Toleranties:

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025. Hoogfrequente, high-density siliciumcarbide (SiC) DC-voedingssystemen integreren SiC MOSFET's en diodes met geavanceerde magnetische componenten, digitale besturing en robuuste thermische verpakking om compacte, efficiënte DC-conversie te leveren voor telecomlocaties, edge computing-knooppunten en industriële DC-grids. Betrouwbaar werken bij verhoogde omgevingstemperaturen en onder netstoringen die vaak voorkomen...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 Siliciumcarbide (SiC) online UPS-convertormodules zijn vooraf ontworpen vermogenstrappen waarin SiC MOSFET's/diodes, magneten met hoge dichtheid, digitale besturing en geavanceerd thermisch beheer zijn geïntegreerd om continue, dubbele conversiebescherming te bieden voor bedrijfskritische belastingen. Vergeleken met UPS-ontwerpen op basis van silicium bereiken SiC-modules een hoger rendement bij zowel volle als lichte belasting, snellere...

S. Koreaanse SiC-producten voor uw succes In het snel evoluerende industriële landschap van vandaag&#8217 is de vraag naar materialen die bestand zijn tegen extreme omstandigheden en superieure prestaties leveren van het grootste belang. Onder deze vraag vallen **op maat gemaakte siliciumcarbide (SiC) producten** op als een game-changer, die ongeëvenaarde eigenschappen bieden voor een breed scala aan kritische toepassingen. Deze blogpost gaat in op…

Glasindustrie: SiC voor stabiliteit en controle bij hoge temperaturen De glasindustrie opereert onder enkele van de meest veeleisende thermische en mechanische omstandigheden die in de productie worden aangetroffen. Nauwkeurige temperatuurregeling bereiken, de levensduur van apparatuur garanderen en de zuiverheid van glas handhaven zijn van het grootste belang. Siliciumcarbide (SiC) is naar voren gekomen als een cruciaal geavanceerd keramisch materiaal dat ongeëvenaarde prestaties biedt in omgevingen met hoge temperaturen,...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 SiC hittespreidersubstraten op chipniveau zijn keramische componenten die direct onder halfgeleiderchips of in vermogensmodules worden geplaatst om warmte te geleiden en zijdelings te verspreiden, waardoor thermische gradiënten en piektemperaturen van juncties worden verlaagd. Door gebruik te maken van reactiegebonden SiC (RBSiC), drukloos/vast gesinterd SiC (SSiC), of SiSiC hybriden, leveren deze substraten een hoge warmtegeleiding,...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 SiC Power Factor Correction (PFC) regelmodules zijn vooraf ontworpen controle- en vermogenstrappen die siliciumcarbide MOSFET's/diodes koppelen aan digitale regeling, detectie en bescherming om >99% power factor (PF) en <3% totale harmonische vervorming (THD) te leveren over een breed belastingsbereik. Ze vormen de hoeksteen van zeer efficiënte front-end gelijkrichters in UPS, VFD,...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 Hoogspanningsmodules van siliciumcarbide (SiC) maken compacte, efficiënte en robuuste conversie mogelijk bij DC-linkspanningen van kilovoltklasse voor middenspanningsaandrijvingen, tractieomvormers en netgekoppelde omvormers. Door gebruik te maken van 1200-3300 V SiC MOSFET's en diodes in geavanceerde pakketten met AlN/Si3N4 DBC, silver-sinter die attach en low-inductance busbars, leveren deze modules hoge...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025. Siliciumcarbide (SiC) Schottky-diodes zijn unipolaire gelijkrichters met bijna nul reverse recovery charge (Qrr), waardoor ultrasnel, verliesarm schakelen mogelijk is in power factor correction (PFC)-fasen en geschakelde voedingen (SMPS). In tegenstelling tot silicium ultrasnelle/snelle herstel diodes, elimineren SiC Schottky-devices de reverse recovery tail current, waardoor de schakelverliezen en elektromagnetische interferentie (EMI) drastisch worden verminderd...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025. Siliciumcarbide (SiC) device burn-in en geautomatiseerde testapparatuur (ATE) bieden de omgevingen met hoge temperatuur en hoge spanning die nodig zijn om vroegtijdige uitval te screenen en de levensduur onder zware omstandigheden te verifiëren. In vergelijking met traditioneel silicium vereisen de hogere elektrische veldsterkte en verhoogde junctietemperaturen van SiC gespecialiseerde ovens, spanningsbelastingsarmaturen, parametrische meeteenheden,...