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2025년 제품 개요 및 파키스탄 시장 관련성 고온, 고신뢰성 탄화규소(SiC) 전력 시스템은 엄격한 자격에 따라 달라집니다. HTOL(고온 작동 수명), 전력 사이클링, H3TRB(고가속 온도 및 습도) 및 서지/단락 견고성을 위해 특별히 제작된 SiC 전력 모듈 테스트 및 번인 장비는 UPS, VFD, 정류기 및 마이크로그리드 컨버터가 까다로운 가동 시간 목표를 충족하도록 보장합니다.

2025년 제품 개요 및 파키스탄 시장 관련성 탄화규소(SiC) 고주파 정류기 브리지 어셈블리는 SiC 쇼트키 다이오드와 최적화된 열-기계적 패키징을 결합하여 소형 전원 공급 장치, 가변 주파수 드라이브(VFD) 프런트 엔드 및 UPS 정류기를 위한 초고효율 AC-DC 프런트 엔드를 만듭니다. 기존 실리콘 브리지와 비교하여 SiC 브리지는 무시할 수 없는 역 회복, 낮은 전도 손실 및

맞춤형 엔지니어링 SiC 솔루션을 위한 일본 핵심 산업 전반에서 최고의 성능과 내구성을 끊임없이 추구하는 상황에서 맞춤형 실리콘 카바이드(SiC) 제품은 필수 불가결한 요소로 부상했습니다. 반도체 제조의 미세한 복잡성부터 항공우주 추진의 극한 요구사항까지, SiC의 고유한 특성은 비교할 수 없는 이점을 제공합니다. 이 블로그 게시물에서는 SiC의…

마이크로일렉트로닉스: SiC 내부의 힘 소개 맞춤형 실리콘 카바이드를 통한 반도체 혁명 보다 효율적이고 강력하며 컴팩트한 전자 시스템을 끊임없이 추구하는 마이크로전자 산업은 첨단 소재의 등장으로 인해 중대한 변화의 정점에 서 있습니다. 그 중에서도 실리콘 카바이드(SiC)가 선두 주자로 떠오르고 있습니다;

Pakistan’s steel, cement, glass, and emerging industrial sectors are entering 2025 with a sharpened focus on energy efficiency, measurement stability, and maintenance predictability. The common ground is heat: reheating and annealing furnaces, roller-hearth kilns, preheaters, and waste-heat recovery sections must deliver high, uniform heat flux with minimal pressure drop and long service intervals. Traditional alloy…

2025년 제품 개요 및 파키스탄 시장 관련성 UPS 지능형 제어 및 진단 모듈은 최신 탄화규소 기반 전력 시스템의 디지털 핵심입니다. 정류기-인버터 작동을 조정하고, 배터리 및 양방향 컨버터를 관리하며, 예측 유지보수, 사이버 보안 및 표준 기반 통신을 제공합니다. 파키스탄의 섬유, 시멘트 및 강철 산업에서 그리드는 전압 강하, 고조파 및 계획된

2025년 제품 개요 및 파키스탄 시장 관련성 고온, 고속 탄화규소(SiC) 게이트 드라이버 보드는 SiC 전력 모듈과 제어 시스템 간의 임무에 중요한 인터페이스입니다. 강화 절연, 정밀 감쇠(DESAT) 단락 보호 및 dv/dt 경화 레이아웃으로 설계된 이 드라이버는 UPS, 중전압(MV) 드라이브에 사용되는 1200–1700V SiC MOSFET의 전체 성능을 발휘합니다.

2025년 제품 개요 및 파키스탄 시장 관련성 탄화규소(SiC) 양방향 컨버터 모듈은 배터리, DC 버스 및 AC 그리드 간의 고효율 전력 흐름을 가능하게 하여 최신 배터리 에너지 저장 시스템(BESS) 및 마이크로그리드의 핵심을 형성합니다. 1200–1700V SiC MOSFET 및 쇼트키 다이오드를 기반으로 구축된 이 모듈은 초저 스위칭 손실, 빠른 과도 응답을 제공합니다.

파키스탄용 2025년 제품 개요 및 시장 관련성 실리콘 카바이드(SiC) 3레벨 중성점 클램핑(NPC) 인버터 전력 스테이지는 파키스탄의 섬유, 시멘트, 철강 및 신흥 산업 부문에서 사용되는 중전압(MV) 모터 드라이브 및 그리드 연결 컨버터에 고효율, 고주파 변환을 제공합니다. 최적화된 3레벨 토폴로지(NPC/T-NPC/ANPC)에서 1200–1700V SiC MOSFET/다이오드를 결합하여 이러한 스테이지는 더 낮은…