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製品概要と2025年の市場関連性 高周波、高密度炭化ケイ素（SiC）DC電源システムは、SiC MOSFETとダイオードを高度な磁気部品、デジタル制御、堅牢な熱パッケージングと統合し、通信サイト、エッジコンピューティングノード、産業用DCグリッド向けにコンパクトで効率的なDC変換を提供します。周囲温度が高く、一般的なグリッド障害下でも確実に動作します…

製品概要と2025年市場関連性 炭化ケイ素（SiC）オンラインUPSコンバータモジュールは、SiC MOSFET/ダイオード、高密度磁気回路、デジタル制御、および高度な熱管理を統合し、ミッションクリティカルな負荷に継続的な二重変換保護を提供する事前設計されたパワーステージです。シリコンベースのUPS設計と比較して、SiCモジュールは全負荷および軽負荷の両方でより高い効率を達成し、より高速な過渡...

S.成功のための韓国SiC製品 急速に進歩する今日の産業界では、優れた性能を発揮しながら過酷な条件にも耐えられる材料が最も求められています。その中でも、**カスタム炭化ケイ素（SiC）製品**は、ゲームチェンジャーとして際立っており、様々な重要な用途に比類のない特性を提供しています。このブログ記事では、その詳細について説明します；

ガラス産業：高温安定性と制御のためのSiC ガラス産業は、製造業で見られる最も過酷な熱的および機械的条件の一部で操業しています。正確な温度制御を達成し、機器の寿命を確保し、ガラスの純度を維持することが最も重要です。炭化ケイ素（SiC）は、高温環境で比類のない性能を提供する重要な高度セラミック材料として登場しました…

SiCチップレベルヒートスプレッダ基板は、半導体ダイの直下やパワーモジュールのスタック内に配置され、熱を伝導して横方向に拡散させ、熱勾配とピーク接合部温度を低減するセラミック部品です。反応焼結SiC（RBSiC）、無圧/固体焼結SiC（SSiC）、またはSiSiCハイブリッドを使用することで、これらの基板は高い熱伝導性と...

製品概要と2025年市場関連性 SiC力率改善（PFC）制御モジュールは、炭化ケイ素MOSFET/ダイオードとデジタル制御、センシング、保護を組み合わせ、広い負荷範囲にわたって99%以上の力率（PF）と3%未満の全高調波歪み（THD）を実現する、あらかじめ設計された制御および電源ステージです。これらは、UPS、VFD、...における高効率フロントエンド整流器の基礎です。

製品概要と2025年の市場関連性 炭化ケイ素（SiC）高電圧パワーモジュール

製品概要と2025年の市場関連性 炭化ケイ素（SiC）ショットキーダイオードは、逆回復電荷（Qrr）がほぼゼロの単極整流器であり、力率補正（PFC）ステージおよびスイッチモード電源（SMPS）での超高速、低損失スイッチングを可能にします。シリコン超高速/高速回復ダイオードとは異なり、SiCショットキーデバイスは逆回復テール電流を排除し、スイッチング損失と電磁干渉（EMI）を劇的に削減します…。

製品概要と2025年の市場関連性 炭化ケイ素（SiC）デバイスバーンインおよび自動試験装置（ATE）は、初期故障をスクリーニングし、過酷な条件下での寿命を検証するために必要な高温、高電圧ストレス環境を提供します。従来のシリコンと比較して、SiCのより高い電界強度と上昇した接合部温度は、特殊なオーブン、電力ストレスフィクスチャ、パラメトリック測定ユニット、…を必要とします。