高精度SiCレーザー加工で複雑なデザインを実現

はじめに：炭化ケイ素機械加工の最先端

炭化ケイ素（SiC）は、優れた硬度、高い熱伝導率、優れた耐摩耗性、および化学的安定性など、その卓越した特性により、高性能産業用途における重要な材料として位置づけられています。しかし、これらの特性こそが、SiCを従来の加工方法で加工することを非常に困難にしています。産業界がますます複雑で小型化されたコンポーネントを求めているため、精密SiCレーザー加工が変革的な技術として登場しました。この高度な製造技術により、以前は達成不可能であったSiC部品に複雑な設計と微細な特徴を作成することが可能になり、半導体、航空宇宙、パワーエレクトロニクスなどの分野でイノベーションの新たなフロンティアが開かれています。レーザー加工は非接触法を提供し、機械的応力と工具の摩耗を最小限に抑えるため、この超硬セラミック材料に最適です。このブログ記事では、SiCレーザー加工のニュアンス、その用途、利点、およびカスタム炭化ケイ素コンポーネントにこの最先端技術を活用しようとしている企業にとっての重要な考慮事項について掘り下げていきます。

なぜ炭化ケイ素の複雑な設計にレーザー加工なのか？

研削やラッピングなどの炭化ケイ素の従来の機械加工方法は、複雑な形状、微細なディテール、および鋭い特徴の作成に苦労することがよくあります。また、マイクロクラックや表面下の損傷を引き起こし、SiCコンポーネントの完全性を損なう可能性もあります。SiCのレーザー加工は、いくつかの明確な利点を提供することにより、これらの制限を克服します。

• 非接触加工： レーザーは物理的な接触なしに材料をアブレーションまたは蒸発させ、工具の摩耗をなくし、ワークピースへの機械的応力を軽減します。これはSiCのような脆性材料にとって重要です。
• 高い精度と正確さ： 集束レーザービームはミクロンレベルの精度を達成でき、非常に微細な特徴、穴、チャネル、および複雑な2D/3Dパターンを作成できます。
• 熱影響部（HAZ）の最小化： 高度なレーザーシステム、特に超短パルスレーザー（フェムト秒およびピコ秒）は、熱影響部を最小限に抑えます。この「コールドアブレーション」プロセスは、熱損傷、マイクロクラック、および加工領域周辺の材料特性の変化を軽減します。
• 設計の柔軟性： レーザーシステムはデジタル制御されており、迅速なプロトタイピングと設計の容易な変更を可能にします。複雑なパスと複雑なパターンは、CADモデルから直接プログラムできます。
• 汎用性： レーザー加工は、SiC基板およびコンポーネントに対して、切断、穴あけ、スクライビング、溝加工、エッチング、および表面テクスチャリングなどのさまざまな操作を実行できます。
• 後処理の削減： レーザー加工された表面の精度と品質により、その後の仕上げ工程を最小限に抑えるか、または排除することができ、時間とコストを節約できます。

洗練された設計のカスタムSiCコンポーネントを必要とするメーカーにとって、レーザー加工は比類のない能力を提供し、この高度なセラミックで可能なことの限界を押し広げます。

SiCレーザー加工の主な産業用途

SiCレーザー加工の独自の能力により、さまざまな要求の厳しい業界で不可欠なものとなっています。以下は、いくつかの主要なアプリケーションの概要です。

金型は、SiC成形プロセスにおける重要なインターフェースです。	SiCレーザー加工の具体的な用途	利点
半導体	SiCウェーハのダイシング、ウェーハチャックの製造、冷却用マイクロチャネルのエッチング、MOCVD/CVDリアクター用コンポーネント（例：シャワーヘッド、インジェクターノズル）の製造。	高精度、チッピングの削減、歩留まりの向上、デバイス性能を向上させるための複雑なマイクロフィーチャの作成能力。
パワーエレクトロニクス	MOSFETおよびダイオード用SiC基板の構造化、絶縁スクライビング、複雑な冷却チャネルを備えたヒートシンクおよびスプレッダーの製造。	熱管理の強化、デバイスの信頼性の向上、より高い電力密度。
航空宇宙・防衛	軽量で高剛性のミラーと光学ベンチ、ロケットノズル、スラスター、および極超音速機のリーディングエッジ用コンポーネント、センサーコンポーネントの製造。	高い重量対強度比、熱安定性、過酷な環境での耐摩耗性。
LED製造	LED用SiC基板のスクライビングとダイシング、光抽出を改善するためのパターニング。	製造効率の向上、より明るいLED。
自動車	電気自動車（EV）パワーモジュール用コンポーネント、ブレーキシステム用部品、耐摩耗性シールおよびベアリング。摩擦特性を改善するためのレーザーテクスチャリング。	性能と耐久性の向上、高電圧EVシステムのサポート。
医療機器	精密外科用ツールの製造、生体適合性インプラント、高い耐摩耗性と安定性を必要とする診断機器用コンポーネント。	生体適合性、滅菌性、重要な医療用途の精度。
化学処理	耐食性ポンプコンポーネント、バルブ、シール、および高温で攻撃的な化学物質を扱うためのノズルの製造。	優れた化学的安定性、過酷な環境での長寿命。
産業機械	ベアリング、メカニカルシール、研磨性流体処理用ノズル、高温炉用コンポーネントなどの耐摩耗性部品の製造。	コンポーネントの寿命延長、メンテナンスの削減、運用効率の向上。

レーザー加工の汎用性により、SiCの新たな用途が登場するにつれて、この技術は、微細なディテールを必要とする技術セラミックコンポーネントを中心に、その実現を可能にする最前線に立つことになります。

コンポーネント向けの精密SiCレーザー加工の利点

シリコンカーバイドコンポーネントに精密レーザー加工を選択することで、優れた製品性能と製造効率につながる数多くの利点がもたらされます。これらの利点は、高品質で信頼性の高いSiC部品を求めるB2Bバイヤー、OEM、および技術調達の専門家にとって特に重要です。

• 比類のない幾何学的複雑さ： レーザー加工により、内部キャビティ、アンダーカット（特定のレーザー技術を使用）、従来の機械加工では不可能または費用対効果が低い複雑な表面パターンなど、高度に複雑な2Dおよび3D形状を作成できます。
• 優れた精度と再現性： 最新のレーザーシステムは、優れた位置精度と再現性を提供し、すべてのコンポーネントが厳格な寸法仕様を満たしていることを保証します。これは、公差が厳しい半導体や航空宇宙の用途に不可欠です。
• 熱的損傷の最小化： 超短パルスレーザー（フェムト秒またはピコ秒）を使用すると、「コールドアブレーション」が発生し、周囲への熱伝達を最小限に抑えて材料が除去されます。これにより、熱影響部（HAZ）が大幅に削減され、マイクロクラック、相変化、またはSiCの望ましい特性の劣化を防ぎます。
• 表面品質の向上： レーザー加工により、SiCに滑らかな表面仕上げを施すことができ、研削やラッピングなどの広範な後処理工程が不要になることがよくあります。特定のレーザーパラメータを調整して、接着性やトライボロジーの向上など、用途に応じた表面テクスチャを実現することもできます。
• 工具の摩耗なし： 非接触プロセスであるため、レーザー加工では、従来の工具で超硬SiCを機械加工する際に大きな問題となる工具の摩耗や交換に関連するコストとダウンタイムが排除されます。
• SiCグレード内での材料の多様性： レーザーパラメータを調整することにより、焼結SiC（SSiC）、反応焼結SiC（RBSiC）、化学気相成長（CVD）SiCなど、さまざまな種類のシリコンカーバイドにレーザー加工を適用できます。
• ラピッドプロトタイピングと生産： レーザー加工のデジタル特性により、設計変更と迅速な反復が可能になり、プロトタイピングに最適です。パラメータが最適化されると、カスタムシリコンカーバイド製品の効率的な量産にも対応できます。
• 複雑な部品の費用対効果： レーザー加工装置への初期投資は高額になる可能性がありますが、複雑な部品や高精度を必要とする部品の場合、材料の無駄の削減、人件費の削減、工具費の削減により、長期的に見て費用対効果が高くなる可能性があります。

これらの利点を活用することで、企業は競争上の優位性を獲得し、優れた性能と信頼性を備えた革新的なSiCコンポーネントを製造できます。

炭化ケイ素加工に利用されるレーザーの種類

SiC加工で最適な結果を得るには、レーザーの選択が重要です。さまざまな種類のレーザーは、波長、パルス幅、出力に関してさまざまな特性を提供し、特定の用途やSiCグレードに適しています。

• 超短パルスレーザー（フェムト秒およびピコ秒）：
  • フェムト秒レーザー（パルス幅～10^-15 s）： これらは、高精度SiC機械加工のゴールドスタンダードと見なされることがよくあります。非常に短いパルス幅により、「コールドアブレーション」が発生し、材料はバルク材料への熱エネルギーの移動を最小限に抑えてほぼ瞬時に蒸発します。これにより、HAZが無視できるほど小さく、再キャスト層がなく、非常にクリーンなカットと特徴が得られます。マイクロマシニング、微細な穴あけ、最高品質の複雑なパターンの作成に最適です。
  • ピコ秒レーザー（パルス幅～10^-12 s）： フェムト秒レーザーとより長いパルスレーザーのバランスを提供し、ピコ秒レーザーも熱的損傷を最小限に抑えた優れた加工品質を提供します。特定の用途ではフェムト秒レーザーよりも高いアブレーション率を達成できるため、スクライビング、溝加工、高速パターニングなどのタスクに適しています。
• ナノ秒レーザー（例：UV、グリーン、IR）：
  • UVレーザー（例：エキシマ、周波数3倍Nd：YAG）： シリコンカーバイドは、紫外線スペクトルで強い吸収を示します。UVレーザーは、より短い波長（例：355 nm、266 nm）により、表面でのエネルギー吸収が向上し、IRレーザーと比較して、より効率的な材料除去とより微細な特徴が得られます。SiCのスクライビング、ダイシング、穴あけに広く使用されています。HAZは超短パルスレーザーよりも大きくなりますが、管理できます。
  • グリーンレーザー（例：周波数2倍Nd：YAG）： 波長が約532 nmのグリーンレーザーは、吸収とコストの点でUVレーザーとIRレーザーの妥協点を提供します。より高い出力が有益な厚いセクションの切断や穴あけなど、さまざまなSiC機械加工タスクに効果的です。
  • 赤外線（IR）レーザー（例：Nd：YAG、ファイバーレーザー）： SiCは室温ではIR波長に対してある程度透明ですが、高出力IRレーザーは、特に多光子吸収またはプラズマの開始によって、SiCを加工できます。速度が最高の表面品質よりも優先される粗い切断または深穴あけによく使用されます。HAZは通常、IRレーザーの方が大きくなります。

選択プロセスには、特定のSiC材料グレード（例：反応焼結SiC対焼結SiC）、必要な特徴サイズと品質、加工速度の要件、および全体的な費用対効果を考慮することが含まれます。熱的影響を最小限に抑えた複雑な設計には、一般的に超短パルスレーザーが推奨されます。

SiCにおける複雑な機能の実現可能な精度と設計

レーザー加工は、シリコンカーバイドコンポーネントに非常に正確で複雑な特徴を作成する能力に革命をもたらしました。達成可能な限界と設計上の考慮事項を理解することは、エンジニアと設計者にとって不可欠です。

達成可能な精度：

• 特徴サイズ： 超短パルスレーザーを使用すると、特徴サイズは数マイクロメートル（µm）から数十マイクロメートルの範囲になります。これには、穴径、チャネル幅、切断用のカーフ幅が含まれます。
• 公差： 寸法公差は通常、特徴の複雑さ、材料の厚さ、および使用するレーザーシステムに応じて、±5 µmから±25 µmの範囲に保持できます。より厳しい公差には、多くの場合、より洗練されたプロセス制御と、場合によってはより遅い処理速度が必要です。
• エッジ品質： レーザー加工、特にフェムト秒またはピコ秒レーザーを使用すると、欠けやバリが最小限に抑えられた、シャープでクリーンなエッジを生成できます。これは、機械的方法よりも大きな利点です。
• 表面粗さ（Ra）： レーザーパラメータとSiCグレードによっては、レーザー加工された表面は、サブミクロンレベルから数ミクロンまでのRa値を達成できます。非常に滑らかな表面（例：光学ミラー）を必要とする用途では、後処理（微細研磨など）が必要になる場合があります。

複雑な特徴の設計上の考慮事項：

• アスペクト比： 穴あけまたは深いチャネルの切断を行う場合、アスペクト比（深さ対幅の比）は重要なパラメータです。レーザーは高いアスペクト比を達成できますが、レーザーの種類と集光光学系によっては制限があります。深くて狭い特徴には、デブリの除去とビーム品質の維持を管理するための特殊な技術が必要になる場合があります。
• 材料の厚さ： SiCワークピースの厚さは、レーザーの選択と処理速度に影響します。より厚い材料には、複数のパスまたはより高いレーザー出力が必要になる場合があり、精度とHAZに影響を与える可能性があります。
• 最小壁厚： 密接に配置された特徴または薄い壁を設計する場合は、「コールドアブレーション」であっても、材料固有の脆性と潜在的な熱応力を考慮した設計になっていることを確認してください。ガイドラインについては、レーザー加工プロバイダーにご相談ください。
• コーナー半径： レーザーは、ビーム径により自然に小さなコーナー半径を生成します。完全にシャープな内角を達成することは困難な場合があります。設計で許容可能なコーナー半径を指定してください。
• テーパー角： レーザーカットまたは穴あけされた特徴は、特に厚い材料ではわずかなテーパーを示す場合があります。これは、最適化されたプロセスパラメータとビームシェーピング技術で最小限に抑えることができます。テーパーが重要な場合は、指定する必要があります。
• CADファイルの準備： 明確に定義された特徴と公差を備えた、クリーンで正確なCADファイル（例：DXF、DWG、STEP）を提供します。これにより、レーザー制御ソフトウェアへのスムーズな変換が保証されます。
• 材料グレード： さまざまなSiCグレード（例：多孔質、高密度、CVD）は、レーザーエネルギーを異なるように吸収し、さまざまな熱的および機械的特性を持っています。設計は、選択したSiCグレードと互換性があり、レーザープロセスはそれに応じて調整する必要があります。たとえば、CVD SiCは、その高い純度と密度により、より微細な特徴を可能にする場合があります。

設計段階で経験豊富なSiCレーザー加工スペシャリストと緊密に連携することで、製造可能性を最適化し、複雑な設計が目的の精度と品質で実現されるようにすることができます。

材料に関する考慮事項：レーザー加工に適したSiCグレード

レーザー加工は汎用性がありますが、シリコンカーバイドの特定のグレードは、機械加工プロセスと結果に大きく影響します。これらのニュアンスを理解することは、用途に最適な材料を選択する調達マネージャーとエンジニアにとって重要です。

SiCグレード	特性	レーザー加工性と考察
焼結炭化ケイ素（SSiC）/直接焼結SiC（DSSiC）	高密度（>98%）、細粒度、優れた強度、硬度、耐食性。純SiC。	一般的に、高精度と最小限のHAZを実現するために、超短パルスレーザー（フェムト秒、ピコ秒）でうまく処理されます。UVおよびグリーンナノ秒レーザーも効果的です。その均質性により、一貫したアブレーションが可能です。高純度SiCコンポーネントを必要とする要求の厳しい用途に最適です。
反応焼結シリコンカーバイド（RBSiC）/シリコン含浸SiC（SiSiC）	SiC粒子と遊離ケイ素（通常8〜20％）を含む複合材料。優れた熱伝導率、中程度の強度、優れた耐摩耗性。	遊離ケイ素の存在は、レーザーの相互作用に影響を与える可能性があります。ケイ素は、SiCよりも低い融点/蒸発点を持っています。これにより、SiCと比較して、ケイ素の優先的な除去または異なるアブレーション特性が生じることがあります。超短パルスレーザーは、差分効果とHAZを最小限に抑えるために推奨されます。慎重なパラメータ最適化が不可欠です。多くの場合、工業用SiCコンポーネントの費用対効果の高い選択肢です。
窒化ケイ素結合炭化ケイ素（NBSiC)	ケイ素窒化物相で結合されたSiC粒子。優れた耐熱衝撃性、中程度の強度。多くの場合、多孔質です。	多孔性は、レーザーの吸収と表面仕上げに影響を与える可能性があります。レーザー加工を使用できますが、エッジ品質と内部表面粗さは、多孔質構造の影響を受ける可能性があります。バインダー相の過度の溶融または内部クラックを避けるために、パラメータ調整が重要です。
化学蒸着炭化ケイ素（CVD SiC）	超高純度（99.999％以上）、完全に高密度、優れた耐薬品性と熱安定性。多くの場合、コーティングとして、または高純度コンポーネントの製造に使用されます。	その純度と均質性により、レーザー加工に優れています。非常に微細な特徴と滑らかな表面を可能にします。マイクロマシニング中にその元の品質を維持するには、超短パルスレーザーが最適です。半導体グレードのSiC用途に使用されます。
再結晶炭化ケイ素（RSiC）	典型的には多孔質で、高温で圧縮されたSiC粒子を焼成することによって形成されます。優れた耐熱衝撃性。	NBSiCと同様に、多孔性が重要な要素です。粒状構造と多孔性のために、非常に微細でシャープな特徴を達成するためのレーザー加工は困難な場合があります。多くの場合、窯の備品や炉のコンポーネントに使用されます。
グラファイトをロードまたは修正したSiC	熱伝導率または機械加工性（ただし、依然として硬い）などの特定の特性を強化するためにグラファイトを追加したSiC。	グラファイトの存在は、レーザー吸収を助長し、より幅広いレーザーでの処理を容易にする可能性があります。ただし、均一な結果を得るには、SiCとグラファイトの異なるアブレーション率を管理する必要があります。

レーザー加工用のSiCグレードを選択する際の主な考慮事項は次のとおりです。

• 純度の要件： 半導体業界での用途では、SSiCやCVD SiCなどの高純度グレードが求められることがよくあります。
• 熱特性： 材料の熱伝導率と熱膨張係数は、レーザーエネルギーへの応答に影響します。
• 機械的特性： 硬度と破壊靭性は、材料除去率とマイクロクラックの可能性に影響します。
• 多孔性： 多孔質材料は、異なる吸収特性を持つ可能性があり、機械加工された表面が粗くなる可能性があります。
• 望ましい機能の解像度： SSiCやCVD SiCのような高密度で微細な材料は、一般的に高精度で微細な特徴を実現できます。

最適な結果を得るには、レーザー加工を専門とする技術セラミックスの専門家と、特定の用途と材料の選択について必ず話し合うことをお勧めします。

SiCレーザー加工における一般的な課題と軽減策

多くの利点があるにもかかわらず、炭化ケイ素のレーザー加工には課題がないわけではありません。これらの潜在的な問題を理解し、それらを軽減する方法を知ることは、実装を成功させるために不可欠です。

• マイクロクラックと脆性：
  • チャレンジだ： SiCは本質的に脆いです。正確なレーザー制御を行っても、熱応力（超短パルスで最小化されますが）は、特にパルスレーザーが長い場合や、積極的な加工パラメータを使用した場合、マイクロクラックを誘発することがあります。
  • 緩和：
    • 超短パルスレーザー（フェムト秒/ピコ秒）を使用して、「コールドアブレーション」を実現し、熱影響部（HAZ）を最小限に抑えます。
    • レーザーパラメータを最適化します：フルエンス、パルス繰り返し周波数、スキャン速度、パルスオーバーラップ。
    • パスあたりのエネルギーを低くして、マルチパス戦略を使用します。
    • 一部の用途では、基板を予熱（慎重に制御）することで熱勾配を減らすことができますが、これは超短パルスではあまり一般的ではありません。
    • 鋭い内角や応力集中点として機能する特徴を避けるために、適切なコンポーネント設計を行います。
• 熱影響部（HAZ）：
  • チャレンジだ： 超短パルスレーザーでは大幅に減少しますが、HAZがまだ発生し、局所的に材料特性（例：組成、相変化）が変化する可能性があります。これは、ナノ秒またはCWレーザーでより顕著です。
  • 緩和：
    • 重要な用途には、フェムト秒またはピコ秒レーザーを優先します。
    • レーザーパラメータを最適化し、加熱ではなくアブレーションにエネルギーが効率的に使用されるようにします。
    • 効果的なガスアシスト（例：窒素、アルゴン）を実装して、加工ゾーンを冷却し、デブリを迅速に除去します。
• デブリの再堆積と表面汚染：
  • チャレンジだ： アブレーションされた材料は、加工された表面または周囲の領域に再堆積し、表面品質や潜在的に特徴の精度に影響を与える可能性があります。
  • 緩和：
    • 効果的なガスジェット（同軸またはオフアクシス）を使用して、加工領域からデブリを除去します。
    • スキャン戦略を最適化して、デブリを完成領域から遠ざけます。
    • デブリ抽出には真空システムを採用します。
    • 非常に敏感な表面には保護コーティングまたは犠牲層を検討します（ただし、これにより複雑さが増します）。
    • 後処理クリーニング（例：脱イオン水または特定の溶剤での超音波クリーニング）。
• 高純度のシリカ砂と石油コークスから製造され、グリーンSiCは、一般的にブラックSiCよりも高い純度（通常は>99% SiC）と硬度を持ちます。精密用途（硬合金のラッピング、研削、シリコンウェーハのワイヤーソーイング、純度が最優先される高度なセラミックスの製造など）に好まれることがよくあります。
  • チャレンジだ： レーザーは良好な表面を生成できますが、レーザーアブレーションを介して直接超平滑仕上げ（例：光学用途向け）を実現することは困難な場合があります。レーザー誘起周期構造（LIPSS）または軽度の再キャストが発生する可能性があります。
  • 緩和：
    • パルスオーバーラップやフルエンスなど、レーザーパラメータを微調整します。
    • 特定のスキャンパターン（例：クロスハッチング）を使用します。
    • サブナノメートル粗さが必要な場合は、研磨やラッピングなどの二次仕上げプロセスを計画します。レーザーテクスチャリングも、特定の機能性にとって望ましい結果となる場合があります。
• プロセス速度とスループット：
  • チャレンジだ： 高精度レーザー加工、特に超短パルスレーザーを使用すると、バルク材料除去のための従来のメソッドよりも遅くなる場合があります。これは、大量生産のスループットに影響を与える可能性があります。
  • 緩和：
    • 品質を損なうことなく、最大の効率的なアブレーション速度を得るためにレーザーパラメータを最適化します。
    • 品質上の制約が許す場合は、適切な高出力レーザーを使用します。
    • 高速パターニングには、高度なビームステアリングシステム（ガルバノスキャナーなど）を使用します。
    • ハイブリッドアプローチを開発します。微細な特徴にはレーザーを使用し、重要度の低い領域のバルク除去には、従来のメソッド（可能な場合）を使用します。
    • 複数のレーザービームまたはシステムによる並列処理。
• 設備と専門知識のコスト：
  • チャレンジだ： 高度なレーザーシステム、特にフェムト秒レーザーは、多額の設備投資を必要とします。これらのシステムを運用および保守するには、専門的な知識が必要です。
  • 緩和：
    • 直接投資することなく、専門的なSiCレーザー加工サービスプロバイダーと提携して、その専門知識と設備を活用します。
    • コンポーネントの性能向上、無駄の削減、および新しい製品機能の実現に基づいて、ROIを慎重に評価します。

これらの課題を克服するには、適切なレーザー技術の選択、綿密なプロセス最適化、および経験豊富なエンジニアリングの組み合わせが必要になることがよくあります。これらの複雑さを乗り越えるには、知識豊富なパートナーとの連携が不可欠です。

精密加工のためのパートナーシップ：SiCレーザー加工サプライヤーの選択

お客様のカスタム炭化ケイ素レーザー加工ニーズに最適なサプライヤーを選択することは、コンポーネントの品質、リードタイム、およびプロジェクト全体の成功に直接影響する重要な決定です。B2Bバイヤー、OEM、および技術調達の専門家にとって、この選択には、いくつかの要因を慎重に評価する必要があります。

パートナーを検討する際には、専門知識の高い地域に目を向けることが価値があります。例えば、 中国の炭化ケイ素カスタム部品製造の中心地は、中国の濰坊市にあります。 この地域には40以上の炭化ケイ素製造企業があり、全国のSiC総生産量の80％以上を占めています。

当社の国内トップクラスの専門チームは、複雑なレーザー加工を含む炭化ケイ素製品のカスタム製造を専門としています。材料、プロセス、設計、測定、評価にわたる包括的な技術スイートにより、原材料から完成品までの一体的なアプローチを提供し、多様で複雑なカスタマイズニーズに対応できることを保証します。

SiCレーザー加工のサプライヤーを選択する際に評価すべき主な基準を以下に示します。

• 技術的専門知識と経験：
  • サプライヤーは、さまざまなSiCグレードのレーザー加工に関する実績のある経験を持っていますか？
  • 同様の複雑さを持つ、正常に完了したプロジェクトのポートフォリオを提示できますか？（成功事例を見る)
  • SiCのレーザーと材料の相互作用に関する深い知識を持っていますか？