Auteur: yiyunyinglucky

Glasindustrie: SiC voor stabiliteit en controle bij hoge temperaturen De glasindustrie opereert onder enkele van de meest veeleisende thermische en mechanische omstandigheden die in de productie worden aangetroffen. Nauwkeurige temperatuurregeling bereiken, de levensduur van apparatuur garanderen en de zuiverheid van glas handhaven zijn van het grootste belang. Siliciumcarbide (SiC) is naar voren gekomen als een cruciaal geavanceerd keramisch materiaal dat ongeëvenaarde prestaties biedt in omgevingen met hoge temperaturen,...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 SiC hittespreidersubstraten op chipniveau zijn keramische componenten die direct onder halfgeleiderchips of in vermogensmodules worden geplaatst om warmte te geleiden en zijdelings te verspreiden, waardoor thermische gradiënten en piektemperaturen van juncties worden verlaagd. Door gebruik te maken van reactiegebonden SiC (RBSiC), drukloos/vast gesinterd SiC (SSiC), of SiSiC hybriden, leveren deze substraten een hoge warmtegeleiding,...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 SiC Power Factor Correction (PFC) regelmodules zijn vooraf ontworpen controle- en vermogenstrappen die siliciumcarbide MOSFET's/diodes koppelen aan digitale regeling, detectie en bescherming om >99% power factor (PF) en <3% totale harmonische vervorming (THD) te leveren over een breed belastingsbereik. Ze vormen de hoeksteen van zeer efficiënte front-end gelijkrichters in UPS, VFD,...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 Hoogspanningsmodules van siliciumcarbide (SiC) maken compacte, efficiënte en robuuste conversie mogelijk bij DC-linkspanningen van kilovoltklasse voor middenspanningsaandrijvingen, tractieomvormers en netgekoppelde omvormers. Door gebruik te maken van 1200-3300 V SiC MOSFET's en diodes in geavanceerde pakketten met AlN/Si3N4 DBC, silver-sinter die attach en low-inductance busbars, leveren deze modules hoge...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025. Siliciumcarbide (SiC) Schottky-diodes zijn unipolaire gelijkrichters met bijna nul reverse recovery charge (Qrr), waardoor ultrasnel, verliesarm schakelen mogelijk is in power factor correction (PFC)-fasen en geschakelde voedingen (SMPS). In tegenstelling tot silicium ultrasnelle/snelle herstel diodes, elimineren SiC Schottky-devices de reverse recovery tail current, waardoor de schakelverliezen en elektromagnetische interferentie (EMI) drastisch worden verminderd...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025. Siliciumcarbide (SiC) device burn-in en geautomatiseerde testapparatuur (ATE) bieden de omgevingen met hoge temperatuur en hoge spanning die nodig zijn om vroegtijdige uitval te screenen en de levensduur onder zware omstandigheden te verifiëren. In vergelijking met traditioneel silicium vereisen de hogere elektrische veldsterkte en verhoogde junctietemperaturen van SiC gespecialiseerde ovens, spanningsbelastingsarmaturen, parametrische meeteenheden,...

SiC-leveranciers in Rusland vinden en screenen: Een uitgebreide gids voor B2B kopers In het zich ontwikkelende landschap van geavanceerde materialen onderscheiden op maat gemaakte siliciumcarbide (SiC) producten zich door hun uitzonderlijke eigenschappen, waardoor ze onmisbaar zijn in hoogwaardige industriële toepassingen. Omdat industrieën wereldwijd steeds meer materialen vragen die extreme omstandigheden kunnen weerstaan, is de zoektocht naar betrouwbare en technisch…

SiC stimuleert innovaties in hernieuwbare energietechnologie De wereldwijde verschuiving naar duurzame energiebronnen heeft hernieuwbare energietechnologieën in de voorhoede van innovatie geplaatst. Nu industrieën streven naar meer efficiëntie, betrouwbaarheid en prestaties in zonne-, wind- en energieopslagsystemen, spelen geavanceerde materialen een steeds crucialere rol. Onder deze materialen is siliciumcarbide (SiC) naar voren gekomen als...

Productoverzicht en relevantie voor de markt in 2025 De verpakking van siliciumcarbide (SiC) apparaten en thermische beheersystemen bepalen de prestaties, levensduur en veiligheid van hoogfrequente vermogensomzetters in de praktijk. Naast de halfgeleider zelf, bepalen de aanhechting van de matrijs, het substraat, de interconnecties, de inkapseling en het warmteafvoerpad of de apparatuur gedijt in de hete, stoffige en netvariabele industriële omstandigheden van Pakistan. Sicarb Tech ontwerpt...