SiC基板：電子デバイスの進歩への鍵

はじめに：SiC基板の重要な役割

高性能産業用途が急速に進化する中で、材料科学は重要な役割を果たしています。先進材料の中でも、炭化ケイ素（SiC）は際立っており、特にSiC基板の形で注目されています。これらの基板は単なる基礎層ではなく、次世代電子デバイスの重要なイネーブラーであり、過酷な環境下でも比類のない性能を提供します。電気自動車の動力源から先進的なレーダーシステムの実現まで、SiC基板は技術革新の最前線に立っています。その独自の電気的および物理的特性の組み合わせにより、より高い効率性、信頼性、および電力密度を追求する業界にとって不可欠なものとなっています。

カスタム炭化ケイ素基板は、半導体デバイスが製造されるエンジニアリングウェーハであり、通常は単結晶です。その重要性は、従来のシリコン（Si）基板と比較して、より高い温度、電圧、および周波数で動作できることに由来します。これにより、性能と回復力が最重要となる用途に不可欠です。産業界が技術の限界を押し広げるにつれて、高品質でカスタマイズ可能なSiC基板の需要は増加し続け、その製造と用途におけるイノベーションを推進しています。

主な用途：産業を支えるSiC基板

SiC基板の優れた特性により、さまざまなハイステークス産業で採用されています。デバイス性能の向上、エネルギー消費量の削減、およびシステムの信頼性の向上能力により、ゲームチェンジャーとなっています。

• 半導体： SiC基板は、MOSFET、ショットキーダイオード、JFETなどのパワー半導体デバイスの製造に不可欠です。これらのデバイスは、電源、インバーター、コンバーターに不可欠であり、より高い効率と電力密度を提供します。
• 自動車： 電気自動車（EV）革命は、SiC技術に大きく依存しています。EVインバーター、車載充電器、DC-DCコンバーターにおけるSiCベースのパワーモジュールは、走行距離の増加、充電時間の短縮、およびシステムサイズと重量の削減につながります。
• 航空宇宙および防衛： 航空宇宙および防衛分野では、SiC基板は、高温や放射線曝露などの過酷な動作条件下でのレーダーシステム、アビオニクス、および電力管理のための堅牢で信頼性の高い電子機器を可能にします。
• パワーエレクトロニクス 自動車以外にも、パワーエレクトロニクスメーカーは、産業用モータードライブ、無停電電源装置（UPS）、および高電圧直流（HVDC）送電システムにSiC基板を利用し、大幅な省エネを実現しています。
• 再生可能エネルギー: 高品質基板上に構築されたSiCデバイスは、太陽光発電インバーターおよび風力タービンコンバーターにおける効率的な電力変換に不可欠であり、エネルギーハーベスティングとグリッド統合を最大化します。
• LED製造： GaN-on-SiCは一般的ですが、SiC基板自体（多くの場合、成長テンプレートとして、または高出力LED用として）は、優れた熱管理を提供し、高出力LED照明の寿命と明るさに不可欠です。
• 電気通信： 5Gおよび将来の通信ネットワークでは、SiC基板は、高周波（RF）電力増幅器やその他の高周波デバイスに使用され、より高い帯域幅と効率を可能にします。

この幅広い採用は、現代技術における高純度SiC基板の多様性と重要な重要性を強調しています。

なぜカスタム炭化ケイ素基板を選ぶのか？

標準的なSiC基板も利用可能ですが、カスタムSiC基板製造は、特定の用途のニーズに合わせて材料特性と仕様を調整できるという明確な利点を提供します。このカスタマイズにより、特殊な電子デバイスの最適な性能と信頼性が実現します。

主な利点は次のとおりです。

• 最適化された電気的特性： カスタマイズにより、デバイス性能に不可欠な特定のドーピング濃度（n型、p型）と抵抗率レベルが可能になります。たとえば、半絶縁性SiC基板は、高周波RFデバイスに不可欠であり、導電性基板はパワーデバイスに必要です。
• 調整された結晶方位： 特定のデバイス層のエピタキシャル成長には、さまざまな結晶方位（たとえば、4°オフ軸4H-SiC）が好まれ、欠陥密度とデバイス特性に影響を与えます。カスタマイズにより、用途に最適な方位が保証されます。
• 特定の欠陥密度制御： 高出力および高周波デバイスでは、マイクロパイプ（MPD）やねじれ転位（TSD）などの欠陥を最小限に抑えることが重要です。カスタムサプライヤーは、保証された低欠陥密度のグレードを提供できることがよくあります。
• 寸法および幾何学的精度： 用途によっては、非標準の直径、厚さ、または平坦度（TTV）が必要になる場合があります。カスタマイズにより、これらの独自の幾何学的ニーズに対応し、既存の製造ラインまたは新しいデバイス設計との互換性が確保されます。
• 表面品質と仕上げ： 高品質のエピタキシャル層成長には、最小限の内部損傷と制御された粗さ（Ra）を備えた、“エピ対応”と呼ばれる優れた表面仕上げが不可欠です。カスタマイズにより、これらの表面を実現するための特定の研磨および洗浄プロセスが可能になります。
• 熱管理の強化： SiC固有の高い熱伝導率は大きな利点です。カスタム基板は、高出力モジュールでの放熱を最大化するために、厚さと取り付けに関する考慮事項を最適化できます。

カスタムSiC基板を選択することで、企業は製品の性能を向上させ、歩留まりを向上させ、要求の厳しい市場で競争力を獲得できます。カスタマイズが特定のプロジェクトにどのように役立つかについて詳しく知りたい場合は、 カスタマイズサポートオプション.

推奨されるSiC基板グレードとタイプ

炭化ケイ素は多くの異なるポリモルフ（ポリタイプ）で結晶化しますが、電子用途ではいくつかのものが優勢です。これらのグレードを理解することは、適切な基板を選択するための鍵となります。

SiCポリタイプ/グレード	主要物件	主なアプリケーション
Q1：SiCディスクが高温アプリケーションに特に適しているのはなぜですか？	広いバンドギャップ（〜3.26 eV）、高い電子移動度、高い電界強度、高い熱伝導率。N型および半絶縁性として利用可能。	高出力電子機器（MOSFET、SBD）、高周波デバイス、高温センサー。パワーデバイスで最も一般的なポリタイプ。
炭化ケイ素ディスクは、独自の特性の組み合わせにより、高温環境で優れた性能を発揮します。	広いバンドギャップ（〜3.03 eV）、成熟した製造技術、良好な熱伝導率。N型および半絶縁性として利用可能。	歴史的に青色LEDおよび一部のパワーデバイスに使用されていましたが、高性能パワーアプリケーションでは4H-SiCにほぼ取って代わられましたが、特定のニッチ分野ではまだ使用されています。
N型SiC基板	過剰な電子を生成するために窒素（または場合によってはリン）をドープ。さまざまな抵抗範囲で利用可能。	基板自体がドレインまたはカソード接点として機能し、電流が垂直に流れる垂直パワーデバイス（MOSFET、ダイオード）。
半絶縁性（SI）SiC基板	高い抵抗率（通常1E5 Ω-cm）で、バナジウムのドーピングや固有の高純度によって達成されることが多い。	RFパワーアンプ（例：GaN-on-SiC HEMT）、高周波デバイス、および基板からの能動層の電気的絶縁が重要な一部の高電圧デバイス。
高純度半絶縁性（HPSI）SiC基板	意図的なバナジウムドーピングに頼らず、本質的な欠陥と不純物の慎重な制御に依存して、高抵抗率を実現します。特定のRFアプリケーションでより優れたパフォーマンスを提供します。	高度なRFデバイス、バナジウムの拡散が懸念される可能性のある高感度高周波アプリケーション。

SiCグレードとタイプの選択は、デバイスの性能、信頼性、およびコストに直接影響する重要な設計上の決定です。動作電圧、周波数、温度、および目的のデバイスアーキテクチャなどの要因は、最適な基板を決定します。たとえば、4H-N SiC基板は、ほとんどのパワーMOSFETおよびショットキーダイオードの主力製品であり、4H-SI SiC基板は、RFアプリケーションのGaN HEMTエピタキシーに好まれます。

SiC基板の設計上の考慮事項

SiC基板でデバイスを設計するには、最適な性能と製造可能性を確保するために、さまざまな材料および製造パラメータを慎重に検討する必要があります。これらの考慮事項は、ポリタイプと導電率タイプだけにとどまりません。

• 直径と厚さ： SiC基板は、100mm（4インチ）、150mm（6インチ）などの直径で一般的に利用でき、200mm（8インチ）がより普及しています。厚さは通常350µmから500µmの範囲ですが、カスタマイズできます。直径が大きくなると、デバイス製造の規模の経済性が得られますが、欠陥密度が高くなったり、反りが発生したりする可能性があります。
• 結晶方位とオフカット角： 4H-SiCの場合、一般的なオフカット角は、高品質のステップフローエピタキシャル成長を促進し、特定のタイプの欠陥を減らすために、<11-20>方向に対して4°または8°です。特定のオフカット角は、エピ層の品質とデバイスの性能に影響を与える可能性があります。
• マイクロパイプ密度（MPD）： マイクロパイプは、結晶を伝播する中空コアのねじれ転位です。これらは、ほとんどのパワーデバイスにとって致命的な欠陥です。基板は、最大MPD、通常<1 cmで指定されています。^-2 プライムグレードの場合。
• その他の転位密度： ねじれ転位（TSD）と基底面転位（BPD）も、デバイスの歩留まりと長期的な信頼性に影響を与える可能性があります。低い密度が常に好ましいです。
• 抵抗率の均一性： 導電性基板の場合、ウェーハ全体での均一な抵抗率は、一貫したデバイス特性にとって重要です。半絶縁性基板の場合、高抵抗率を均一に維持することが重要です。
• 表面粗さ（RaまたはRq）： その後のエピタキシャル成長には、非常に滑らかな「エピ対応」表面が必要です。一般的なRa値は<0.5 nmで、多くの場合、化学機械研磨（CMP）後には<0.2 nmです。
• 全厚さ変動（TTV）、そり、および反り： これらの幾何学的パラメータは、基板の平坦度を表します。フォトリソグラフィおよびその他のウェーハ処理手順には、厳密な制御が必要です。一般的なTTV値は<10µmです。
• エッジ除外： ウェーハの周囲の小さな領域は、欠陥率が高いか、処理の不整合があるため、通常、デバイス製造から除外されます。
• 裏面処理： 基板の裏面には、オーム性コンタクト用の金属化やウェーハハンドリング用の特定の粗さなど、特定の処理が必要な場合があります。

知識豊富なSiC基板サプライヤーとの早期の連携は、これらの設計上の考慮事項をナビゲートするのに役立ち、選択した基板が目的のデバイス構造と処理能力に合致するようにします。

SiC基板における公差、表面仕上げ、寸法精度

SiCデバイス製造、特にエピタキシャル成長の重要なステップの成功は、SiCウェーハの厳格な許容誤差、優れた表面仕上げ、および正確な寸法精度にかかっています。これらのパラメータは、基板製造中に細心の注意を払って制御されます。

主要パラメータと達成可能な仕様：

• 全厚さ変動（TTV）： これは、ウェーハ全体の最大厚さと最小厚さの差を測定します。高品質の基板の場合、TTVは通常<10 µmに制御され、プレミアムグレードでは<5 µmが達成されます。低いTTVは、均一な熱接触と一貫したリソグラフィに不可欠です。
• そり： そりは、クランプされていない自由ウェーハの中央表面の凹面または凸面を定量化します。直径と厚さにもよりますが、通常は30〜50 µm未満に保たれます。
• 反り： 反りは、中央表面の基準面からのずれを測定し、凹面と凸面の両方の特徴を包含します。そりと同様に、ハンドリングと処理に不可欠であり、一般的な値も数十ミクロンの範囲です。
• 表面粗さ（Ra、Rq、Rms）：
  • Ra（平均粗さ）： エピ対応基板のSi面の場合、通常<0.5 nmです。値<0.2 nmが達成されることがよくあります。
  • RqまたはRms（二乗平均平方根粗さ）： 表面テクスチャのより敏感な尺度を提供します。また、通常はサブナノメートルの範囲です。

  傷、ピット、および表面下の損傷のない非常に滑らかな表面は、欠陥密度の低い高品質のエピタキシャル層を成長させるために不可欠です。

• エッジプロファイルとチップ： 制御されたエッジ研削と面取りは、ハンドリングと処理中のウェーハの欠けを防ぎます。仕様では、許容されるエッジチップのサイズと数を通常制限します。
• 平坦度（例：SFQR – サイトフロント最小二乗範囲）： リソグラフィの場合、ウェーハ上の特定の領域（サイト）の局所的な平坦度が重要です。SFQR値は、要求の厳しいアプリケーションでよく指定されます。
• 結晶方位精度： 結晶方位を示す一次および二次フラット（またはノッチ）の精度は非常に高く、通常±0.1°から±0.5°の範囲でなければなりません。

これらの厳しい公差を達成するには、高度な結晶成長技術（物理的蒸気輸送 – PVT など）、精密スライス、研削、ラッピング、最先端の化学機械研磨（CMP）プロセスが必要です。最終的な研磨の品質、特にエピタキシーが通常行われるシリコン面（Si面）の品質は非常に重要です。

SiC基板の後処理の必要性

SiC基板が高仕様で製造された後でも、デバイス製造業者によって、または高度な基板サプライヤーによって、最適なデバイス統合のために準備するために、いくつかの後処理ステップが必要になる場合があります。

• 化学機械研磨（CMP）： これは、「エピレディ」な表面を達成するための最も重要な最終表面処理ステップです。化学エッチングと機械的研磨を組み合わせて、オングストロームレベルの粗さで、超平滑で損傷のない表面を作り出します。ほとんどの高品質基板は、少なくとも片側（通常はSi面）にCMP仕上げで販売されています。
• クリーニングプロセス： エピタキシャル成長またはデバイス製造の前に、基板表面から微粒子汚染、金属不純物、または有機残留物を除去するために、厳格な多段階クリーニング手順が不可欠です。これには、RCAクリーンまたはSiC用に調整された修正版がよく使用されます。
• エピタキシャル成長（エピ層）： 厳密には基板の後処理ステップではありませんが、多くのデバイスメーカーは、カスタムエピタキシャル層がすでに成長したSiC基板を購入しています。専門のエピハウスまたは一部の基板メーカーが提供するこのサービスには、特定のドーピングと厚さを持つ薄く、精密に制御されたSiC層（またはGaNなどの他の材料）を基板上に堆積させることが含まれます。これは、アクティブデバイス領域を作成する上で重要な部分です。
• 基板の薄化（バックグラインディング）： 一部の用途、特に熱抵抗が重要となるパワーモジュールや、特定の厚さが必要となる垂直デバイス構造では、前面での初期デバイス処理後に基板を薄くすることがあります。これは通常、バックグラインディングとそれに続く応力緩和研磨によって行われます。
• 裏面金属化： 垂直電力デバイスの場合、金属層（例：Ti/Ni/AgまたはTi/Pt/Au）を基板の裏面に堆積して、オーム性接触を形成します。これは、統合フローに応じて、前面処理の前または後に行うことができます。
• レーザーアニーリングまたはその他の表面処理： 高度な処理は、特定のデバイス要件に合わせて、接触形成を改善し、欠陥を減らし、または表面特性を変更するために使用される場合があります。
• ダイシングおよびダイ単離の準備： ダイシングはデバイス製造後に行われますが、基板特性（内部応力や表面品質など）はダイシングプロセスに影響を与える可能性があります。場合によっては、保護コーティングまたは特定のスクライブラインの準備が検討されます。

後処理の範囲は、製造される特定のデバイスと製造施設の能力に大きく依存します。エピレディSiC基板を優れた表面品質で購入すると、エンドユーザーによる広範な前エピクリーニングと準備の必要性が最小限に抑えられます。

SiC基板製造における一般的な課題とその克服方法

高品質のSiC基板の製造は、材料の極度の硬度、化学的慣性、および高い融点により、複雑で困難な取り組みです。これらの課題を克服することが、SiC技術を進歩させるための鍵となります。

• 結晶成長欠陥：
  • マイクロパイプ（MPD）： デバイスの性能を損なう中空チューブ状の欠陥。軽減には、PVT成長条件（温度勾配、圧力、原料の純度）の最適化と、高度なシード技術の使用が含まれます。
  • ねじ切りスクリュー転位(TSD) & ねじ切りエッジ転位(TED)： これらの線状欠陥もデバイスの性能を低下させる可能性があります。MPDと同様に、その低減は、成長プロセスの正確な制御と、改善されたシードウェーハの品質に依存します。
  • 基底面転位（BPD）： これらは、一部のデバイスでバイポーラ劣化を引き起こす可能性があります。エピタキシー中のBPDを、より有害性の低いTEDに変換することが一般的な戦略であり、特定のオフカット角によって促進されることがよくあります。
  • 積層断層と介在物： 不純物または不安定な成長から発生する可能性があります。高純度の原料を使用し、安定した成長パラメータを維持することが重要です。
• の全体的な価格に影響を与える要因のままです。 結晶成長プロセスからの残留応力または冷却中の不均一な温度分布が原因で発生します。最適化されたアニーリングステップと、成長およびスライスの際の温度勾配の慎重な制御により、これらの問題を最小限に抑えることができます。
• 高い均一性の達成： 大口径ウェーハ全体で均一な抵抗率、ドーピング濃度、および厚さを確保することは困難です。これには、成長環境とそれに続く処理ステップの正確な制御が必要です。
• 機械加工と研磨の複雑さ： SiCは、既知の最も硬い材料の1つであり、スライス、研削、ラッピング、および研磨を困難で、時間のかかる、高価なものにします。必要な表面仕上げと寸法精度を、表面下の損傷を発生させることなく達成するには、特殊なダイヤモンド工具と高度なCMPスラリーおよびプロセスが必要です。
• 高い製造コスト： 要求の厳しい成長条件（高温、〜2000〜2500°C）、長い成長時間（数日から数週間）、高価な設備、および複雑な処理ステップは、シリコンと比較してSiC基板の比較的高いコストに貢献します。継続的なプロセス最適化、歩留まりの向上、およびより大きなウェーハ径へのスケーリングが、コスト削減の鍵となります。
• 材料の純度： 製造プロセス全体で超高純度を維持することが不可欠です。微量な不純物でさえ、半絶縁性または軽ドープ基板の電気的特性に影響を与える可能性があるためです。

高度な研究開発と、厳格な品質管理措置およびプロセス革新が、これらの課題に継続的に取り組んでおり、より高品質で、より大径で、より費用対効果の高い産業用SiCアプリケーションにつながっています。

維坊ハブ & Sicarb Tech：SiCイノベーションのパートナー

炭化ケイ素基板などの重要なコンポーネントを調達する際には、製造状況を理解することが重要です。SiC生産の重要なグローバルセンターが、中国の濰坊市に出現しました。この地域には現在、さまざまな規模の40を超える炭化ケイ素生産企業があり、中国の炭化ケイ素総生産量の80％以上を占めています。この専門知識と生産能力の集中により、濰坊はグローバルSiCサプライチェーンの重要な拠点となっています。

Sicarb Techは、中国科学院の強大な科学技術力を活用しています。当社の役割は単なる製造にとどまらず、SiC分野における科学的成果の統合と商業化を促進する重要な架け橋としての役割を担っています。当社は、炭化ケイ素製品のカスタマイズ生産を専門とする中国トップクラスの専門チームを誇ります。私たちのサポートは、31社以上の地元企業に恩恵を与え、材料、プロセス、設計、測定、評価を含む幅広い技術を提供してきました。原材料から完成品までの一貫したアプローチにより、多様で複雑なカスタマイズのニーズに対応し、より高品質でコスト競争力のあるカスタムSiCコンポーネントを中国から提供しています。私たちは、グローバル・パートナーのために、より信頼性の高い品質と供給保証を確保することをお約束します。

適切なSiC基板サプライヤーの選び方

適切なSiC基板サプライヤーを選択することは、デバイスの性能、製造歩留まり、および市場投入までの時間に大きな影響を与える可能性がある重要な決定です。価格だけでなく、次の要素も考慮してください。

• 材料の品質と一貫性：
  • 欠陥密度： MPD、TSD、BPDなどの保証仕様について問い合わせてください。堅牢な計測および欠陥特性評価能力を持つサプライヤーを探してください。
  • 抵抗率とドーピングの均一性： ウェーハ全体およびウェーハ間の整合性が重要です。
  • 表面品質： サプライヤーが、最小限の粗さと表面下の損傷で、エピレディ表面を一貫して提供できることを確認してください。計測データ（AFMスキャンなど）を要求してください。
• 技術的能力と専門知識：
  • 製品範囲： 必要な特定のポリタイプ（4H、6H）、導電型（N型、SI、HPSI）、配向、および直径を供給できますか？
  • カスタマイズ： 厚さ、平坦度、特定の欠陥レベルなど、独自の仕様を満たすカスタムSiCウェハー製造の能力を評価してください。例えば、Sicarb Techは、その強力な研究開発の背景により、カスタマイズされたソリューションに優れています。
  • エピタキシーサービス： エピタキシャル層を備えた基板が必要な場合、サプライヤーはこれを提供できますか、またはエピハウスとの強力なパートナーシップがありますか？
• 製造能力とリードタイム：
  • スケーラビリティ： サプライヤーは、現在および将来の成長の両方について、ボリューム要件を満たすことができますか？
  • 信頼できるリードタイム： 生産計画には、一貫性があり予測可能な納期が不可欠です。
• 品質管理システムと認証：
  • ISO 9001またはその他の関連する品質認証を持つサプライヤーを探してください。
  • 品質管理手順、トレーサビリティ、およびドキュメントについて問い合わせてください。
• 技術サポートとコラボレーション：
  • 優れたサプライヤーは、パートナーとして行動し、技術サポートを提供し、課題の解決に協力する必要があります。これは、新しいデバイスまたはプロセスを開発する際に特に重要です。
  • 専門家へのアクセスとデータの共有意欲は非常に貴重です。特定のニーズについて話し合うには、 特定のニーズについて話し合い、詳細をご覧ください。.
• 評判と実績：
  • リファレンスやケーススタディを求める。Sicarb Techが成功させたコラボレーションのように、実績があり、顧客からの好意的なフィードバックがあるサプライヤーは、一般的に安全な選択です。当社の 過去の成功とケーススタディをレビューしてください.
• 場所とサプライチェーンの堅牢性：
  • 地理的な位置と、ロジスティクスやサプライチェーンの回復力に対するその意味を考えてみよう。Sicarb Tech のような企業がある濰坊のハブは、SiC の専門知識を集中的に提供する。

潜在的なサプライヤーを徹底的に評価するのに時間をかけることは、長期的には報われ、重要なアプリケーション向けの高品質SiC基板の安定供給を確保できます。

SiC基板のコスト要因とリードタイムに関する考察

SiC基板のコストとリードタイムに影響を与える要因を理解することは、調達マネージャーとエンジニアが予算編成とプロジェクト計画を行う上で不可欠です。

主要なコストドライバー：

• 結晶品質と欠陥密度： これは、多くの場合、最も重要なコスト要因です。マイクロパイプ密度（MPD）、スレッドスクリュー転位（TSD）密度、および基底面転位（BPD）密度が非常に低い基板は、より制御された、多くの場合、より長い成長プロセスを必要とし、より高いコストにつながります。「プライム」または「エピレディ」グレードは、「機械的」または「ダミー」グレードよりも高価です。
• ウェーハ径： 大口径ウェーハ（例：150mm 対 100mm）は、一般にウェーハ単価が高くなる。しかし、歩留まりが高ければ、ウェーハ1枚当りのデバイス数を増やすことができ、ダイ当りのコストを下げられる可能性がある。大口径への移行には、多大な研究開発と設備投資が必要となる。
• ポリタイプと導電型： 4H-SiCは電力デバイスで最も一般的ですが、高純度半絶縁性（HPSI）材料などの特定の要件は、必要な厳格な純度管理のために、より高価になる可能性があります。
• カスタマイズと特定の許容範囲： 非標準の厚さ、配向、または平坦度（TTV、反り、ワープ）または表面粗さに関する非常に厳しい許容範囲を持つ高度にカスタマイズされた基板は、特殊な処理と低い歩留まりのために追加のコストが発生します。
• 注文量： 一般的な製造品と同様、発注量が多ければ多いほど、規模の経済により単価は低くなる。スポット購入や少量のR&D注文は、一般的にウェハー単価が高くなります。
• 処理ステップ： 両面研磨と片面研磨の違い、または特定の裏面処理の組み込みなど、処理の範囲は最終価格に影響します。
• 市場需要と供給： EVなどの急速に成長しているセクターからのグローバル需要の変動は、価格と入手可能性に影響を与える可能性があります。

リードタイムに関する考慮事項:

• 結晶成長時間： SiCブール成長は遅いプロセスであり、目的の結晶の高さと品質に応じて、数日から数週間かかることがよくあります。これは、リードタイムの基本的な要因です。
• ウェーハ化と研磨： ブールをウェーハにスライスし、研削、ラッピング、および細心の注意を払ったCMPプロセスも時間がかかります。
• カスタマイズ要件： 非標準の仕様または高度にカスタマイズされた基板は、通常、標準の既製製品よりも長いリードタイムになります。
• サプライヤーのキャパシティとバックログ： 選択したサプライヤーの現在の生産能力と既存の注文バックログは、リードタイムに大きく影響します。
• 品質管理と計測： 徹底的な特性評価と品質チェックは、全体的な時間に追加されますが、仕様への準拠を確保するために不可欠です。
• 標準的なリードタイム： 標準基板の場合、リードタイムは数週間から数か月になる可能性があります。高度にカスタマイズされたまたは開発中の基板の場合、リードタイムは長くなる可能性があります。調達プロセスのはじめに、リードタイムについて話し合うことが不可欠です。

材料科学から最終製品までの生産チェーン全体を深く理解しているSicarb Techのようなサプライヤーと関わることで、特定のSiC基板ニーズに対するコスト構造と現実的なリードタイムを明確にすることができます。さらに、自社でSiC製造の確立を目指す企業に対して、SicSinoはSiC技術移転とターンキー・プロジェクト・サービスを提供し、自社製造能力への包括的な道を提供します。