UPS, VFD front-ends, plato EV, ak ekipman pou pouvwa endistriyèl kontra enfòmèl ant. Kontrèman ak dyòd silikon ultrafast, SiC SBDs montre chaj rekiperasyon ranvèse neglijab (Qrr ≈ 0), ki pèmèt pi wo…

Apèsi sou pwodwi 2025 ak enpòtans mache pou Pakistan 4H‑SiC kwasans kristal ak ekipman epitaksi chita nan fondasyon chèn valè silisyòm carbide a, ki pèmèt pwodiksyon lokal substrats ak kouch drift pou MOSFETs wo vòltaj, dyòd Schottky, ak modil pouvwa yo itilize nan UPS, VFDs, ak konvètisè griy-mare. Pou sektè tekstil, siman, ak asye Pakistan—ak…