Typ P (przewodz\u0105cy)<\/strong><\/td>\n| Glin (Al) lub Bor (B)<\/td>\n | Zmienna, zwykle wy\u017csza ni\u017c typ N dla podobnych poziom\u00f3w domieszkowania ze wzgl\u0119du na ni\u017csz\u0105 ruchliwo\u015b\u0107 dziur.<\/td>\n | Mniej powszechne dla pod\u0142o\u017cy w urz\u0105dzeniach z wi\u0119kszo\u015bci\u0105 no\u015bnik\u00f3w, ale mog\u0105 by\u0107 stosowane do specyficznych struktur urz\u0105dze\u0144 lub jako materia\u0142 wyj\u015bciowy dla niekt\u00f3rych proces\u00f3w epitaksjalnych.<\/td>\n | Niekt\u00f3re urz\u0105dzenia bipolarne (BJT), specyficzne konstrukcje czujnik\u00f3w, cele badawcze.<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n Wyb\u00f3r polimorfu i klasy jest podstawow\u0105 decyzj\u0105 w projektowaniu urz\u0105dze\u0144. Na przyk\u0142ad, zastosowania prze\u0142\u0105czania du\u017cej mocy b\u0119d\u0105 prawie wy\u0142\u0105cznie wykorzystywa\u0107 pod\u0142o\u017ca 4H-SiC typu N, podczas gdy zastosowania wysokiej cz\u0119stotliwo\u015bci RF b\u0119d\u0105 sk\u0142ania\u0107 si\u0119 ku pod\u0142o\u017com p\u00f3\u0142izolacyjnym (cz\u0119sto HPSI 4H-SiC lub wysokiej jako\u015bci 6H-SiC). G\u0119sto\u015b\u0107 defekt\u00f3w (mikrorury, dyslokacje, wady u\u0142o\u017cenia) to kolejny krytyczny parametr klasyfikacji, przy czym klasy najwy\u017cszej jako\u015bci maj\u0105 najni\u017csz\u0105 liczb\u0119 defekt\u00f3w, co jest niezb\u0119dne do produkcji urz\u0105dze\u0144 o wysokiej wydajno\u015bci i wysokiej wydajno\u015bci.<\/p>\n 5. Krytyczne kwestie projektowe dla optymalnej wydajno\u015bci pod\u0142o\u017cy SiC<\/h2>\nProjektowanie lub wyb\u00f3r odpowiedniego pod\u0142o\u017ca SiC wi\u0105\u017ce si\u0119 z dok\u0142adnym rozwa\u017ceniem kilku parametr\u00f3w, kt\u00f3re bezpo\u015brednio wp\u0142ywaj\u0105 na p\u00f3\u017aniejszy wzrost epitaksjalny i ostateczn\u0105 wydajno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia. Rozwa\u017cania te wykraczaj\u0105 poza samo wybranie polimorfu i klasy, zag\u0142\u0119biaj\u0105c si\u0119 w fizyczne i krystalograficzne szczeg\u00f3\u0142y p\u0142ytki.<\/p>\n \n- Zrozumienie p\u0142ytek SiC: Kluczowe typy, politipy i gatunki materia\u0142\u00f3w<\/strong>\n
\n- Pod\u0142o\u017ca SiC s\u0105 zwykle dostarczane z powierzchni\u0105 \u015bci\u0119t\u0105 kilka stopni poza osi\u0105 z podstawowej p\u0142aszczyzny krystalograficznej (np. p\u0142aszczyzny podstawowej (0001)). Dla 4H-SiC typowe k\u0105ty odci\u0119cia wynosz\u0105 4\u00b0 lub 8\u00b0 w kierunku <11-20>.<\/li>\n
- Znaczenie:<\/strong> To celowe odchylenie jest kluczowe dla wysokiej jako\u015bci wzrostu epitaksjalnego, szczeg\u00f3lnie w przypadku trybu wzrostu przep\u0142ywu schodkowego, kt\u00f3ry pomaga zmniejszy\u0107 tworzenie si\u0119 niekt\u00f3rych typ\u00f3w defekt\u00f3w kryszta\u0142\u00f3w (takich jak wtr\u0105cenia 3C) w warstwie epitaksjalnej. Wyb\u00f3r k\u0105ta odci\u0119cia i kierunku mo\u017ce wp\u0142ywa\u0107 na wbudowywanie domieszek, morfologi\u0119 powierzchni i propagacj\u0119 defekt\u00f3w.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- \u015arednica i grubo\u015b\u0107:<\/strong>\n
\n- \u015arednica:<\/strong> Typowe \u015brednice to 100 mm (4 cale), 150 mm (6 cali), z przej\u015bciem na 200 mm (8 cali) w toku, aby obni\u017cy\u0107 koszty na uk\u0142ad. Wyb\u00f3r cz\u0119sto zale\u017cy od mo\u017cliwo\u015bci produkcyjnych odlewni i wielko\u015bci produkcji.<\/li>\n
- Grubo\u015b\u0107:<\/strong> Grubo\u015b\u0107 pod\u0142o\u017ca musi by\u0107 wystarczaj\u0105ca, aby zapewni\u0107 wsparcie mechaniczne podczas przetwarzania i obs\u0142ugi, ale nie tak du\u017ca, aby niepotrzebnie zwi\u0119ksza\u0107 koszty materia\u0142u lub, w przypadku pod\u0142o\u017cy przewodz\u0105cych, rezystancj\u0119 szeregow\u0105. Typowe grubo\u015bci wahaj\u0105 si\u0119 od 350 \u00b5m do 500 \u00b5m dla p\u0142ytek 100 mm i 150 mm. Cz\u0119sto wymagane s\u0105 niestandardowe grubo\u015bci.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Jako\u015b\u0107 powierzchni i przygotowanie:<\/strong>\n
\n- Gotowo\u015b\u0107 do epitaksji:<\/strong> Powierzchnia pod\u0142o\u017ca musi by\u0107 wyj\u0105tkowo g\u0142adka i wolna od uszkodze\u0144 podpowierzchniowych, zanieczyszcze\u0144 i cz\u0105stek, aby epitaksja przebiega\u0142a pomy\u015blnie. Zazwyczaj osi\u0105ga si\u0119 to poprzez polerowanie chemiczno-mechaniczne (CMP). Krytyczna jest powierzchnia \u201egotowa do epitaksji\u201d.<\/li>\n
- Chropowato\u015b\u0107 powierzchni (Ra):<\/strong> Zazwyczaj okre\u015blana w zakresie angstrem\u00f3w (np. Ra < 0,5 nm lub nawet < 0,2 nm).<\/li>\n
- Zadrapania, plamy i cz\u0105stki:<\/strong> Nak\u0142adane s\u0105 \u015bcis\u0142e ograniczenia dotycz\u0105ce obecno\u015bci wszelkich widocznych defekt\u00f3w powierzchniowych.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- P\u0142ytki z w\u0119glika krzemu<\/strong> Jest to jeden z najbardziej krytycznych parametr\u00f3w.\n
\n- G\u0119sto\u015b\u0107 mikrorur (MPD):<\/strong> Mikrorury to dyslokacje \u015brubowe o pustym rdzeniu, kt\u00f3re rozchodz\u0105 si\u0119 z pod\u0142o\u017ca do warstwy epitaksjalnej, dzia\u0142aj\u0105c jako \u015bmiertelne defekty dla wi\u0119kszo\u015bci urz\u0105dze\u0144. MPD jest zwykle okre\u015blana jako < 1 cm-2<\/sup> dla klas najwy\u017cszej jako\u015bci, a post\u0119py zmierzaj\u0105 w kierunku p\u0142ytek o zerowej mikrorurze.<\/li>\n
- G\u0119sto\u015b\u0107 dyslok<\/strong> BPD w pod\u0142o\u017cu mo\u017ce prowadzi\u0107 do wad u\u0142o\u017cenia w warstwie epitaksjalnej, co pogarsza wydajno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia, szczeg\u00f3lnie w przypadku urz\u0105dze\u0144 bipolarnych i powoduje Vf<\/sub> dryf w diodach PiN.<\/li>\n
- Dyslokacje \u015brubowe (TSD) i dyslokacje kraw\u0119dziowe (TED):<\/strong> Wp\u0142ywaj\u0105 one r\u00f3wnie\u017c na wydajno\u015b\u0107 i niezawodno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia.<\/li>\n
- Niska g\u0119sto\u015b\u0107 defekt\u00f3w jest kluczowa dla uzyskania wysokiej wydajno\u015bci urz\u0105dze\u0144, szczeg\u00f3lnie w przypadku urz\u0105dze\u0144 o du\u017cej powierzchni.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Jednorodno\u015b\u0107 rezystywno\u015bci:<\/strong> W przypadku pod\u0142o\u017cy przewodz\u0105cych, jednolita rezystywno\u015b\u0107 na ca\u0142ej p\u0142ytce jest wa\u017cna dla sp\u00f3jnych charakterystyk urz\u0105dzenia. W przypadku pod\u0142o\u017cy p\u00f3\u0142izolacyjnych kluczowe jest utrzymanie wysokiej rezystywno\u015bci w spos\u00f3b jednolity.<\/li>\n
- Ugi\u0119cie i wypaczenie:<\/strong> Parametry te opisuj\u0105 odchylenie powierzchni p\u0142ytki od idealnej p\u0142aszczyzny. Nadmierne wygi\u0119cie lub wypaczenie mo\u017ce powodowa\u0107 problemy w fotolitografii, epitaksji i innych etapach przetwarzania. Specyfikacje zwykle ograniczaj\u0105 wygi\u0119cie do < 30-50 \u00b5m, a wypaczenie do < 50-70 \u00b5m, w zale\u017cno\u015bci od \u015brednicy.<\/li>\n
- Ca\u0142kowita zmienno\u015b\u0107 grubo\u015bci (TTV):<\/strong> R\u00f3\u017cnica mi\u0119dzy maksymaln\u0105 i minimaln\u0105 grubo\u015bci\u0105 na ca\u0142ej p\u0142ytce. \u015acis\u0142a kontrola TTV jest niezb\u0119dna do jednolitego przetwarzania.<\/li>\n
- Wykluczenie kraw\u0119dzi:<\/strong> Okre\u015blony obszar wok\u00f3\u0142 obwodu p\u0142ytki (np. 3-5 mm), kt\u00f3ry mo\u017ce nie spe\u0142nia\u0107 wszystkich specyfikacji jako\u015bci podstawowej. Zminimalizowanie tego obszaru maksymalizuje liczb\u0119 u\u017cytecznych uk\u0142ad\u00f3w na p\u0142ytk\u0119.<\/li>\n
- Znaki identyfikacyjne:<\/strong> Znaki identyfikacyjne grawerowane laserowo (standard SEMI) s\u0105 u\u017cywane do identyfikowalno\u015bci p\u0142ytek. Wa\u017cna jest jako\u015b\u0107 i umiejscowienie tych znak\u00f3w.<\/li>\n<\/ul>\n
Dok\u0142adne okre\u015blenie tych parametr\u00f3w projektowych, w konsultacji z kompetentnym dostawc\u0105 pod\u0142o\u017cy SiC, jest niezb\u0119dne, aby zapewni\u0107 optymalizacj\u0119 pod\u0142o\u017ca dla zamierzonej struktury urz\u0105dzenia i procesu produkcji, co ostatecznie prowadzi do bardziej wydajnych i niezawodnych produkt\u00f3w ko\u0144cowych.<\/p>\n 6. Osi\u0105ganie precyzji: Tolerancja, wyko\u0144czenie powierzchni i dok\u0142adno\u015b\u0107 wymiarowa w pod\u0142o\u017cach SiC<\/h2>\nDroga od surowego bule SiC do wysokowydajnego pod\u0142o\u017ca obejmuje seri\u0119 skomplikowanych proces\u00f3w kszta\u0142towania, obr\u00f3bki i wyka\u0144czania. Osi\u0105gni\u0119cie rygorystycznych tolerancji, nienagannego wyko\u0144czenia powierzchni i precyzyjnej dok\u0142adno\u015bci wymiarowej ma zasadnicze znaczenie dla pomy\u015blnej produkcji zaawansowanych urz\u0105dze\u0144 p\u00f3\u0142przewodnikowych. Czynniki te bezpo\u015brednio wp\u0142ywaj\u0105 na jako\u015b\u0107 warstwy epitaksjalnej, rozdzielczo\u015b\u0107 fotolitograficzn\u0105 i og\u00f3ln\u0105 wydajno\u015b\u0107 urz\u0105dzenia.<\/p>\n Kluczowe parametry i osi\u0105galne specyfikacje:<\/strong><\/p>\n\n- Tolerancja \u015brednicy:<\/strong>\n
\n- Zapewnia prawid\u0142owe dopasowanie p\u0142ytek do sprz\u0119tu do przetwarzania.<\/li>\n
- Typowa tolerancja: \u00b10,1 mm do \u00b10,2 mm \u015brednicy nominalnej (np. 100 mm, 150 mm).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Tolerancja grubo\u015bci:<\/strong>\n
\n- Kluczowa dla sp\u00f3jnych w\u0142a\u015bciwo\u015bci termicznych i elektrycznych oraz dla obs\u0142ugi mechanicznej.<\/li>\n
- Typowa tolerancja: \u00b110 \u00b5m do \u00b125 \u00b5m od grubo\u015bci nominalnej (np. 350 \u00b5m, 500 \u00b5m).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Ca\u0142kowita zmienno\u015b\u0107 grubo\u015bci (TTV):<\/strong>\n
\n- Mierzy jednolito\u015b\u0107 grubo\u015bci na ca\u0142ej p\u0142ytce. Krytyczna dla jednolitego wzrostu epitaksjalnego i proces\u00f3w planaryzacji.<\/li>\n
- Osi\u0105galne warto\u015bci: < 10 \u00b5m, przy czym klasy premium d\u0105\u017c\u0105 do < 5 \u00b5m.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Bow:<\/strong>\n
\n- Wkl\u0119s\u0142o\u015b\u0107 lub wypuk\u0142o\u015b\u0107 powierzchni \u015brodkowej wolnej, niezamocowanej p\u0142ytki. Wp\u0142ywa na ogniskowanie litograficzne.<\/li>\n
- Osi\u0105galne warto\u015bci: Zazwyczaj < 30 \u00b5m, ze \u015bci\u015blejszymi specyfikacjami dla wi\u0119kszych \u015brednic lub wymagaj\u0105cych zastosowa\u0144.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Warp:<\/strong>\n
\n- R\u00f3\u017cnica mi\u0119dzy maksymaln\u0105 i minimaln\u0105 odleg\u0142o\u015bci\u0105 powierzchni \u015brodkowej od p\u0142aszczyzny odniesienia. Wskazuje og\u00f3ln\u0105 p\u0142asko\u015b\u0107 p\u0142ytki. Wp\u0142ywa na mocowanie i obs\u0142ug\u0119.<\/li>\n
- Osi\u0105galne warto\u015bci: Zazwyczaj < 40 \u00b5m.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Chropowato\u015b\u0107 powierzchni (np. Ra, Rms, Rq):<\/strong>\n
\n- Strona Si (strona polerowania):<\/strong> Jest to krytyczna powierzchnia dla wzrostu epitaksjalnego. Musi by\u0107 g\u0142adka atomowo.\n
\n- Osi\u0105galne Ra: < 0,5 nm, cz\u0119sto < 0,2 nm po chemiczno-mechanicznym polerowaniu (CMP). Niekt\u00f3re specyfikacje d\u0105\u017c\u0105 do < 0,1 nm.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Strona C (tylna strona):<\/strong> Zazwyczaj szlifowana lub docierana, mo\u017ce by\u0107 r\u00f3wnie\u017c polerowana w zale\u017cno\u015bci od zastosowania (np. dla p\u0142ytek polerowanych dwustronnie lub specyficznych wymaga\u0144 dotycz\u0105cych kontaktu termicznego). Chropowato\u015b\u0107 jest generalnie wy\u017csza ni\u017c na stronie Si.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Profil kraw\u0119dzi i odpryski:<\/strong>\n
\n- P\u0142ytki maj\u0105 zwykle zaokr\u0105glon\u0105 lub fazowan\u0105 kraw\u0119d\u017a, aby zapobiec odpryskiwaniu podczas obs\u0142ugi i przetwarzania. Profil musi by\u0107 sp\u00f3jny.<\/li>\n
- \u015acis\u0142e ograniczenia dotycz\u0105ce wielko\u015bci i liczby odprysk\u00f3w kraw\u0119dzi.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Precyzja p\u0142asko\u015bci lub naci\u0119cia orientacji<\/strong>\n
\n- P\u0142askie powierzchnie (dla mniejszych \u015brednic) lub naci\u0119cia (dla wi\u0119kszych \u015brednic, np. standard SEMI) s\u0142u\u017c\u0105 do orientacji wafla w urz\u0105dzeniach procesowych i wskazuj\u0105 orientacj\u0119 krystalograficzn\u0105.<\/li>\n
- D\u0142ugo\u015b\u0107 i tolerancja k\u0105towa tych cech s\u0105 krytyczne. Na przyk\u0142ad, tolerancja d\u0142ugo\u015bci p\u0142askiej powierzchni mo\u017ce wynosi\u0107 \u00b11 mm, a tolerancja orientacji k\u0105towej \u00b10,5\u00b0.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- P\u0142asko\u015b\u0107 powierzchni (np. STIR \u2013 Site Total Indicated Reading):<\/strong>\n
\n- Mierzy p\u0142asko\u015b\u0107 na zlokalizowanych obszarach (miejscach), gdzie b\u0119d\u0105 wytwarzane poszczeg\u00f3lne matryce. Niezwykle wa\u017cne dla litografii o cienkich liniach.<\/li>\n
- Osi\u0105galne warto\u015bci zale\u017c\u0105 od wielko\u015bci miejsca, ale mog\u0105 by\u0107 submikronowe.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Defekty powierzchniowe:<\/strong>\n
\n- Specyfikacje b\u0119d\u0105 ogranicza\u0107 liczb\u0119 i wielko\u015b\u0107 zadrapa\u0144, w\u017cer\u00f3w, plam, cz\u0105stek i innych defekt\u00f3w wizualnych na polerowanej powierzchni. Do kwantyfikacji stosuje si\u0119 zautomatyzowane systemy inspekcji.<\/li>\n
- Uszkodzenia podpowierzchniowe powsta\u0142e podczas szlifowania i docierania musz\u0105 zosta\u0107 ca\u0142kowicie usuni\u0119te w procesie CMP.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Tabela 2: Typowe specyfikacje wymiarowe i wyko\u0144czenia powierzchni dla pod\u0142o\u017cy SiC Prime<\/strong><\/p>\n\n\n\n| Parametr<\/th>\n | Typowa specyfikacja (przyk\u0142ad 150 mm N-typ 4H-SiC)<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n | \n\n| \u015arednica<\/td>\n | 150 mm \u00b1 0,2 mm<\/td>\n<\/tr>\n | \n| Grubo\u015b\u0107<\/td>\n | 350 \u00b5m \u00b1 15 \u00b5m lub 500 \u00b5m \u00b1 20 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n | \n| Orientacja p\u0142askiej powierzchni\/naci\u0119cia g\u0142\u00f3wnego<\/td>\n | Prostopad\u0142a do <11-20> \u00b1 0,5\u00b0 (lub innego okre\u015blonego kierunku)<\/td>\n<\/tr>\n | \n| K\u0105t odci\u0119cia<\/td>\n | 4,0\u00b0 \u00b1 0,25\u00b0 (w kierunku okre\u015blonym)<\/td>\n<\/tr>\n | \n| TTV<\/td>\n | < 10 \u00b5m (cz\u0119sto < 5 \u00b5m dla klasy premium)<\/td>\n<\/tr>\n | \n| Ugi\u0119cie<\/td>\n | < 30 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n | \n| Wypaczenie<\/td>\n | < 40 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n | \n| Chropowato\u015b\u0107 powierzchni Si-Face (Ra)<\/td>\n | < 0,2 nm<\/td>\n<\/tr>\n | \n| G\u0119sto\u015b\u0107 mikrorur (MPD)<\/td>\n | < 0,5 cm-2<\/sup> (lub okre\u015blona przez klas\u0119)<\/td>\n<\/tr>\n\n| Wykluczenie kraw\u0119dzi<\/td>\n | 3 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n Osi\u0105gni\u0119cie tych rygorystycznych specyfikacji wymaga zaawansowanego sprz\u0119tu metrologicznego i solidnej kontroli proces\u00f3w w ca\u0142ym \u0142a\u0144cuchu produkcji pod\u0142o\u017cy. Dla kierownik\u00f3w ds. zaopatrzenia i nabywc\u00f3w technicznych istotne jest jasne zdefiniowanie tych wymaga\u0144 u dostawcy, aby zapewni\u0107, \u017ce pod\u0142o\u017ca spe\u0142niaj\u0105 wymagania ich specyficznych linii produkcyjnych i projekt\u00f3w urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n 7. Niezb\u0119dne potrzeby w zakresie obr\u00f3bki ko\u0144cowej dla wysokiej jako\u015bci pod\u0142o\u017cy SiC<\/h2>\nPo wst\u0119pnym ci\u0119ciu bu\u0142 SiC i wst\u0119pnym kszta\u0142towaniu (szlifowaniu i docieraniu) wafla, koniecznych jest kilka krytycznych etap\u00f3w obr\u00f3bki ko\u0144cowej, aby przekszta\u0142ci\u0107 je w wysokiej jako\u015bci pod\u0142o\u017ca \u201egotowe do epitaksji\u201d. Kroki te maj\u0105 na celu uzyskanie rygorystycznego wyko\u0144czenia powierzchni, czysto\u015bci i tolerancji wymiarowych wymaganych do pomy\u015blnego wzrostu epitaksjalnego i produkcji urz\u0105dze\u0144.<\/p>\n Kluczowe etapy obr\u00f3bki ko\u0144cowej obejmuj\u0105:<\/p>\n \n- Polerowanie chemiczno-mechaniczne (CMP):<\/strong>\n
\n- Jest to prawdopodobnie najwa\u017cniejszy etap obr\u00f3bki ko\u0144cowej dla uzyskania atomowo g\u0142adkiej i wolnej od uszkodze\u0144 powierzchni na powierzchni Si (a czasem C) pod\u0142o\u017ca SiC.<\/li>\n
- CMP obejmuje polerowanie wafla za pomoc\u0105 zawiesiny chemicznej (zawieraj\u0105cej cz\u0105stki \u015bcierne i odczynniki chemiczne) i podk\u0142adki polerskiej. Proces \u0142\u0105czy \u015bcieranie mechaniczne z trawieniem chemicznym w celu usuni\u0119cia materia\u0142u.<\/li>\n
- Cel:<\/strong> Aby wyeliminowa\u0107 uszkodzenia podpowierzchniowe powsta\u0142e w wyniku wcze\u015bniejszego szlifowania i docierania, zmniejszy\u0107 chropowato\u015b\u0107 powierzchni do poziomu angstrom\u00f3w (np. Ra < 0,2 nm) i uzyska\u0107 doskona\u0142\u0105 p\u0142asko\u015b\u0107 powierzchni.<\/li>\n
- Do uzyskania ostatecznego po\u017c\u0105danego wyko\u0144czenia mo\u017cna u\u017cy\u0107 wielu etap\u00f3w CMP z r\u00f3\u017cnymi zawiesinami i podk\u0142adkami.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Zaawansowane procesy czyszczenia:<\/strong>\n
\n- Po CMP i innych etapach obs\u0142ugi, pod\u0142o\u017ca musz\u0105 przej\u015b\u0107 rygorystyczne czyszczenie w celu usuni\u0119cia wszelkich pozosta\u0142ych cz\u0105stek zawiesiny, zanieczyszcze\u0144 metalicznych, pozosta\u0142o\u015bci organicznych i innych zanieczyszcze\u0144.<\/li>\n
- Sekwencje czyszczenia cz\u0119sto obejmuj\u0105 wiele etap\u00f3w, w tym:\n
\n- Czyszczenie rozpuszczalnikiem (np. acetonem, IPA).<\/li>\n
- Roztwory kwasowe (np. trawienie Piranha (H2<\/sub>SO4<\/sub> + H2<\/sub>O2<\/sub>), SC-2 (HCl + H2<\/sub>O2<\/sub> + H2<\/sub>O)) w celu usuni\u0119cia zanieczyszcze\u0144 organicznych i metalicznych.<\/li>\n
- Roztwory alkaliczne (np. SC-1 (NH4<\/sub>OH + H2<\/sub>O2<\/sub> + H2<\/sub>O)) w celu usuni\u0119cia cz\u0105stek.<\/li>\n
- P\u0142ukanie i suszenie wod\u0105 DI (np. suszenie wirowe, suszenie Marangoni).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Celem jest uzyskanie wolnej od cz\u0105stek, atomowo czystej powierzchni, cz\u0119sto weryfikowanej za pomoc\u0105 technik takich jak inspekcja powierzchni rozpraszania \u015bwiat\u0142a.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Inspekcja powierzchni i metrologia:<\/strong>\n
\n- W trakcie i po obr\u00f3bce ko\u0144cowej przeprowadzana jest obszerna inspekcja i metrologia.<\/li>\n
- Zautomatyzowane skanery powierzchni:<\/strong> Narz\u0119dzia takie jak KLA-Tencor Candela lub Surfscan s\u0142u\u017c\u0105 do wykrywania i mapowania cz\u0105stek, zadrapa\u0144, w\u017cer\u00f3w i innych defekt\u00f3w powierzchni z du\u017c\u0105 czu\u0142o\u015bci\u0105.<\/li>\n
- Mikroskopia si\u0142 atomowych (AFM):<\/strong> S\u0142u\u017cy do kwantyfikacji chropowato\u015bci powierzchni w nanoskali i obrazowania morfologii powierzchni.<\/li>\n
- Dyfrakcja rentgenowska (XRD) \/ Topografia rentgenowska (XRT):<\/strong> Aby zweryfikowa\u0107 orientacj\u0119 kryszta\u0142u, k\u0105t odci\u0119cia i oceni\u0107 jako\u015b\u0107 krystaliczn\u0105 (np. g\u0119sto\u015b\u0107 defekt\u00f3w, napr\u0119\u017cenie).<\/li>\n
- Mikroskopia optyczna:<\/strong> Do wizualnej inspekcji defekt\u00f3w, jako\u015bci kraw\u0119dzi i znak\u00f3w laserowych.<\/li>\n
- Systemy pomiaru grubo\u015bci, TTV, Bow, Warp:<\/strong> Aby upewni\u0107 si\u0119, \u017ce parametry wymiarowe mieszcz\u0105 si\u0119 w specyfikacji.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Obr\u00f3bka tylnej strony (opcjonalna, ale powszechna):<\/strong>\n
\n- Podczas gdy prz\u00f3d (strona Si) otrzymuje najwi\u0119cej uwagi, ty\u0142 (strona C) mo\u017ce r\u00f3wnie\u017c przej\u015b\u0107 specyficzn\u0105 obr\u00f3bk\u0119.<\/li>\n
- Szlifowanie\/docieranie tylnej strony:<\/strong> Aby uzyska\u0107 docelow\u0105 grubo\u015b\u0107 i poprawi\u0107 r\u00f3wnoleg\u0142o\u015b\u0107 tylnej strony.<\/li>\n
- Polerowanie tylnej strony:<\/strong> Do zastosowa\u0144 wymagaj\u0105cych wafla polerowanego dwustronnie (DSP) lub poprawionego kontaktu termicznego.<\/li>\n
- Metalizacja tylnej strony:<\/strong> W niekt\u00f3rych przypadkach warstwa metalu (np. Ti\/Ni\/Ag) mo\u017ce by\u0107 osadzana na tylnej stronie pod\u0142o\u017cy przewodz\u0105cych w celu u\u0142atwienia tworzenia kontaktu omowego lub poprawy mocowania matrycy podczas pakowania urz\u0105dzenia. Zazwyczaj robi to producent urz\u0105dzenia, ale czasami mo\u017ce by\u0107 oferowane jako us\u0142uga na poziomie pod\u0142o\u017ca.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Znakowanie laserowe:<\/strong>\n
\n- Znaczniki laserowe w standardzie SEMI lub niestandardowe s\u0105 nak\u0142adane na wafelek (zazwyczaj na tylnej stronie lub w strefie wykluczenia kraw\u0119dzi przedniej strony) w celu identyfikacji i identyfikowalno\u015bci w ca\u0142ym procesie produkcji. Proces znakowania musi by\u0107 czysty i nie powodowa\u0107 napr\u0119\u017ce\u0144 ani cz\u0105stek.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Profilowanie kraw\u0119dzi\/fazowanie:<\/strong>\n
\n- Zapewnia g\u0142adkie, zaokr\u0105glone kraw\u0119dzie, aby zminimalizowa\u0107 odpryski podczas obs\u0142ugi i przetwarzania, co mo\u017ce by\u0107 \u017ar\u00f3d\u0142em generowania cz\u0105stek.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Ostateczne czyszczenie i pakowanie:<\/strong>\n
\n- Ostatni etap czyszczenia jest wykonywany przed zapakowaniem pod\u0142o\u017cy w sp
","protected":false},"excerpt":{"rendered":"Pod\u0142o\u017ca SiC: Podstawa zaawansowanej technologii W szybko rozwijaj\u0105cym si\u0119 krajobrazie zaawansowanej technologii zapotrzebowanie na materia\u0142y, kt\u00f3re wytrzymuj\u0105 ekstremalne warunki i zapewniaj\u0105 doskona\u0142\u0105 wydajno\u015b\u0107, jest najwa\u017cniejsze. Pod\u0142o\u017ca z w\u0119glika krzemu (SiC) sta\u0142y si\u0119 krytycznym materia\u0142em umo\u017cliwiaj\u0105cym, szczeg\u00f3lnie w bran\u017cach przesuwaj\u0105cych granice innowacji. Od elektroniki du\u017cej mocy po najnowocze\u015bniejsze lotnictwo\u2026<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":2345,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_gspb_post_css":"","_kad_blocks_custom_css":"","_kad_blocks_head_custom_js":"","_kad_blocks_body_custom_js":"","_kad_blocks_footer_custom_js":"","_kad_post_transparent":"","_kad_post_title":"","_kad_post_layout":"","_kad_post_sidebar_id":"","_kad_post_content_style":"","_kad_post_vertical_padding":"","_kad_post_feature":"","_kad_post_feature_position":"","_kad_post_header":false,"_kad_post_footer":false,"_kad_post_classname":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-2530","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-uncategorized"],"acf":{"en_gb-title":"","en_gb-meta":"","ja-title":"","ja-meta":"","ja-content":"","ko-title":"","ko-meta":"","ko-content":"","nl-title":"","nl-meta":"","nl-content":"","es-title":"","es-meta":"","es-content":"","ru-title":"","ru-meta":"","ru-content":"","tr-title":"","tr-meta":"","tr-content":"","pl-title":"","pl-meta":"","pl-content":"","pt-title":"","pt-meta":"","pt-content":"","de-title":"","de-meta":"","de-content":"","fr-title":"","fr-meta":"","fr-content":""},"taxonomy_info":{"category":[{"value":1,"label":"Uncategorized"}]},"featured_image_src_large":["https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/05\/Custom-Silicon-Carbide-Products-7_1-1.jpg",1024,1024,false],"author_info":{"display_name":"yiyunyinglucky","author_link":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/author\/yiyunyinglucky\/"},"comment_info":14,"category_info":[{"term_id":1,"name":"Uncategorized","slug":"uncategorized","term_group":0,"term_taxonomy_id":1,"taxonomy":"category","description":"","parent":0,"count":794,"filter":"raw","cat_ID":1,"category_count":794,"category_description":"","cat_name":"Uncategorized","category_nicename":"uncategorized","category_parent":0}],"tag_info":false,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2530","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2530"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2530\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4945,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2530\/revisions\/4945"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2345"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2530"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2530"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/pl\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2530"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}} | | |