Apparatuur voor gloeien op wafer-niveau en ionenimplantatie voor SiC-apparaatactivering en optimalisatie van juncties
Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 Apparatuur voor wafer-level annealing en ionenimplantatie zijn de belangrijkste enablers van de productie van hoogwaardige siliciumcarbide (SiC)-apparaten. Ionenimplantatie definieert precieze dopingprofielen voor source/drain-, body- en junction termination extension (JTE)-gebieden, terwijl annealing bij hoge temperaturen geïmplanteerde doteringsmiddelen activeert, roosterbeschadigingen repareert en interface-eigenschappen stabiliseert voor lage on-weerstand (RDS(on)) en...

