正確な結果のための正確なSiC測定ツール
はじめに：SiC測定ツールの重要な役割
炭化ケイ素（SiC）は、高性能産業用途の基幹材料として登場し、半導体や自動車から航空宇宙、再生可能エネルギーまで、さまざまな分野に革命をもたらしています。高い熱伝導率、広いバンドギャップ、優れた硬度、および化学的慣性などの優れた特性により、過酷な条件下で動作するデバイスに不可欠です。ただし、SiCの可能性を最大限に活用するには、その特性とSiCコンポーネントの性能を正確に測定および特性評価する能力に大きく依存します。ここで、炭化ケイ素測定ツールが重要な役割を果たします。これらの特殊な機器は、品質管理、プロセス最適化、研究開発に不可欠であり、SiCベースの技術の信頼性と効率性を確保します。正確な計測がなければ、メーカーは標準以下のコンポーネントを製造するリスクがあり、デバイスの故障、コストの増加、イノベーションの遅れにつながります。この記事では、SiC測定ツールの世界を掘り下げ、その種類、用途、および今日の要求の厳しい産業環境における精度の重要性を探ります。
正確な測定を必要とするSiCの主要特性
炭化ケイ素コンポーネントの性能は、さまざまな物理的、電気的、熱的特性に直接関連しています。これらのパラメータの正確な測定は、原材料検査から最終デバイス試験まで、SiCのライフサイクル全体で不可欠です。主な特性には以下が含まれます。
- 電気的特性：
- 抵抗率：パワーエレクトロニクスおよび半導体用途に不可欠です。
- キャリア濃度と移動度：デバイスの速度と効率を決定します。
- 絶縁破壊電圧：高出力SiCデバイスに不可欠です。
- インターフェイストラップ密度：MOSFETの性能と信頼性に影響します。
- 熱特性：
- 熱伝導率：パワーデバイスおよび高温用途での放熱に不可欠です。
- 熱膨張係数：材料の適合性と応力管理に重要です。
- 機械的特性：
- 硬度と靭性：耐摩耗性コンポーネントと構造セラミックスに関連します。
- 弾性率と曲げ強度：構造的完全性の鍵となります。
- 表面粗さと平坦度：ウェーハ処理と光学用途に不可欠です。
- 光学的特性：
- 屈折率と吸収係数：SiC光学系とセンサーにとって重要です。
- 材料の純度と欠陥：
- 不純物濃度：電気的および光学的特性に大きく影響する可能性があります。
- 結晶欠陥（例：マイクロパイプ、積層欠陥）：デバイスの歩留まりと長期的な信頼性に影響します。
- 粒度と分布：多結晶SiCの機械的および熱的特性に影響します。
- 寸法計測：
- 層厚（例：エピタキシャル層、ゲート酸化膜）。
- デバイスの特徴のクリティカルディメンション（CD）。
- SiCウェーハの反りやそり。
これらの特性を精密な測定によって理解し制御することで、メーカーはプロセスを最適化し、製品の品質を向上させ、次世代SiC技術の開発を加速させることができます。
炭化ケイ素測定ツールと技術の種類
炭化ケイ素を特性評価するために、多様な測定ツールと技術が採用されています。ツールの選択は、測定対象の特定の特性、SiC材料の形態（バルク、ウェーハ、薄膜、粉末）、および必要な精度によって異なります。一般的なカテゴリには以下が含まれます。
電気的特性評価ツール：
- 四点プローブとホール効果システム： 抵抗率、キャリア濃度、移動度を測定するため。これらはSiC半導体開発の基本です。
- 容量-電圧（C-V）プロファイラー： SiC MOS構造におけるドーピングプロファイル、界面状態、酸化膜電荷を決定するために使用されます。
- 電流-電圧（I-V）テスター： ダイオードとトランジスタの性能（耐圧やリーク電流など）を特性評価するために不可欠です。
- 深層準位過渡分光法（DLTS）： SiCバンドギャップ内の電気的に活性な欠陥を特定し、特性評価します。
- 非接触シート抵抗測定ツール：ウェーハ抵抗率の高速で汚染のないマッピングを提供します。
光学および分光ツール：
- 楕円偏光計： 薄いSiC膜と誘電体層の厚さと光学定数を測定します。
- フォトルミネセンス（PL）およびラマン分光法： 結晶品質、欠陥、応力、ポリタイプの識別に役立ちます。
- フーリエ変換赤外分光法（FTIR）： 化学結合、不純物、エピタキシャル層の厚さを分析するために使用されます。
- UV-Vis-NIR分光光度計： 光の透過と吸収の特性を特性評価します。
顕微鏡および表面分析ツール：
- 特定のRBSiC、SiSiC製品および地元の濰坊製造能力のためのプレス選択に関するアドバイス。 高解像度表面トポグラフィー、粗さ測定、ナノスケールでの電気的/機械的特性のマッピング用。
- 走査型電子顕微鏡（SEM）および透過型電子顕微鏡（TEM）： 微細構造、欠陥を可視化し、元素分析を実行します（多くの場合、EDX/EBSDと組み合わせて使用）。
- X線回折（XRD）およびX線トポグラフィー（XRT）： 結晶構造、配向、ひずみを分析し、転位やマイクロパイプなどの拡張欠陥を可視化します。
- 白色光干渉法： 迅速な非接触3D表面プロファイリングと粗さ測定を提供します。
熱分析ツール：
- レーザーフラッシュアナライザー（LFA）： 熱拡散率と熱伝導率を測定します。
- 示差走査熱量測定（DSC）および熱重量分析（TGA）： 熱安定性、相転移、材料組成を研究します。
機械試験装置：
- 圧痕試験機（ナノおよびマイクロ）： 硬度と弾性率を決定します。
- 曲げ強度試験機： 材料の曲げ力に対する抵抗力を測定します。
これらのツールの多くは、SiCの硬度、化学的慣性、場合によっては高温測定の必要性など、SiCがもたらす特有の課題に対応するために調整または特別に設計されています。
用途：業界全体での精密SiC測定
正確なSiC測定の需要は、特定のニーズと課題を持つ多くのハイテク産業に及んでいます。
| 金型は、SiC成形プロセスにおける重要なインターフェースです。 | SiCの主な用途 | 重要な測定ニーズ |
|---|---|---|
| 半導体およびパワーエレクトロニクス | MOSFET、SBD、パワーモジュール、IC | エピタキシャル層の厚さ、ドーピングの均一性、欠陥密度（マイクロパイプ、積層欠陥）、ゲート酸化膜の完全性、抵抗率、熱インピーダンス。 |
| 自動車 | EVインバーター、車載充電器、DC-DCコンバーター | 高温での電気的性能、熱サイクル下での信頼性、耐圧、パッケージングの機械的強度。 |
| 航空宇宙・防衛 | 高温センサー、耐放射線電子機器、スラスターコンポーネント、ミラー | 熱安定性、耐放射線性、寸法精度、表面仕上げ、材料純度。 |
| 再生可能エネルギー | 太陽光発電インバーター、風力タービンコンバーター | 効率、信頼性、熱管理、欠陥分析に基づく寿命予測。 |
| LED製造 | GaNエピタキシー用SiC基板 | ウェーハ表面品質（粗さ、TTV、そり/反り）、結晶配向、欠陥マッピング。 |
| 冶金と高温処理 | キルン家具、るつぼ、発熱体、熱電対保護管 | 耐熱衝撃性、高温での化学的慣性、機械的強度、クリープ耐性。カスタムSiCコンポーネントはここで不可欠です。 |
| 化学処理 | シール、ベアリング、ノズル、熱交換器 | 耐食性、耐摩耗性、寸法安定性。 |
| 産業機械 | 摩耗部品、精密機械部品 | 硬度、耐摩耗性、寸法公差。 |
これらの各分野において、精密SiC測定は単なる品質チェックではなく、プロセス制御、材料開発、および最終製品が厳しい性能と信頼性の基準を満たしていることを保証するための不可欠な部分です。たとえば、半導体製造では、SiCウェーハの欠陥分布をマッピングすることで、歩留まりを予測し、プロセスを調整することができ、収益性に直接影響します。
精密さが重要な理由：正確なSiC測定の利点
SiC測定における「精密」と「精度」の重視は、恣意的なものではありません。これは、メーカーとエンドユーザーにとっていくつかの重要な利点を支えています。
- 製品品質と信頼性の向上： 正確な測定により、SiCコンポーネントが設計仕様を満たし、より信頼性の高い長寿命の最終製品につながります。これは、自動車や航空宇宙などの安全性が重要な用途において特に重要です。
- 製造歩留まりの向上： 正確な計測を通じて材料欠陥やプロセスからの逸脱を早期に特定することで、メーカーはスクラップ率を削減し、全体的な歩留まりを向上させることができます。たとえば、SiCウェーハ検査ツールは、高価な処理ステップの前に欠陥のあるウェーハにフラグを立てることができます。
- 研究開発の加速： 研究者は、材料の挙動を理解し、新しいSiC配合を開発し、デバイス設計を最適化するために正確なデータに依存しています。精密測定ツールは、より速いイノベーションサイクルを可能にします。
- プロセス制御の最適化： リアルタイムまたは頻繁な測定により、製造プロセスをより厳密に制御できるようになり、より一貫した製品品質と変動の削減につながります。
- コスト削減： 高度な測定ツールは投資を意味しますが、故障を最小限に抑え、効率を向上させ、材料の無駄を減らすことで、全体的なコスト削減に貢献します。
- 規格への準拠： 多くの業界には厳格な品質基準があります。正確な測定システムは、コンプライアンスを実証し、相互運用性を確保するために必要なデータを提供します。
- サプライヤーと顧客の信頼： 明確で検証可能な測定データは、SiC材料/コンポーネントサプライヤーと顧客間の信頼を築き、仕様が満たされていることを保証します。
最終的に、特にパワーエレクトロニクスと高周波用途における、より小型、高速、高効率なデバイスへの要求は、SiC技術の限界を押し上げています。精密測定は、エンジニアがこれらの最前線で自信を持って活動できるようにするイネーブラーです。
カスタムSiC測定ソリューションの革新
SiCの用途がますます複雑で要求が厳しくなるにつれて、標準的な既製の測定ツールだけでは十分ではなくなる場合があります。これにより、カスタムSiC測定ソリューションと計測技術のイノベーションに対する需要が高まっています。開発の主な分野には以下が含まれます。
- インサイチュおよびインライン計測： 製造プロセス中（例：結晶成長またはエピタキシー中）にSiC特性を測定できるツールを開発する（後処理ではなく）。これにより、リアルタイムのフィードバックと制御が可能になります。
- 高スループットウェーハマッピング： 生産量の増加に対応するために、複数のパラメータ（例：欠陥、抵抗率、厚さの均一性）についてSiCウェーハ全体を迅速にマッピングできるツール。
- 非破壊検査（NDT）の進歩： X線トポグラフィー、音響顕微鏡、テラヘルツイメージングなどのNDT技術を強化し、SiCコンポーネントを損傷することなく、表面下の欠陥や内部応力を検出します。
- AIと機械学習の統合： AIアルゴリズムを使用して、複雑な測定データを分析し、微妙な欠陥パターンを特定し、コンポーネントの寿命を予測し、測定戦略を最適化します。
- 極限条件下での測定： 実際の動作条件を模倣して、非常に高温、高電圧、または過酷な化学環境下でSiC特性を正確に特性評価できるツールとセンサーを開発します。
- マルチモーダル計測： 複数の測定技術を単一のプラットフォームに組み合わせて、SiC材料またはデバイスをより包括的に理解します。たとえば、光学欠陥マップと電気試験結果を相関させます。
- カスタムプローブと治具： 独自のコンポーネント形状または特定の試験要件については、カスタムSiC測定プローブと固定具が必要になることがよくあります。これらには、耐久性と安定性のためにSiCコンポーネント自体が含まれる場合があります。
高度な材料を専門とする企業は、これらのイノベーションを推進することがよくあります。たとえば、高温用途向けの特定のSiCプローブや、新しいSiCポリタイプを特性評価するための独自の光学セットアップを開発するには、計測に関するノウハウに加えて、深い材料科学の専門知識が必要です。
SiCベースの測定コンポーネントの設計上の考慮事項
この記事では主にSiCを「測定するための」ツールに焦点を当てていますが、炭化ケイ素自体が、特に過酷な環境や極度の精度と安定性が要求される場合に、測定システム内でコンポーネントを作成するために使用されることも重要です。このようなカスタム炭化ケイ素コンポーネントを計測用途向けに設計する場合、いくつかの要素が重要です。
- 素材グレードの選択： SiCグレード（例：焼結SiC、反応結合SiC、CVD SiC）の選択は、必要な熱安定性、電気伝導性（または絶縁性）、耐摩耗性、および機械加工性によって異なります。たとえば、高温電気測定用に設計されたプローブは、安定した電気特性と最小限の熱膨張を備えた特定のグレードを必要とする場合があります。
- 熱管理： SiCコンポーネントが加熱ステージまたは高温プローブの一部である場合、その熱伝導率と放射率を設計において考慮する必要があります。
- 寸法安定性と許容誤差： 精密な位置決めまたは光学用途の場合
- 表面仕上げ： 光学インターフェースや電気測定での良好な接触を確保するためには、滑らかで明確な表面が必要となる場合があります。ラッピングや研磨が必要になることもあります。
- 化学的不活性： 測定中に腐食性ガスや液体に部品がさらされる場合は、SiCグレードの化学的慣性が最重要となります。
- 電気的特性： 用途によっては、SiC部品は高絶縁性、半導電性、または導電性である必要があります。ドーピングレベルと純度は重要になります。
- 製造性： 複雑な形状は、SiCの硬度により製造が困難でコストがかかる場合があります。製造容易性設計（DFM）の原則を設計プロセス初期に適用する必要があります。
このような特殊部品の設計には、SiC材料科学と製造に関する専門知識が不可欠です。これは、材料革新と製造において強力なバックグラウンドを持つ機関、例えばSiC製造の主要拠点にある機関が大きな価値を提供できる分野です。そのような拠点の話ですが、中国の炭化ケイ素カスタム部品製造の中心は濰坊市です。この地域には40以上のSiC製造企業があり、中国のSiC総生産量の80％以上を占めています。
校正、規格、およびSiC測定精度の確保
あらゆる測定ツールの信頼性は、認識された基準に対する適切な校正にかかっています。炭化ケイ素の計測では、精度を確保するためにいくつかの重要な側面があります。
- トレーサブルな標準： 校正は、国家または国際計測機関（例：NIST、PTB）にトレーサブルな参照材料と標準を使用して実行する必要があります。SiCの場合、これには抵抗率、厚さ、または欠陥密度に関する認定参照材料が含まれます。
- 定期的な校正スケジュール： 測定器は、摩耗、環境変化、または電子部品の経年劣化により、時間の経過とともにドリフトします。メーカーが推奨する、または社内品質手順で決定された定期的な校正間隔が不可欠です。
- 校正手順： 標準化された校正手順に従うことが重要です。これには、特定のアーティファクト、環境制御、および校正データの統計分析が含まれる場合があります。
- 相互比較： ラウンドロビン試験または相互比較に参加することで、ラボの測定能力を検証し、潜在的なバイアスを特定できます。
- 測定不確かさの理解： すべての測定には、関連する不確かさがあります。この不確かさを定量化し、データ解釈と意思決定に組み込むことが重要です。不確かさの要因には、機器の制限、環境の影響、オペレーターの変動性、および校正プロセス自体が含まれます。
- を理解している、十分に訓練されたオペレーターは非常に貴重です。潜在的な問題を特定し、適切な調整を行うことができます。 適切に訓練されたオペレーターは、エラーを最小限に抑え、一貫性のある正確な測定を確保するための鍵となります。トレーニングでは、機器の操作、校正、サンプル準備、データ解釈をカバーする必要があります。
- 環境制御： 多くのSiC測定は、温度、湿度、振動、電磁干渉に影響を受けやすくなっています。管理された実験室環境を維持することが必要な場合がよくあります。
SiC固有の参照材料と標準化された測定プロトコルの開発は、SEMIやASTMなどの組織によって推進され、さまざまなラボやメーカー間の測定の一貫性と比較可能性をさらに向上させるための業界内での継続的な取り組みです。SiCとそのさまざまなポリタイプの複雑さにより、標準化は従来のシリコンよりも困難になる場合があります。
炭化ケイ素計量学における課題の克服
炭化ケイ素の測定は、その固有の材料特性と、それが対応する要求の厳しい用途により、独自の課題を提示します。
- 材料の硬度と脆性： SiCの極度の硬度により、特定の種類の分析（例：顕微鏡検査用の断面作成）のためのサンプルの準備が困難になり、接触プローブの摩耗を引き起こす可能性があります。その脆性には、慎重な取り扱いが必要です。
- 高温測定： 多くのSiCデバイスは高温で動作します。これらの条件下でのSiC特性の特性評価には、高温に耐え、正確な測定値を提供する特殊な機器が必要です。
- ワイドバンドギャップ効果： SiCのワイドバンドギャップ（例：4H-SiCの場合は約3.2 eV）は、その電気的挙動に影響を与え、シリコン用に開発された一部の標準的な半導体特性評価技術の効果を低下させたり、修正を必要としたりする可能性があります。たとえば、電気測定用の良好なオーム性接触を達成することは、より困難になる可能性があります。
- 欠陥の特性評価： SiCウェーハおよびエピ層におけるマイクロパイプ、基底面転位、積層欠陥などの重要な欠陥の特定と定量化は不可欠ですが、複雑になる可能性があります。さまざまな種類の欠陥を検出するには、さまざまな技術が必要になる場合があり、それらをデバイスの性能と関連付けることは、現在も研究が行われている分野です。
- ポリタイプ同定： SiCは、それぞれわずかに異なる特性を持つ多くの異なる結晶構造（ポリタイプ）で存在することができます。特に混合ポリタイプサンプルにおけるポリタイプの区別には、ラマン分光法やXRDなどの技術が必要です。
- の全体的な価格に影響を与える要因のままです。 SiCウェーハ、特に大口径のものは、著しい反りや歪みを示すことがあり、自動ハンドリングや一部の光学測定技術を複雑にする可能性があります。
- 表面汚染とパッシベーション： SiC表面は汚染に敏感である可能性があり、正確な表面感度測定には、注意深いクリーニングとパッシベーションが必要です。
これらの課題を克服するには、高度な計測器、洗練された分析技術、そして深い材料科学の専門知識の組み合わせが不可欠です。ツールベンダー、SiCメーカー、研究機関間の連携は、新しい、より改善された計測ソリューションの開発に不可欠です。ベストプラクティスの共有と、SiC特性評価における成功事例からの学習も、業界の発展に役立ちます。 SiC特性評価における成功事例からの学習も、業界の発展に役立ちます。 SiC特性評価における成功事例からの学習も、業界の発展に役立ちます。
SiC測定ツールとカスタムソリューションのパートナーの選択
炭化ケイ素測定ツールまたはお客様の計測ニーズに応じたカスタムSiCコンポーネントの開発に最適なパートナーを選択することは、重要な決断です。以下の要素を考慮してください。
- 技術的な専門知識と経験： SiC材料科学、デバイス物理学、および計測における実績のある専門知識を持つサプライヤーを探してください。彼らのチームは、SiC特性評価のニュアンスと、お客様のアプリケーション固有の課題を理解している必要があります。
- ソリューションの範囲： サプライヤーは、お客様のニーズに関連する包括的な測定ツールまたはサービスを提供できますか？カスタムコンポーネントについては、多様な製造能力を持っていますか？
- カスタマイズ能力： 特殊な測定セットアップやカスタムSiCコンポーネント（例：プローブ、治具、窓）が必要な場合は、サプライヤーがソリューションを調整するための強力な設計および製造能力を持っていることを確認してください。
- 品質と信頼性： サプライヤーの品質管理プロセス、認証、および正確性、再現性、耐久性に関する機器またはコンポーネントの評判を評価してください。
- サポートとサービス： 提供される技術サポート、トレーニング、校正サービス、およびメンテナンスのレベルを検討してください。ダウンタイムを最小限に抑えるには、迅速で知識豊富なサポートが不可欠です。
- イノベーションと研究開発への注力： 継続的な研究開発にコミットしているパートナーは、最先端のソリューションを提供し、進化するSiC技術の要件を常に先取りする可能性が高くなります。
- 業界での評判と参照： 他の顧客からのフィードバックを求め、お客様の業界または関連分野における実績を探してください。
Sicarb Techは、既製品以上のものを提供します。彼らは、炭化ケイ素製品のカスタム生産を専門とする一流の専門家チームを擁し、材料科学、プロセスエンジニアリング、設計、測定と評価にわたる幅広い技術を誇っています。材料から最終製品まで、この統合されたアプローチにより、多様なカスタマイズニーズに対応し、高品質でコスト競争力のあるカスタムSiCコンポーネントと測定ソリューションを提供する可能性があります。これらの高度な能力を理解しようとする企業は、 カスタマイズ・サポート 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高度なSiC測定におけるコスト要因とROI
高度な炭化ケイ素測定ツールとソリューションへの投資には初期費用がかかりますが、長期的な投資収益率（ROI）を考慮することが不可欠です。主なコスト要因は次のとおりです。
- 機器の複雑さと能力： より高い精度、自動化、または多機能能力を備えたより洗練されたツールは、一般的に購入価格が高くなります。
- ソフトウェアと分析機能： 高度なデータ分析ソフトウェア、AI主導の解釈、および包括的なレポート機能は、コストに追加される可能性があります。
- カスタマイズ： カスタム設計されたツールまたはコンポーネントは、通常、標準の既製製品よりも高価になります。
- 校正とメンテナンス： 定期的な校正、予防保守、および潜在的な修理にかかる継続的な費用を考慮する必要があります。
- トレーニングだ： 機器の操作と保守のために人員をトレーニングすることに関連するコスト。
- スループットと自動化レベル： 高度に自動化された高スループットシステムは、初期費用が高くなる可能性がありますが、大量生産ではサンプルあたりの測定コストを削減できます。
正確なSiC測定への投資からのROIは、いくつかの分野からもたらされます。
- スクラップと手直しの削減： 欠陥とプロセスの逸脱を早期に検出することで、無駄を最小限に抑えます。
- 歩留まりの向上： 正確なデータに基づいたより良いプロセス制御は、より高い歩留まりにつながります。
- 製品性能と信頼性の向上： より高い顧客満足度と保証請求の削減につながります。
- 市場投入までの時間の短縮： 効率的な研究開発とプロセスの検証により、製品開発サイクルが加速します。
- プロセスの最適化： データに基づいた洞察により、最適な効率と品質のために製造プロセスを微調整できます。
- 競争上の優位性： 精密測定によって実現される優れた品質と信頼性は、重要な市場差別化要因となり得ます。
コストを評価する際、調達マネージャーと技術バイヤーは、初期購入価格だけでなく、総所有コストと、改善された測定能力が運用と製品品質にもたらす具体的なメリットを考慮する必要があります。独自のSiC生産を確立することを検討している企業にとって、包括的な計測への初期投資は、成功を確実にするための重要な要素です。このような場合、 プロフェッショナルな炭化ケイ素製造のための技術移転（必要な測定インフラストラクチャに関するガイダンスを含む）を検討することは非常に有益です。
よくある質問（FAQ）
- 1. SiCパワーデバイスの測定で最も重要なパラメータは何ですか？
- SiCパワーデバイスの場合、重要なパラメータには、エピタキシャル層の厚さとドーピングの均一性、ブレークダウン電圧、オン抵抗（RDS（on））、リーク電流、ゲート酸化膜の完全性、およびマイクロパイプや基底面転位などの結晶欠陥の密度が含まれます。熱抵抗またはインピーダンスも、効果的な放熱を確保するために不可欠です。
- 2. SiCウェーハの測定は、標準的なシリコンウェーハの測定とどのように異なりますか？
- 一部の原則は重複していますが、SiCウェーハの測定には固有の課題があります。SiCの特定の波長に対する光の透過性には、異なる光学技術が必要です。その硬度により、接触プローブがより早く摩耗する可能性があります。マイクロパイプなどの独自の欠陥の存在には、特殊な検出方法（例：X線トポグラフィー、レーザー散乱）が必要です。また、より広いバンドギャップは、電気的特性評価技術により高い電圧または温度が必要になる可能性があり、接触形成がより困難になる可能性があります。
- 3. 標準的な半導体計測ツールをSiCに使用できますか？
- 一部の標準的な半導体計測ツールは、特に寸法測定と一部の光学特性評価について、特定のSiC測定に適応または使用できます。ただし、多くの重要なSiC固有のパラメータ（例：深層欠陥、高温電気特性、特定の結晶欠陥イメージング）については、正確で信頼性の高い結果を得るために、特殊なまたは修正されたツールが必要になることがよくあります。SiCの独自の特性により、標準的なツールは、意図された動作範囲または能力を超えてしまうことがよくあります。
- 4. Sicarb TechはSiCの測定とカスタマイズにおいてどのような役割を果たしていますか？
- Sicarb Techは、中国科学院との連携と、中国のSiC製造ハブである中国濰坊市を拠点とすることで、炭化ケイ素に関する優れた専門知識を提供しています。カスタムSiCコンポーネントを提供し、測定および評価技術を含む幅広い技術を保有しています。これにより、SiC製品に対する多様なカスタマイズニーズに対応でき、測定システム用の特殊コンポーネントなど、
