SiC in Telecom：より高速で信頼性の高いネットワークを実現

はじめに：最新の通信におけるカスタム炭化ケイ素の重要な役割

通信業界は、より高いデータレート、より低い遅延、およびユビキタス接続に対する飽くなき需要によって牽引され、前例のない変革を遂げています。5G、モノのインターネット（IoT）、高度な衛星通信などのテクノロジーは、既存の材料とコンポーネントの限界を押し上げています。このハイステークスの環境において、カスタム炭化ケイ素（SiC）製品が重要なイネーブラーとして登場しています。炭化ケイ素は、ケイ素と炭素の化合物であり、優れた熱的、電気的、および機械的特性で有名な高性能技術セラミックスです。ケイ素などの従来の半導体材料とは異なり、SiCは高出力、高周波、および高温用途で優れた性能を発揮し、次世代の通信インフラストラクチャに不可欠なものとなっています。SiCコンポーネントをカスタマイズできるため、エンジニアは高度な通信システムの厳しい要求を正確に満たすことができ、最適な性能、信頼性、および効率を確保できます。基地局から光ネットワーク、衛星ペイロードまで、カスタムSiCは、より高速で、より接続された世界の基盤を築いています。

ネットワーク性能の向上を求めるには、より高い電力密度を処理し、より高い周波数で動作し、過酷な環境条件に耐えることができる材料が必要になります。炭化ケイ素技術セラミックスは、高熱伝導率、広帯域ギャップ、高絶縁破壊電界、および優れた化学的慣性などの特性のユニークな組み合わせを提供する堅牢なソリューションを提供します。これらの特性は、より効率的な電力変換、信号損失の低減、コンポーネントサイズの小型化、およびシステムの長寿命化など、通信用途に直接的なメリットをもたらします。ネットワークの複雑さが増すにつれて、SiCのような信頼性の高い高性能材料の重要性はいくら強調してもしすぎることはありません。

通信におけるSiCの主な用途

炭化ケイ素の汎用性により、さまざまな通信システムに適用できます。そのユニークな特性は、信号増幅、電力管理、熱制御、およびコンポーネントの耐久性における主要な課題に対応します。

• 無線周波数（RF）用途： SiCは、トランジスタ（例：GaN-on-SiC HEMT）、フィルタ、および共振器などの高出力RFデバイスでますます使用されています。その高い熱伝導率により、基地局や衛星通信システムで使用される強力なRFアンプで性能と信頼性を維持するために不可欠な、効率的な放熱が可能になります。GaN RFデバイス用のSiC基板は、特に5Gインフラストラクチャに不可欠です。
• パワーエレクトロニクス 通信電源、インバータ、およびコンバータは、SiCベースのダイオードとMOSFETから大きな恩恵を受けます。これらのデバイスは、シリコンの同等品と比較して、より高いスイッチング周波数、より低い損失、およびより高い動作温度を提供し、基地局、データセンター、およびネットワーク機器向けの、よりコンパクトで効率的で信頼性の高い電源システムにつながります。
• 光ネットワーキング： 光ファイバー通信では、熱的安定性と剛性が最重要となるマウント、ベンチ、および構造要素に、精密SiCコンポーネントを使用できます。カスタムSiCコンポーネントは、さまざまな温度での光要素の配置精度を保証します。
• 熱管理ソリューション： SiCの優れた熱伝導率（特殊グレードでは200 W/mKを超えることが多い）により、高密度に実装された通信機器のSiCヒートシンク、ヒートスプレッダー、および熱管理コンポーネントに最適な材料となっています。効果的な放熱は、コンポーネントの長寿命化と安定した動作に不可欠です。
• マイクロ波およびミリ波コンポーネント： 5G以降で使用されるより高い周波数（マイクロ波およびミリ波帯）では、SiCの低誘電損失と高電力処理能力が、導波管、アンテナ、およびその他の受動部品に有利です。
• 衛星通信： 衛星内のコンポーネントは、極端な温度変動と放射線にさらされます。SiCの熱安定性、耐放射線性、軽量性（一部の従来の金属と比較して）は、衛星ペイロードの構造部品、ミラー、電子パッケージングに適しています。
• 試験・計測機器： 高精度SiC部品は、寸法安定性と耐摩耗性が正確で再現性のある測定に不可欠な、通信デバイスの試験用に設計された機器にも使用されています。

通信ネットワークにカスタム炭化ケイ素を選択する理由

通信ネットワークでカスタム炭化ケイ素部品を選択する決定は、業界がより高い性能、信頼性、効率性を求めて進化し続けるニーズに直接対応する、説得力のある一連の利点によって推進されています。

• 熱管理の強化： 通信機器、特に5G基地局や高出力アンプは、かなりの熱を発生させます。SiCの高い熱伝導率は、優れた放熱を可能にし、過熱を防ぎ、デバイスの寿命を延ばし、よりコンパクトな設計を可能にします。カスタム設計により、特定の用途に合わせて熱経路を最適化できます。
• 優れた高周波性能： SiCの広いバンドギャップと高い電子飽和速度により、デバイスはより高い周波数で、より低い損失で効率的に動作できます。これは、5G、ミリ波アプリケーション、および次世代ワイヤレステクノロジーにとって重要です。カスタムSiC基板は、最適なRF性能に合わせて調整できます。
• 電力密度の向上： SiCデバイスは、シリコンと比較して、より小さなパッケージでより高い電圧と電流を処理できます。これにより、電力密度が向上し、電力出力を犠牲にすることなく、より小型で軽量な通信機器が可能になります。これは、ポールマウント型5Gスモールセルや衛星ペイロードに特に有効です。
• 耐久性と信頼性の向上： SiCは、優れた機械的強度、硬度、耐摩耗性、耐浸食性を示します。これにより、過酷な屋外環境や物理的な動きを伴う用途に展開される通信インフラストラクチャに、耐久性のあるSiC部品が理想的です。その化学的慣性も腐食から保護します。
• 小型化： SiCの優れた特性により、より小型で軽量な部品の設計が可能になります。カスタマイズにより、複数の機能を単一のSiC部品に統合できるため、最新の通信ハードウェアの主要なトレンドであるシステムの小型化にさらに貢献します。
• システムレベルのコスト削減： SiC部品は初期コストが高くなる可能性がありますが、その優れた効率性、信頼性、および長寿命により、全体的なシステムレベルのコストを削減できます。これには、消費電力の削減、冷却要件の削減、メンテナンスや交換の頻度の低下が含まれます。
• 特定のニーズに合わせたソリューション： 通信アプリケーションは多様であり、それぞれに独自の要件があります。 カスタムSiC製造 は、RFフィルタからパワーモジュール基板まで、意図されたアプリケーションに完全に合致する、特定の形状、表面仕上げ、および材料組成の部品の作成を可能にします。

通信コンポーネントに推奨されるSiCグレードと組成

特定の通信アプリケーションでの性能を最適化するには、炭化ケイ素グレードの選択が重要です。さまざまな製造プロセスにより、特性が異なるSiC材料が得られます。通信分野に関連する主なグレードには、以下が含まれます。

SiCグレード	主な特徴	典型的な通信アプリケーション
焼結炭化ケイ素（SSiC）	高純度（通常は99％以上）、優れた耐薬品性、高強度と硬度、良好な熱伝導率（150～250 W/mK）、良好な耐摩耗性。	構造部品、ヒートシンク、パワーエレクトロニクスの基板、過酷な環境用の部品、精密アライメント治具。
反応焼結炭化ケイ素（RBSiCまたはSiSiC）	いくつかの遊離シリコン（通常8～15％）を含み、良好な熱伝導率（120～180 W/mK）、優れた耐熱衝撃性、比較的複雑な形状を形成しやすく、良好な寸法安定性。	熱拡散器、大型構造部品、RFフィルタ、極度の純度が主な関心事ではないが、熱性能と複雑な形状が重要であるアンテナ部品。
化学蒸着SiC（CVD-SiC）	超高純度（99.999％以上）、優れた熱伝導率（同位体SiCなどの特定の形態では300 W/mKを超える可能性あり）、優れた表面仕上げ能力、優れた誘電特性。	RFおよびマイクロ波デバイス用の高性能基板、光学部品、通信チップの製造に使用される半導体処理装置。多くの場合、より高価です。
窒化ケイ素結合炭化ケイ素（NBSiC)	良好な耐熱衝撃性、高温強度、優れた耐摩耗性。多くの場合、より過酷な産業用途で使用されますが、支持構造にも使用できます。	通信部品の製造プロセスにおける支持構造、特殊な治具。
多孔質SiC	制御された多孔性、軽量、ろ過用または複合材料のコア材料として適しています。特定のグレードは、調整された熱的または誘電的特性を提供できます。	特殊なRF吸収体、軽量構造支持体、通信冷却システムにおけるヒートパイプ用のウィッキング構造。

選択プロセスには、必要な特性（熱伝導率、電気抵抗率、機械的強度など）、複雑な形状の製造可能性、およびコストのトレードオフが含まれます。たとえば、CVD-SiCは最高の純度と熱伝導率を提供しますが、SSiCまたはRBSiCは、これらの超ハイエンド特性が厳密に必要ではないが、従来の材料を超える性能を依然として要求する用途に対して、より費用対効果の高いソリューションを提供する可能性があります。高純度SiCグレードは、信号経路に直接配置される用途や、特定の誘電特性を必要とする用途でよく使用されますが、RBSiCのようなグレードは、性能とコストのバランスが重要である熱管理部品に最適です。

通信インフラストラクチャにおけるSiC製品の設計に関する考慮事項

通信インフラストラクチャ用の炭化ケイ素を使用した部品の設計には、最適な性能、信頼性、および費用対効果を確保するために、その独自の材料特性と製造プロセスを慎重に検討する必要があります。

• 熱管理の統合： SiCの優れた熱伝導率を考慮すると、設計では放熱経路を最大化する必要があります。これには、SiCヒートシンクの形状を最適化し、発熱デバイスとの良好な熱接触を確保し、空気の流れまたは液体冷却の統合を検討することが含まれます。熱シミュレーションには、有限要素解析（FEA）を強く推奨します。
• 高周波電気性能： RFおよびマイクロ波アプリケーションでは、SiC材料の誘電率、損失正接、表面粗さ、および金属化適合性などの設計面が重要です。SiC基板と導波管の形状は、所望のインピーダンスを達成し、信号損失を最小限に抑えるために正確に制御する必要があります。カスタム精密SiC製造がここで重要です。
• 脆性の管理： SiCは硬いが脆いセラミックです。設計では、鋭角、応力集中、薄く支持されていない部分を避ける必要があります。十分な半径、面取り、および堅牢な支持構造が推奨されます。衝撃抵抗と組み立ておよびメンテナンス中の取り扱いも考慮する必要があります。
• 機械加工性と複雑さ： SiCは厳しい公差に機械加工できますが、硬い材料であるため、機械加工は複雑で費用がかかります。設計は、可能な限り単純化することを目的とする必要があります。ブラインドホール、深いポケット、複雑な曲面などの機能は、製造時間とコストを増加させます。製造可能性のための設計（DfM）について、SiCサプライヤーと話し合うことが重要です。
• 接合と組み立て： SiC部品がより大きなアセンブリにどのように統合されるかを検討してください。ろう付け、拡散接合、または機械的クランプなどの方法が使用されます。接合方法の選択は、全体的な設計と隣接する材料との熱膨張適合性に影響を与える可能性があります。
• 金属化： 多くの電子アプリケーションでは、SiC部品は電気的接点またはろう付けのために金属化を必要とします。金属化の種類（Ti/Pt/Au、Niなど）とその接着強度は、特に熱サイクル下での信頼性にとって重要な設計上の考慮事項です。
• 小型化と統合： SiCの特性を活用することで、より小型の部品を設計できます。設計者は、複数の機能を単一のカスタムSiC部品に統合して、システムのサイズ、重量、および部品数を削減する可能性を検討する必要があります。
• 環境要因： SiCは一般的に堅牢ですが、特定の通信環境（塩水噴霧のある沿岸地域、屋外基地局の極端な温度、衛星部品の宇宙空間での真空など）は、材料グレードの選択と必要に応じた保護コーティングで考慮する必要があります。

効果的な設計は、通信エンジニアとSiC部品メーカー間の共同プロセスです。早期の関与により、設計が性能と製造可能性の両方に対して最適化されていることが保証されます。

通信SiC部品の公差、表面仕上げ、および寸法精度

要求の厳しい通信の世界では、部品の精度が最も重要です。通信システムで使用される炭化ケイ素部品の場合、最適な性能、相互運用性、および信頼性を確保するには、厳しい公差、特定の表面仕上げ、および高い寸法精度を達成することが不可欠です。

公差：

炭化ケイ素は非常に硬い材料であるため、正確な寸法を達成するには、特殊な研削および機械加工プロセスが必要です。SiC部品で達成可能な一般的な公差は、部品のサイズと複雑さ、特定のSiCグレード、および製造方法（焼結対反応結合など）によって異なります。

• 標準公差： 一般的な機能の場合、公差は±0.1 mmから±0.5 mmの範囲です。
• 精密公差： 高度な研削およびラッピング技術を使用すると、より厳しい公差を達成できます。多くの場合、重要な寸法、平面度、および平行度については、±0.005 mmから±0.025 mm（±5〜25ミクロン）の範囲です。
• コストへの影響： より厳しい公差は、より複雑な機械加工操作、より高い工具摩耗、および検査時間の増加につながるため、必然的に製造コストを増加させます。コストを効果的に管理するには、各機能に必要な精度のレベルのみを指定することが不可欠です。

表面仕上げ：

SiC部品の表面仕上げは、さまざまな通信アプリケーションにとって重要です。

• RFおよびマイクロ波アプリケーション： 高周波での信号損失を最小限に抑えるには、基板や導波管に滑らかな表面（低いRa値）が必要です。表面粗さは、導体損失とデバイス全体の効率に影響を与える可能性があります。Ra < 0.1 µmの仕上がりがよく必要とされます。
• 光学部品： 光通信システムにおけるSiCミラーまたはベンチの場合、所望の反射率を達成し、光の散乱を最小限に抑えるには、非常に滑らかで研磨された表面（ナノメートルのRa）が必要です。
• 表面のシーリング： 気密シールまたは他の部品との正確な嵌合を必要とする部品は、適切なシールまたはインターフェースを確保するために、制御された表面仕上げを必要とします。
• 達成可能な仕上げ：
  • 焼成時：表面仕上げは粗く、重要でない表面に適しています。
  • 研削：Ra値は通常0.4 µmから1.6 µmの範囲です。
  • ラップ/研磨：Ra値は0.05 µm未満まで、または超研磨された表面ではオングストロームレベルまで下げることができます。

寸法精度：

寸法精度とは、製造された部品がエンジニアリング図面に指定された寸法に適合していることを指します。通信のSiC部品の場合、これには以下が含まれます。

• 幾 平坦度、平行度、垂直度、真円度などの機能は、多くの場合重要であり、特に取り付け面、インターフェース、および共振構造の部品については、厳密に制御する必要があります。
• 一貫性： 高い寸法精度は、部品間の整合性を保証します。これは、自動組み立てプロセスと予測可能なシステム性能にとって不可欠です。

通信SiC部品に必要な公差、表面仕上げ、および寸法精度を達成するには、精密ダイヤモンド研削盤、ラッピング盤、研磨盤、および洗練された計測機器（CMM、光学プロファイラー、干渉計など）を含む高度な製造能力が必要です。精密SiC機械加工の経験豊富なサプライヤーとの緊密な連携が不可欠です。

通信システムにおけるSiCの後処理のニーズ

炭化ケイ素部品の最初の成形と焼結（または反応結合）の後、通信アプリケーションの厳しい要件を満たすために、さまざまな後処理手順が必要になることがよくあります。これらの手順は、部品の形状、表面特性、および機能を洗練させます。

• 研磨： SiCは非常に硬いため、精密な寸法と公差を達成するための主な方法はダイヤモンド研削です。これには、平面度に対する表面研削、ロッドとチューブに対する円筒研削、複雑な形状に対する複雑なプロファイル研削が含まれます。精密ダイヤモンド研削は、ほとんどの通信SiC部品の基本です。
• ラッピングとポリッシング： RF基板、光学部品、またはシール面など、超滑らかな表面を必要とする用途には、ラッピングと研磨が使用されます。これらのプロセスでは、徐々に細かい研磨スラリーを使用して、低いRa値と鏡面のような仕上げを達成します。これは、高周波での信号損失を最小限に抑えたり、光学性能を確保したりするために重要です。
• 機能の機械加工： 穴、ねじ（ただし、困難であり、可能な場合は避けることが多い）、スロット、およびその他の特定の機能を作成するには、特殊なダイヤモンド工具とCNC機械加工技術が必要になる場合があります。放電加工（EDM）は、特定のSiCグレードの複雑な形状に使用される場合がありますが、研削ほど一般的ではありません。
• クリーニング： 製造プロセスからすべての汚染物質、機械加工油、または微粒子を除去するには、徹底的な洗浄が不可欠です。特殊な洗剤と脱イオン水を使用した多段階超音波洗浄プロセスが一般的です。特に高純度用途の場合。
• エッジ面取り/ラジアス加工： 脆いSiC部品の欠けのリスクを減らし、取り扱い安全性を向上させるために、エッジはしばしば面取りまたは丸められます。これは、応力集中を減らすこともできます。
• 金属化： 多くの電子アプリケーションと一部の接合アプリケーションでは、SiC表面を金属化する必要があります。これには、スパッタリングや蒸着などのプロセスを通じて、薄い金属層（Ti、Pt、Au、Ni、Wなど）を堆積させることが含まれます。金属化は、導電経路、ワイヤボンディング用のコンタクトパッド、またはろう付け用の表面を提供します。金属化層の接着強度と均一性は重要です。
• コーティング： 特定の通信シナリオでは、特定の特性を強化するために、特殊なコーティングをSiC部品に適用する場合があります。たとえば、光学用途向けの反射防止コーティングや、非常に腐食性の高い環境向けの保護コーティング（SiC自体は非常に耐性があります）。
• アニーリング： 広範な機械加工後、応力緩和アニーリングを実行して、プロセス中に導入された内部応力を軽減し、部品の長期的な安定性と強度を向上させることがあります。
• 検査と計測： 処理手順自体ではありませんが、CMM、光学プロファイラー、SEM、およびその他の高度な計測ツールを使用した厳格な検査は、すべての仕様が満たされていることを確認するための後処理ワークフローの重要な部分です。

後処理の範囲と種類は、特定の通信アプリケーションと、カスタムSiC部品に必要な性能特性に大きく依存します。各手順はコストとリードタイムを追加するため、真の機能要件に基づいて指定する必要があります。

通信にSiCを利用する上での一般的な課題と、それらを克服する方法

炭化ケイ素は通信アプリケーションに大きな利点をもたらしますが、エンジニアと調達マネージャーは、潜在的な課題を認識しておく必要があります。これらの課題とその軽減策を理解することは、SiCの実装を成功させるための鍵です。

課題	説明	軽減戦略
脆性と破壊靭性	SiCはセラミック材料であり、本質的に脆く、金属と比較して低い破壊靭性を持っています。これにより、衝撃や高い引張応力下で欠けや壊滅的な故障が発生する可能性があります。	設計の最適化：鋭角を避け、フィレットと半径を使用し、応力集中を最小限に抑えます。 慎重な取り扱いと組み立て手順。 衝撃抵抗が主な懸念事項である場合は、強化されたSiCグレードまたは複合材料を検討してください（ただし、他の特性を犠牲にすることがよくあります）。 輸送と保管のための適切な梱包。
機械加工の複雑さとコスト	極めて硬いため、SiCの機械加工は困難で、時間がかかり、特殊なダイヤモンド工具が必要です。これにより、従来の材料と比較して製造コストが高くなる可能性があります。	製造可能性設計（DfM）：可能な限り設計を簡素化し、除去する材料の量を最小限に抑えます。 ニアネットシェイプ成形技術を利用して、その後の機械加工を削減します。 プロセスを最適化した経験豊富なSiC機械加工専門家と協力する。 不要な機械加工コストを避けるために、厳しい公差を明確に定義し、正当化する。
熱膨張のミスマッチ	SiCを他の材料（パッケージ内の金属など）に接合する場合、熱膨張係数（CTE）の差は温度サイクル中に応力を誘発し、接合部の破損やSiCの破壊につながる可能性があります。	CTEが互換性のある材料を選択する。 応力を吸収するために、コンプライアント中間層（ろう材、ガスケットなど）を使用する。 応力を最小限に抑えるように接合部を設計する（対称設計など）。 資格取得中に徹底的な温度サイクル試験を実施する。
材料の純度と一貫性	特定の高周波または半導体グレードの用途では、SiC材料の不純物や不整合が性能を低下させる可能性があります。	評判の良いサプライヤーから高純度SiCグレード（SSiC、CVD-SiCなど）を調達する。 サプライヤーが堅牢な品質管理プロセスと材料のトレーサビリティを備えていることを確認する。 必要な純度レベルを指定し、材料認証を要求する。
接合とメタライゼーションの課題	SiCと他の材料との間の強固で信頼性の高い気密接合を達成すること、または付着性と安定性のあるメタライゼーション層を作成することは複雑になる可能性があります。	SiCろう付け、接合、メタライゼーション技術に経験のあるサプライヤーと協力する。 SiCの慎重な表面処理が不可欠です。 用途環境に適したメタライゼーションスキームとろう材を選択する。 接合部の完全性とメタライゼーションの密着性を徹底的にテストする。
原材料費および加工費	高純度SiC粉末と特殊な製造プロセスは、従来のセラミックスや金属と比較して、より高い材料とコンポーネントのコストに貢献します。	SiCの性能向上、信頼性、および潜在的なシステムレベルのコスト削減（冷却など）を考慮して、総所有コスト（TCO）を評価する。 材料を効率的に使用するように設計を最適化する。 さまざまなSiCグレードを検討する-一部の用途では、より安価なグレードで十分な場合があります。 大量生産は、ユニットあたりのコスト削減に役立ちます。

これらの課題を克服するには、多くの場合、エンドユーザーと経験豊富なカスタム炭化ケイ素ソリューションプロバイダーとの緊密な連携が必要です。設計段階での早期の取り組みは、これらの潜在的な問題の多くを予測し、軽減するのに役立ち、要求の厳しい電気通信用途でのSiCコンポーネントの正常な展開を保証します。

通信ニーズに最適なSiCサプライヤーを選択する方法

適切な炭化ケイ素サプライヤーの選択は、電気通信コンポーネントの品質、性能、費用対効果に大きな影響を与える可能性のある重要な決定です。理想的なパートナーは、製造だけでなく、専門知識、サポート、信頼性を提供します。

• 技術的専門知識と経験： 炭化ケイ素材料科学、製造プロセス、および電気通信用途の特定の要求に対する深い理解を持つサプライヤーを探してください。材料の選択、設計の最適化、および潜在的な課題についてアドバイスできる必要があります。高周波SiC用途または熱管理ソリューションの経験があればプラスです。
• カスタマイズ能力： 電気通信システムは、多くの場合、高度に専門化されたコンポーネントを必要とします。カスタムSiC製品の製造（複雑な形状、厳しい公差、特定の表面仕上げなど）に堅牢な機能を持つサプライヤーを確保してください。
• 材料の品質と多様性： 優れたサプライヤーは、さまざまなSiCグレード（RBSiC、SSiCなど）を提供し、材料特性と調達について透明性を持たせる必要があります。原材料および製造プロセス全体で厳格な品質管理措置を講じる必要があります。
• どのような成形（プレス、鋳造、射出成形、押出成形）、焼結、および機械加工（研削、ラッピング、研磨）技術を所有していますか？ 製造施設、設備（プレス、焼結、研削、ラッピング、計測など）、および技術的な洗練度を評価します。精度と効率を確保するために最新の技術に投資していますか？
• 品質マネジメントシステム： ISO 9001などの認証は、品質への取り組みを示しています。品質保証手順、検査プロトコル、および材料のトレーサビリティについて問い合わせてください。
• 設計およびエンジニアリングサポート： DfM（製造可能性のための設計）サポート、熱または機械シミュレーション用のFEA（有限要素解析）、およびプロトタイピングサービスなどの付加価値サービスは、非常に貴重です。
• サプライチェーンの信頼性と場所： サプライヤーの場所、リードタイム、および安定した供給を確保する能力を考慮してください。たとえば、中国の濰坊市は、中国の炭化ケイ素カスタム部品工場の重要な拠点として台頭しています。この地域には40を超えるSiC生産企業があり、中国のSiC総生産量の80％以上を占めています。
• Sicarb Techのご紹介：この重要なハブの中で、当社のSicarb Techが際立っています。2015年以来、当社は炭化ケイ素製造技術の進歩に貢献し、地元の企業が大規模生産と大幅な製品プロセス改善を達成するのを支援してきました。当社はこの活気あるSiC産業クラスターの成長を目の当たりにし、貢献してきたことを誇りに思っています。