次世代SiCウェーハによるパワーエレクトロニクスの卓越性

はじめに：現代のパワーエレクトロニクスにおけるSiCウェーハの重要な役割

電力電子システムにおける高効率化、高電力密度化、高性能化への絶え間ない追求は、炭化ケイ素（SiC）を革新的な材料として注目させてきました。SiCベースのパワーデバイスの基盤となるSiCウェーハは、この革命の中心にあります。従来のシリコン（Si）とは異なり、SiCは、より高い電圧、温度、スイッチング周波数で電力電子機器を動作させる独自の特性の組み合わせを提供します。この能力は、電気自動車や再生可能エネルギーシステムから、高度な産業オートメーションや航空宇宙技術に至るまで、数多くの高性能産業用途にとって不可欠です。産業界が電力変換システムにこれまで以上のものを求めているため、次世代SiCウェーハの採用は、もはやニッチな検討事項ではなく、比類のない性能と信頼性を実現するための戦略的要件となっています。このブログ記事では、カスタムSiCウェーハの世界を掘り下げ、その用途、利点、設計上の考慮事項、およびこれらの高度な材料を調達するための重要な要素を検討し、特に専門プロバイダーが複雑なB2B需要をどのように満たすことができるかを強調します。

炭化ケイ素の理解：要求の厳しい用途向けの材料

炭化ケイ素（SiC）は、シリコンと炭素からなる化合物半導体であり、その優れた物理的および電子的特性で知られています。SiCは、シリコンと比較して、はるかに高い電界と温度に耐えることができる、ワイドバンドギャップ半導体として際立っています。SiCを不可欠なものにする主な特性には以下が含まれます。

• 高い熱伝導性： SiCは優れた熱伝導率（シリコンの約3〜5倍）を示し、パワーデバイスからの効率的な放熱を可能にします。これにより、かさばる冷却システムの必要性が減り、システム全体の信頼性が向上します。
• 高い絶縁破壊電界強度： シリコンの約10倍の絶縁破壊電界を持つSiCデバイスは、特定の電圧定格に対して薄くすることができます。これにより、低いオン抵抗と低い導通損失が得られます。
• 高い飽和電子ドリフト速度： この特性により、SiCデバイスはより高いスイッチング周波数で動作することができ、より小型の受動部品（インダクタおよびコンデンサ）が可能になり、電力密度が向上します。
• 優れた化学的慣性および耐放射線性： SiCは過酷な化学環境と放射線に対して非常に耐性があり、要求の厳しい産業、航空宇宙、および原子力用途に適しています。

これらの固有の利点は、効率の向上、サイズと重量の削減、および極端な条件下での動作安定性の向上など、電力電子システムに直接的な具体的なメリットをもたらします。技術的なバイヤーや調達マネージャーにとって、電力電子機器用のSiCウェーハを指定する際には、これらの基本的な材料特性を理解することが不可欠です。

なぜ次世代SiCウェーハがパワーエレクトロニクスに革命を起こしているのか

「次世代SiCウェーハ」という用語は、より高品質で、より大口径で、欠陥の少ないウェーハを生み出すSiC結晶成長、ウェーハ製造、およびエピタキシープロセスの進歩を指します。これらの改善は、SiC技術の大量採用にとって不可欠です。以下に、それらが電力電子機器をどのように変革しているかを示します。

• 強化されたエネルギー効率： SiC MOSFETやSiCショットキーダイオードなどのSiCベースのデバイスは、シリコン製デバイスと比較して、スイッチング損失と導通損失が大幅に低減されます。これは、特に高出力用途において、大幅な省エネにつながります。
• 電力密度の向上： より高い周波数と温度で動作できるため、よりコンパクトなシステム設計が可能になります。これは、電気自動車やポータブル電源システムなど、スペースと重量が重要な用途にとって不可欠です。
• より高い動作温度： SiCデバイスは、200°Cを超える接合温度で確実に動作できるため、冷却要件が削減され、過酷な熱環境での動作が可能になります。
• より速いスイッチング速度： 高い飽和電子ドリフト速度により、SiCデバイスは非常に高速にオンとオフを切り替えることができ、システムダイナミクスが向上し、より小型の受動部品を使用できます。
• システムの信頼性の向上： SiCの堅牢性は、デバイスの寿命を延ばし、より信頼性の高い電力システムに貢献し、メンテナンスコストとダウンタイムを削減します。

半導体メーカー、自動車会社、電力電子機器メーカーにとって、次世代SiCウェーハを活用することは、優れたデバイス性能へのアクセスを意味し、独自の競争優位性を持つ市場をリードする製品を開発することを可能にします。SiCウェーハの品質の継続的な改善と欠陥密度（マイクロパイプや基底面転位など）の削減は、この革命の重要な実現要因です。

業界全体のSiCウェーハの主要な用途

カスタムSiCウェーハは、厳しい性能要件を満たす能力により、さまざまな業界で広く使用されるようになっています。これらの分野の調達マネージャーや技術的なバイヤーは、製品やシステムを強化するためにSiCコンポーネントを調達することが増えています。

金型は、SiC成形プロセスにおける重要なインターフェースです。	SiCウェーハの具体的な用途	実現されたメリット
自動車	電気自動車（EV）パワートレイン（インバータ、車載充電器、DC-DCコンバータ）	走行距離の増加、充電の高速化、車両重量の削減、高効率化。
再生可能エネルギー	太陽光発電インバータ、風力タービンコンバータ、エネルギー貯蔵システム	より高い変換効率、より高い電力密度、グリッド安定性の向上、システムコストの削減。
パワーエレクトロニクス	産業用モータードライブ、無停電電源装置（UPS）、力率改善（PFC）回路	消費電力の削減、小型化、信頼性の向上。
航空宇宙・防衛	レーダーシステム、航空機および衛星における電力分配、アクチュエーションシステム	高温動作、耐放射線性、軽量化、極限環境での性能向上。
工業生産	高周波溶接、誘導加熱、産業用電源	正確なプロセス制御、エネルギー効率、堅牢な動作。
冶金	高温炉コンポーネント、発熱体	極端な温度耐性、長い動作寿命。
LED製造	GaN-on-SiC LED用基板（特に高出力RFおよびUV用途向け）	改善された熱管理、特定の用途におけるより高い光出力効率。
鉄道輸送	トラクションインバータ、補助電源コンバータ	省エネ、電源ユニットの小型化と軽量化、信頼性の向上。
通信	5G基地局用RFパワーアンプ	より高い効率、より小型のフットプリント、より優れた熱性能。
石油およびガス	坑井掘削装置、高温センサー	極端な温度と圧力環境での信頼性。

SiCウェーハの汎用性と優れた性能特性により、これらの多様な産業分野を進歩させるための基盤技術となり、従来のシリコン技術では以前は達成できなかった革新を可能にしています。

特殊な要件に対するカスタムSiCウェーハの利点

標準的なSiCウェーハは幅広い用途に対応していますが、多くの最先端技術は、特定の性能目標に合わせて調整されたカスタムSiCウェーハを必要とします。特注のSiCソリューションは、OEMやハイテクメーカーにいくつかの明確な利点を提供します。

• 最適化されたパフォーマンス： カスタマイズにより、抵抗率、厚さ、配向、エピタキシャル層の仕様などのウェーハパラメータを微調整して、特定のデバイスまたはアプリケーションの要件に正確に合わせることができます。これにより、既製品のウェーハでは達成できない大幅な性能向上が得られます。
• 特定のドーピングプロファイル： 高度なパワーデバイスの場合、エピタキシャル層内のドーピング濃度（N型またはP型）とプロファイルの正確な制御が不可欠です。カスタムウェーハプロバイダーは、しきい値電圧や絶縁破壊電圧などの必要な電気的特性を実現するために、高度に特定のドーピングを提供できます。
• 独自の形状とサイズ： 標準的な直径（例：100mm、150mm、200mm）が一般的ですが、一部の用途では、非標準サイズまたは特定のフラット/ノッチが役立つ場合があります。カスタマイズは、これらの独自の幾何学的ニーズに対応できます。
• 調整された表面特性： 表面粗さ、清浄度、およびパッシベーション層をカスタマイズして、その後のデバイス製造プロセスとの最適な互換性を確保し、歩留まりと信頼性を向上させることができます。
• 独自のエピタキシャル構造： 新規デバイスアーキテクチャを開発している企業は、独自の多層エピタキシャル構造を必要とすることがよくあります。柔軟なSiCウェーハファウンドリは、これらのカスタムエピウェーハを共同で開発および製造できます。
• 強化された材料グレード： 航空宇宙や高信頼性防衛システムなどの非常に要求の厳しい用途向けに、カスタムウェーハは、欠陥密度が非常に低い、厳選された超高純度SiCブールを使用して製造できます。

を専門とするサプライヤーとの連携 カスタマイズ・サポート SiCウェーハを使用すると、企業は技術の限界を押し上げることができます。この共同アプローチにより、基盤材料自体が最高の性能を発揮するように設計され、高度に専門化された市場で競争力を得ることができます。これは、既製のソリューションでは十分ではない、航空宇宙、防衛、高度な医療機器などの業界にとって特に重要です。

SiCウェーハの仕様をナビゲートする：直径、厚さ、および品質グレード

SiCウェーハを調達する調達マネージャーとエンジニアは、材料がアプリケーションのニーズを満たすことを保証するために、さまざまな重要な仕様をナビゲートする必要があります。これらのパラメータを理解することは、適切な製品とサプライヤーを選択するための鍵です。

主要なSiCウェーハ仕様：

• 直径： 一般的なSiCウェーハの直径には、100mm（4インチ）、150mm（6インチ）、およびますます200mm（8インチ）が含まれます。より大きな直径は、一般的に、デバイス製造におけるスループットの向上により、ダイあたりのコストを削減します。
• ポリタイプ： 電力電子機器で最も一般的なポリタイプは、6H-SiCなどの他のポリタイプと比較して、優れた電子移動度と高い絶縁破壊電界を持つ4H-SiCです。3C-SiCも特定の用途で検討されています。
• 導電型：
  • N型SiC： 窒素でドープされ、MOSFETやショットキーダイオードによく使用されます。抵抗率は重要なパラメータです。
  • P型SiC： アルミニウムでドープされ、特定のデバイス構造で使用されます。
  • 半絶縁性（SI）SiC： 高抵抗率、多くの場合バナジウムでドープまたは本質的に高純度で、GaN-on-SiC RFデバイスの基板として使用されます。
• 抵抗率： 材料の電流の流れに対する抵抗の尺度。これは、最終デバイスの電気的特性（例：絶縁破壊電圧、オン抵抗）を定義するために不可欠です。範囲は、ドーピングレベルによって大きく異なる可能性があります。
• 厚さ： ウェーハの厚さは通常350µmから500µmの範囲ですが、カスタムの厚さを実現できます。より薄いウェーハはオン抵抗を低減できますが、慎重な取り扱いが必要です。
• オリエンテーション： 通常、SiCウェーハは、特定のタイプの欠陥を減らすことにより、高品質のエピタキシャル成長を促進するために、オフ軸カット（例：<11-20>に対して4°オフ）で提供されます。
• 欠陥密度： これは重要な品質指標です。主な欠陥には以下が含まれます。
  • マイクロパイプ密度（MPD）： 高電圧デバイスには、多くの場合、ゼロMPDが必要です。
  • 基底面転位（BPD）密度： デバイスの信頼性と性能に影響します。
  • スレッディングスクリュー転位（TSD）およびスレッディングエッジ転位（TED）： デバイスの歩留まりに影響します。
• 表面粗さ（RaまたはRms）： 高品質のエピタキシャル層の成長とそれに続くデバイス製造には、滑らかな、エピ対応の表面が不可欠です。値は、通常、化学機械研磨（CMP）後のサブナノメートル範囲です。
• 全厚変動（TTV）および反り/ワープ： これらの幾何学的パラメータは、リソグラフィおよびその他の処理ステップに影響します。高歩留まりの製造には、厳密な制御が必要です。

SiCウェーハを指定する際には、これらのパラメータについて潜在的なサプライヤーと詳細に話し合うことが不可欠です。各仕様に対するアプリケーションの許容範囲を明確に理解することで、適切なウェーハグレードの選択をガイドし、コストの管理に役立ちます。評判の良いサプライヤーは、詳細なデータシートと適合証明書を提供します。

製造の旅：SiC原料から精密ウェーハまで

高品質のSiCウェーハの製造は、厳格な管理と高度な技術を必要とする複雑な多段階プロセスです。このプロセスを理解することで、これらの高度な材料に関連する価値とコストを理解できます。

1. SiC粉末合成： このプロセスは、高純度のシリコンと炭素源から始まり、非常に高温（例：粗SiC粉末用のAchesonプロセスまたはLelyプロセス）で反応させてSiC粒子を形成します。
2. SiC結晶成長（インゴット形成）： ウェーハ用の単結晶SiCブールを成長させる最も一般的な方法は、物理蒸着（PVT）法であり、修正Lely法とも呼ばれます。高純度SiC粉末は、制御された雰囲気中で2000°Cを超える温度で昇華されます。次に、SiC蒸気はSiC種結晶上で再結晶化して、大きな単結晶（ブール）を形成します。このステップは、ポリタイプ（例：4H-SiC）と初期欠陥密度を決定するために不可欠です。
3. ボール成形と配向： 成長したボールは、次に所望の直径に精密に機械加工され、結晶配向を示すために平面またはノッチが研削されます。
4. ウェーハスライシング： 配向されたボールは、高度なダイヤモンドワイヤーソーを使用して薄いウェーハにスライスされます。このステップでは、カーフ損失を最小限に抑え、厚さの均一性を維持するために高精度が求められます。
5. ラッピングと研削： スライスされたウェーハは、ソーマークを除去し、目標厚さを達成し、表面の平坦性を向上させるために、機械的なラッピングと研削プロセスを受けます。
6. 研磨： ウェーハは、徐々に微細なダイヤモンドスラリーを使用して研磨され、鏡面のような表面を実現します。最終ステップは通常、化学機械研磨（CMP）であり、原子レベルで滑らかで、損傷のない「エピレディ」表面を生成し、非常に低い粗さ（通常0.5 nm Ra未満）を実現します。
7. 洗浄と検査： ウェーハは、汚染物質を除去するために厳格な洗浄プロセスにかけられます。その後、高度な計測ツールを使用して、表面欠陥、抵抗率、厚さ、TTV、そり、反り、結晶学的欠陥など、さまざまなパラメータについて検査されます。
8. エピタキシャル成長（デバイスウェーハではオプションですが、一般的）： ほとんどのパワーデバイスアプリケーションでは、特定のドーピングと厚さの1つ以上の薄いSiC層（エピタキシャル層または「エピ層」）が基板ウェーハ上に成長します。これは通常、化学気相成長法（CVD）を介して行われます。SiCエピタキシーの品質は、デバイスの性能にとって非常に重要です。

この製造工程の各ステップは資本集約的であり、専門的な専門知識が必要です。大型で低欠陥のSiC結晶を成長させ、高品質のウェーハに加工することに関連する課題は、シリコンと比較してSiCのコストが高くなる要因となっています。ただし、要求の厳しいパワーエレクトロニクスアプリケーションでは、性能上の利点がこの投資を正当化することがよくあります。

SiCウェーハの製造と採用における課題の克服

炭化ケイ素の大きな利点にもかかわらず、特にコスト重視のB2B市場におけるその普及は、製造と実装に関連するいくつかの課題に直面しています。これらのハードルを理解し、軽減することは、SiCウェーハサプライヤーとエンドユーザーの両方にとって重要です。

主な課題：

• 高い材料コスト： 高品質のSiC結晶を成長させることの固有の困難さ（高温、低成長率）と、複雑なウェーハ化プロセスは、SiCウェーハのコストが従来のシリコンウェーハよりも大幅に高くなる原因となっています。
  • 緩和： 結晶成長における継続的な研究開発（ブールの大口径化など）、スライス技術の改良、製造歩留まりの向上により、コストは徐々に低下している。需要の増加に伴うスケールメリットも重要な役割を果たしている。バイヤーにとっては、戦略的調達と長期的パートナーシップがコスト管理に役立つ。
• 欠陥制御： マイクロパイプ、基底面転位（BPD）、積層欠陥、および表面粒子などの欠陥は、デバイスの性能と歩留まりに深刻な影響を与える可能性があります。製造プロセス全体でこれらの欠陥を制御することは、大きな課題です。
  • 緩和： 高度な結晶成長技術、綿密な工程管理、（CMPのような）改善された研磨方法、厳格な計測学が採用されている。サプライヤーは欠陥低減の研究開発に多額の投資を行っている。バイヤーは、強固な品質管理と欠陥特性評価能力を持つサプライヤーを探すべきである。
• 製造の複雑さと歩留まり： SiCの硬度と化学的慣性は、機械加工、スライス、および研磨を困難にします。この複雑さにより、シリコン処理と比較して歩留まりが低くなる可能性があります。
  • 緩和： 特殊な機器の開発（例：ダイヤモンドワイヤーソー、高度なCMPツール）と最適化されたプロセスパラメータが不可欠です。深い材料科学の知識を持つ経験豊富なメーカーは、これらの複雑さに対処するのに適しています。
• エピタキシャル成長の均一性： SiCエピタキシャル層、特に大面積ウェーハ全体で、高度に均一な厚さとドーピング濃度を達成することは困難ですが、一貫したデバイス性能には不可欠です。
  • 緩和： 高度なCVD反応器設計、精密な前駆体流量制御、およびインサイチュモニタリング技術は、エピ層の均一性の向上に役立ちます。
• デバイス製造の学習曲線： 信頼性の高いSiCデバイスを製造するには、高温イオン注入やアニーリングなど、シリコンとは異なる専門知識とプロセスが必要です。
  • 緩和： ウェーハサプライヤーとデバイスメーカー間の協力、SiC固有の製造ラインと専門知識への投資が不可欠です。一部のウェーハサプライヤーは、 技術移転 プロセス統合サポートも提供しています。
• システムレベルでの熱管理： SiCデバイスはより高い温度で動作できますが、パッケージおよびシステムレベルで効率的に熱を除去することは、SiCの潜在能力を最大限に活用するための設計上の考慮事項として残っています。
  • 緩和： 高い熱伝導率を持つ高度なパッケージング材料と熱インターフェース材料（TIM）、および革新的な冷却ソリューションが開発されています。

これらの課題を克服するには、材料サプライヤー、機器メーカー、デバイス製造業者、およびシステム設計者を含む、SiCエコシステム全体の協調的な努力が必要です。産業バイヤーにとって、これらの問題に積極的に取り組んでいる、知識と技術的に進んだ炭化ケイ素サプライヤーとの提携は、SiCの導入を成功させるために不可欠です。

SiCウェーハサプライヤーの選択：B2Bバイヤーにとっての重要な要素

SiC技術を自社製品に統合しようとしている企業にとって、適切なSiCウェーハサプライヤーを選択することは重要な決定です。B2Bバイヤー、調達マネージャー、およびエンジニアにとって、評価プロセスは価格だけにとどまるべきではありません。考慮すべき主な要素を以下に示します。

• 材料の品質と一貫性：
  • サプライヤーが、低欠陥密度（MPD、BPD、TSD）、抵抗率の厳密な制御、厚さの均一性、および優れた表面仕上げを備えたウェーハを一貫して提供できる能力があることを確認してください。
  • 評価用のサンプルウェーハを要求し、各出荷の包括的な計測データを含む詳細な適合証明書（CoC）を要求してください。
• 損傷を防ぐには、慎重な取り扱いが必要です。
  • サプライヤーの研究開発能力、およびSiC材料科学とデバイス物理学の理解を評価する。
  • 技術的なコンサルテーション、カスタムSiCウェーハの開発、およびプロセス統合のサポートを提供できるサプライヤーは、非常に貴重なパートナーとなり得ます。
• 製造能力と生産能力：
  • 結晶成長、スライス、研磨、およびエピタキシャル成長施設を評価します。ボリューム要件を満たし、需要に合わせてスケールアップする能力はありますか？
  • 品質管理システム（例：ISO 9001認証）およびプロセス制御方法について問い合わせます。
• カスタマイズ能力：
  • アプリケーションで非標準仕様（例：特定のドーピングプロファイル、独自の配向、カスタマイズされたエピ層）が必要な場合は、サプライヤーがカスタムSiCウェーハ製造で実績があることを確認してください。
• サプライチェーンの信頼性とリードタイム：
  • さまざまなウェーハタイプの一般的なリードタイムと、サプライチェーンの混乱を管理する能力を理解してください。
  • 信頼できるサプライチェーンは、中断のない生産に不可欠です。堅牢な在庫管理と緊急時対応計画を備えたサプライヤーを検討してください。
• 費用対効果：
  • コストは1つの要素ですが、品質、信頼性、およびサポートとのバランスを取る必要があります。デバイスの歩留まりの低下や性能の問題につながる場合、最も安いオプションが必ずしも長期的に最も費用対効果が高いとは限りません。
  • 透明性のある価格設定を求め、ボリュームディスカウントまたは長期供給契約の可能性を検討してください。
• 評判と紹介：
  • 業界で実績のある、確立されたサプライヤーを探してください。顧客の参照を要求するか、 ケーススタディ アプリケーション分野に関連するもの。
• 場所とロジスティクス：
  • サプライヤーの所在地と、送料、コミュニケーション、およびサポートへの影響を考慮してください。たとえば、主要なSiCハブ内の能力を理解することは有利になる可能性があります。

優秀なSiCウェーハサプライヤーとの戦略的パートナーシップは、パワーエレクトロニクスプロジェクトの成功に大きな影響を与える可能性があります。ニーズに合わせて調整された高品質の材料の信頼できる供給源を確保するには、徹底的なデューデリジェンスが不可欠です。

濰坊の優位性：中国の炭化ケイ素イノベーションのハブとシカーブテック

世界の炭化ケイ素サプライヤーを検討する際、中国から出現している重要な進歩と製造能力を見過ごすことはできません。具体的には、濰坊市は中国の炭化ケイ素カスタム部品製造のハブとしての地位を確立しています。この地域には、さまざまな規模の40を超えるSiC生産企業があり、全国のSiC総生産量の80％以上を占めています。

当社の強みは次のとおりです。

• 深い専門知識： Sicarb Techは、高品質のSiCウェハを含む炭化ケイ素製品のカスタマイズ生産を専門とする国内トップクラスの専門チームを誇っています。弊社は先進的な技術で32社以上の現地企業をサポートしました。
• 総合的な技術力： 当社は、原材料からSiCウェーハおよびコンポーネントの完成品までの統合プロセスをカバーする、材料科学、プロセスエンジニアリング、設計、計測、および評価にわたる幅広い技術を所有しています。これにより、多様なカスタマイズニーズに効果的に対応できます。
• 品質とコスト競争力： 当社は、信頼性の高い品質と供給保証に裏打ちされた、より高品質でコスト競争力のある中国製のカスタム炭化ケイ素コンポーネントとウェーハを提供することに尽力しています。
• 技術移転とターンキー・ソリューション Sicarb Techは、コンポーネントの供給だけでなく、グローバルな協力にも力を注いでいます。もし貴国が専門的なSiC製品製造工場の設立を検討しているのであれば、当社は専門的な炭化ケイ素製造のための包括的な技術移転を提供することができます。これには、工場設計、専用設備の調達、据付と試運転、試作生産などのターンキー・プロジェクト・サービス一式が含まれ、より効果的な投資と確実な技術転換を保証します。私たちの 技術移転ソリューションをご覧ください.

Sicarb Techとの提携は、中国のSiCイノベーション・エコシステムの中心にアクセスすることを意味し、最先端技術、経験豊富な専門家、カスタムSiCウェハーおよびその他のSiC製品の分野における品質と顧客の成功へのコミットメントから利益を得ることができます。

炭化ケイ素ウェーハ技術における将来のトレンドとイノベーション

炭化ケイ素ウェーハ技術の分野はダイナミックであり、性能、コスト、および適用性の限界を押し上げることに焦点を当てた継続的な研究開発が行われています。いくつかの主要なトレンドとイノベーションが、パワーエレクトロニクスやその他の要求の厳しいアプリケーション向けのSiCウェーハの未来を形作っています。

• 大口径ウェーハ： 業界は、200mm（8インチ）SiCウェーハがより普及するようになり、より大きなウェーハ径に向かって着実に移行しています。300mm（12インチ）SiCウェーハの開発も進行中です。より大きなウェーハは、ダイあたりの製造コストを大幅に削減し、自動車などの大量市場を含む、より幅広いアプリケーションでSiCデバイスをより経済的に実現可能にします。
• 結晶品質の向上と欠陥の削減： PVT結晶成長とインゴット処理における継続的な進歩は、マイクロパイプ、BPD、TSDなどの重要な欠陥の密度がさらに低いSiC基板につながっています。これは、SiCパワーデバイスのデバイス歩留まりの向上、性能の向上、および信頼性の向上に直接つながります。
• より薄いウェーハと高度な取り扱い： ウェーハの厚さを薄くすると、垂直パワーデバイスのオン抵抗（R_DS（on））を下げ、効率を向上させることができます。薄いウェーハのウェーハ研削、研磨、および取り扱い技術におけるイノベーションは、機械的完全性を損なうことなく、これらの利点を実現するために不可欠です。
• スマートカット/層転写技術： Silicon-on-Insulator製造で使用されるSmart Cut™と同様の技術がSiCで検討されています。これらの方法は、代替の、より安価なキャリア上に薄く、高品質のSiC層を作成することを可能にする可能性があります。