SiC炉：熱処理プロセスの最適化

SiC炉：高温産業プロセスの実現

高度な製造業およびハイテク産業の分野では、正確で信頼性の高い熱処理が最も重要です。炭化ケイ素（SiC）炉は、極端な温度で優れた制御と効率性を実現する、重要な技術として登場しました。炭化ケイ素で作られた重要な部品で構成されたこれらの炉は、従来の材料が機能しなくなる用途で比類のない性能を提供します。半導体製造から冶金研究まで、SiC炉は、革新と大量生産に必要な堅牢な熱環境を提供します。1600℃を超えることが多い過酷な化学雰囲気への耐性、熱衝撃への耐性、および構造的完全性の維持という独自の能力により、不可欠なものとなっています。産業界が材料科学と製品性能の限界を押し広げるにつれて、特定のプロセスに最適化されたカスタム設計のSiC炉の需要は増加し続けており、現代の産業能力におけるその不可欠な役割を強調しています。

炭化ケイ素炉の主要な産業用途

炭化ケイ素炉の汎用性と回復力により、さまざまな要求の厳しい産業用途に適しています。高温での動作能力と耐摩耗性および耐薬品性の組み合わせは、複数の分野にわたって目に見えるメリットをもたらします。これらの業界の調達マネージャーと技術バイヤーは、SiC炉が彼らの業務にもたらす長期的な価値を認識しています。

• 半導体製造： ウェーハのアニーリング、酸化、拡散、薄膜の化学気相成長（CVD）などのプロセスに不可欠です。SiC部品（ライナー、チューブ、ボート、パドル）は、超高純度を確保し、1200℃を超えることが多い温度での汚染を防ぎます。
• パワーエレクトロニクス SiCまたはGaNで作られた基板（例：DBC、AMB）の焼結およびパワーデバイス（IGBT、MOSFET）のアニーリングに使用されます。これらのプロセスには、SiC炉が提供する正確な温度均一性と制御が必要です。
• 航空宇宙および防衛： タービンブレード、ロケットノズル、装甲に使用される超合金、セラミックス、複合材料の熱処理に不可欠です。SiC炉のライニングと発熱体は、極端な条件下での信頼性の高い動作を保証します。
• 冶金： 金属粉末の焼結、特殊鋼および合金の熱処理、新しい金属材料の研究に使用されます。SiCの化学的不活性は、反応性金属を扱う場合に役立ちます。
• 再生可能エネルギー: 太陽電池の部品（例：結晶シリコンウェーハの焼成）の製造および高温合成を必要とする先進的なバッテリー材料の研究に利用されています。
• LED製造： SiCサセプタとチャンバー部品は、高輝度LEDに不可欠なGaN層のエピタキシャル成長のためのMOCVDリアクターで使用されます。
• 化学処理： 高温での特殊化学品および触媒の焼成、熱分解、合成に適しており、特に腐食性環境に適しています。
• 産業機械および工具： 硬度と耐久性を高めるための切削工具、耐摩耗部品、および工業用ダイヤモンドの熱処理。
• 原子力： 材料が極端な温度と放射線に耐えなければならない燃料処理と廃棄物ガラス固化の研究開発。

これらの分野でのSiC炉技術の採用は、優れた製品品質、プロセス効率、および運用信頼性を達成する上でのその重要性を強調しています。Original Equipment Manufacturers（OEM）および販売業者にとって、これらの用途を理解することは、専門市場のニーズに対応するための鍵となります。

カスタムSiC炉が優れた熱性能を提供する理由

標準的な炉は多くの産業ニーズを満たしますが、カスタム炭化ケイ素炉は、特に特殊または要求の厳しい用途向けに、熱性能、効率、および製品歩留まりを大幅に向上させる、調整されたソリューションを提供します。カスタムSiC炉への投資を決定することは、多くの場合、既製のシステムの制限を克服し、特定のプロセス結果を達成する必要性から生じます。

カスタマイズの利点には、以下が含まれます。

• 最適化された熱均一性： カスタム設計により、SiC発熱体の戦略的な配置、調整された断熱パッケージ、および最適化されたチャンバー形状が可能になり、ワークロード全体で非常に正確な温度分布を実現できます。これは、半導体ウェーハのアニーリングや複雑なセラミック部品の焼結などのプロセスに不可欠です。
• プロセス固有の雰囲気： カスタムSiC炉は、SiCの化学的安定性により、炉内部品の完全性を損なうことなく、特定の雰囲気（不活性（アルゴン、窒素）、還元（水素、フォーミングガス）、またはわずかに酸化性）を処理するように設計できます。
• 強化されたエネルギー効率： 炉の電力、断熱材の種類、およびチャンバーのサイズを用途に正確に合わせることで、エネルギー消費を最小限に抑えることができます。高品質のSiC発熱体は、より優れたエネルギー変換と長寿命も提供します。
• スループットと生産性の向上： カスタム設計には、より速い加熱および冷却速度（プロセスが許容される場合）、特殊なローディング/アンローディング機構、および自動システムとの統合を組み込むことができ、すべてが生産性の向上に貢献します。
• コンポーネントの寿命の延長： SiC部品（発熱体、チューブ、ライナー、家具）が、用途の特定の熱サイクル、化学環境、および機械的負荷に合わせて設計されている場合、その動作寿命が大幅に延長され、ダウンタイムと交換コストが削減されます。
• 独自の製品形状への対応： カスタム炉は、標準的な炉では提供できない、異常な形状またはサイズの製品に適合するように構築でき、最適な熱曝露と処理効率を確保します。
• 高度な制御の統合： カスタマイズにより、洗練された制御システム、センサー、およびデータロギング機能をシームレスに統合できるため、より優れたプロセス制御、再現性、およびトレーサビリティが実現します。

技術調達の専門家やエンジニアにとって、カスタムSiC炉を指定することで、熱処理装置が単なるコンポーネントではなく、製造ラインの完全に統合され、最適化された一部となり、品質の向上と運用コストの削減につながります。

重要な炉内部品に最適なSiCグレード

SiC炉の優れた性能は、主に、発熱体、プロセスチューブ、ライナー、構造サポート（家具）などの重要な部品に使用される炭化ケイ素材料の特性に起因しています。適切なSiCグレードを選択することは、長寿命、効率、およびプロセス互換性を確保するために不可欠です。SiCのさまざまな製造プロセスにより、独特の特性を持つ材料が得られます。

炉用途に一般的に推奨されるSiCグレードを見てみましょう。

SiCグレード	主な特徴	代表的な炉の用途	最大使用温度（概算）
反応性炭化ケイ素 (RBSiC / SiSiC)	優れた耐摩耗性、高い熱伝導率、優れた耐熱衝撃性、複雑な形状が可能、中程度のコスト。遊離シリコンをいくつか含んでいます（通常8〜15％）。	発熱体シース、熱電対保護管、ノズル、ローラー、ビーム、プレート、キルン家具、ラジアントチューブ。	～1350°C（遊離シリコンにより制限）
焼結炭化ケイ素（SSiC）	非常に高い純度（通常99％以上）、優れた耐薬品性（酸とアルカリ）、高温での高い強度、優れた耐摩耗性。遊離シリコンなし。	半導体処理部品（チューブ、ボート、パドル）、化学処理装置、ベアリング、シール、高度なキルン家具、腐食性または純粋な環境の発熱体。	～1600°C～1800°C（雰囲気による）
窒化ケイ素結合炭化ケイ素（NBSiC)	優れた耐熱衝撃性、高い高温強度、溶融金属（例：アルミニウム）に対する優れた耐性。	食器および衛生陶器用のキルン家具、非鉄金属鋳造用の部品、るつぼ。	～1400℃～1550℃
再結晶炭化ケイ素（RSiC）	高純度、優れた耐熱衝撃性（多孔質構造のため）、非常に高温での優れた強度。	高温キルン家具（ビーム、ポスト、プレート）、技術セラミックスの焼成用セッター、拡散管。	～1650°C～1700°C
酸化物結合炭化ケイ素（OBSiC）	優れた耐熱衝撃性、他のSiCタイプと比較して低コスト、それほど要求の厳しくない用途に適しています。	キルン家具、バーナーノズル、低温構造部品。	～1300℃ – 1400℃
グラファイトSiC発熱体（例：ロッド、スパイラル、U字型）	高い電気抵抗率、安定した性能、非常に高い温度を生成する能力。通常、高純度アルファSiC粒子から作られています。	ガラス溶融、セラミック焼成、金属熱処理、実験用炉用の電気抵抗炉の主要な熱源。	最大1625℃（空気中）、保護雰囲気中ではより高温。

SiCグレードを選択する際、エンジニアは炉の動作温度、昇温速度、化学的雰囲気、コンポーネントにかかる機械的応力、プロセスの純度要件を考慮する必要があります。経験豊富な 炭化ケイ素の専門家 Sicarb Techのような企業は、カスタムSiC炉コンポーネントに最適な材料を選択する際に貴重なガイダンスを提供し、信頼性と性能を保証します。

高性能SiC炉の重要な設計上の考慮事項

高性能SiC炉の設計には、ピーク温度だけでなく、熱プロセス全体、処理される材料、および動作環境も考慮した総合的なアプローチが必要です。エンジニアや技術バイヤーにとって、これらの設計上の考慮事項を理解することは、正確なニーズを満たし、長期的な価値を提供する炉を特定するために不可欠です。

• チャンバーの形状と体積：
  • 炉チャンバーのサイズと形状は、ワークロードを効率的に収容できるものでなければなりません。
  • 対流と放射パターンを考慮して、均一な熱分布を最適化します。
  • エネルギー効率と加熱/冷却速度を向上させるために、デッドスペースを最小限に抑えます。
• 発熱体の選択と構成：
  • 温度要件、電力密度、および雰囲気適合性に基づいて、SiC発熱体（ロッド、スパイラル、U字型、マルチレッグ）を選択します。
  • 製品負荷全体にわたる温度均一性を確保するための戦略的な配置。正確な温度プロファイリングのために、単一ゾーンまたはマルチゾーン制御を検討してください。
  • 素子の経年変化特性と交換の容易さを考慮してください。
• 断熱システム：
  • 熱損失を最小限に抑え、外殻を冷却するために、セラミックファイバーボード、ブランケット、および場合によっては耐火レンガを使用した多層断熱材。
  • 最高使用温度、化学的適合性、および非汚染特性（特に高純度用途向け）に基づいて選択します。
  • 熱膨張と収縮を適切に管理するように設計されています。
• 大気のコントロール：
  • 必要な雰囲気（空気、不活性（N₂、Ar）、還元（H₂、フォーミングガス）、または真空）との適合性のために設計します。
  • ガス入口、出口、および内部コンポーネントの適切なシールと材料選択により、気密構造を確保します。
  • 可燃性ガスまたは危険ガスのパージサイクル、流量制御、および安全インターロックを検討してください。
• 温度制御と監視：
  • 高精度熱電対（温度に応じてB、R、S、またはK型）を、制御と負荷温度監視の両方のために戦略的に配置します。
  • プログラム可能なランプ/ソークプロファイルを備えた高度なPIDコントローラー。
  • 安全のために、過熱保護システムが不可欠です。
  • プロセス検証と品質管理のためのデータロギング機能。
• 構造的完全性と材料選択：
  • 炉フレームとシェルは、動作温度で断熱材、発熱体、およびワークロードを支えなければなりません。
  • 内部SiCコンポーネント（ライナー、ハースプレート、サポート）は、熱サイクル、化学的攻撃、および機械的負荷に耐えなければなりません。適切なSiCグレードを選択してください。
  • 応力と早期故障を防ぐために、すべてのコンポーネントの熱膨張を考慮してください。
• ローディングおよびアンローディング機構：
  • スループットと製品特性に応じて、手動または自動システム。
  • ローディング/アンローディング中のアクセス性、オペレーターの安全性、および熱損失の最小化のために設計します。
  • フロントローディング、トップローディング、またはベルリフト設計などのオプションを検討してください。
• 安全機能：
  • 緊急停止、ドアインターロック、適切な電気的接地、過熱遮断、およびガス安全システム（該当する場合）。
  • 関連する業界安全基準への準拠。

シリコンカーバイド材料と熱工学に関する深い知識を持つ経験豊富な炉メーカーとの連携は、これらの設計上の考慮事項を効果的に対処し、特定の産業用途に合わせた堅牢で効率的かつ信頼性の高いSiC炉を実現するための鍵となります。

精度の実現：SiC炉内部品における公差と仕上げ

シリコンカーバイド炉の性能と寿命は、SiCコンポーネントの精度に大きく影響されます。SiCは硬度と耐久性に優れていることで知られていますが、これらの技術セラミック部品に厳しい公差と特定の表面仕上げを実現するには、専門的な製造ノウハウが必要です。SiC炉を設計するエンジニアや、コンポーネントを調達する調達マネージャーにとって、これらの側面を理解することは、最適な適合性、機能性、および熱効率を確保するために不可欠です。

公差：

炭化ケイ素コンポーネントは通常、スリップキャスティング、押出成形、プレス成形、または反応焼結などのプロセスによって、ニアネットシェイプで成形されます。しかし、焼結または焼成中の収縮、およびセラミックプロセスの本質的な性質により、非常に厳しい公差を「焼成後」に達成することは困難な場合があります。標準的な焼成後の公差は、サイズ、複雑さ、および特定のSiCグレードに応じて、寸法の±0.5%〜±2%の範囲になる可能性があります。

• 重要寸法： インターフェース、嵌合面、または精密な位置合わせが必要な領域（例：発熱体接続、プロセスチューブシール、支持構造）では、より厳しい公差が必要になることがよくあります。
• 機械加工： 焼結後のダイヤモンド研削は、一般的に、±0.01 mm〜±0.05 mm（±0.0004インチ〜±0.002インチ）、または特定の機能に対してさらに優れた、はるかに厳しい公差を達成するために採用されています。ただし、SiCの機械加工は、その極度の硬度により、遅くて費用のかかるプロセスです。
• 組立への影響： 正確な公差は、炉コンポーネントの適切な組み立てを保証し、応力点を減らし、ガス漏れを防ぎ、構造部品への均一な荷重分布を保証します。

表面仕上げ：

SiC炉コンポーネントに必要な表面仕上げは、その機能によって異なります。

• 焼成仕上げ： キルン家具や一部の発熱体など、多くのSiCコンポーネントは、焼成後の表面仕上げ（通常Ra 1.6〜Ra 6.3 µmまたは粗い）で使用される場合があります。これは、超平滑性が重要でないアプリケーションには十分であることがよくあります。
• グラウンド仕上げ： 研削は、寸法精度を向上させ、より滑らかな表面（通常Ra 0.4〜Ra 1.6 µm）を提供します。これは、シール面、平坦な接触を必要とする支持ビーム、または粒子発生を最小限に抑える必要があるコンポーネントで一般的です。
• ラップ/研磨仕上げ： 半導体プロセスコンポーネント（例：ウェーハボート、CVDチャンバーライナー）や高性能シールなど、非常に滑らかで非多孔質の表面を必要とするアプリケーションでは、ラッピングと研磨により、Ra 0.02 µm以下の表面仕上げを達成できます。これにより、粒子の付着とアウトガスが最小限に抑えられます。
• 性能への影響： より滑らかな表面は、摩擦を減らし、耐摩耗性を向上させ、清掃を容易にし、高純度アプリケーションでは、汚染物質吸着の表面積を最小限に抑えることができます。

寸法精度：

これには、線形公差だけでなく、平面度、平行度、垂直度、同心度などの幾何学的側面も含まれます。ハースとして使用される大きなSiCプレートの場合、平面度は製品の均一な支持にとって重要です。SiCプロセスチューブの場合、真直度と同心度は、スムーズな操作と他のコンポーネントとの統合に不可欠です。

SiCコンポーネントで必要な公差、表面仕上げ、および寸法精度を達成するには、初期成形、焼結、特に焼結後の機械加工段階での慎重なプロセス制御が必要です。高度な機械加工能力と堅牢な品質管理測定を備えたサプライヤーと協力することは、重要なSiC炉部品にとって不可欠です。

SiC炉内部品の寿命を延ばすための後処理とコーティング

炭化ケイ素自体は非常に堅牢な材料ですが、特定の後処理と特殊なコーティングは、特に非常に厳しいまたは特定の動作条件下で、炉内のSiCコンポーネントの性能、耐久性、および寿命をさらに向上させることができます。これらの強化は、耐酸化性、化学的慣性、または多孔性の低減などの特性を改善することを目的としています。

一般的な後処理ステップ：

• 精密研削＆ラップ： 前述のように、これらは厳しい寸法公差と特定の表面仕上げを達成するために不可欠です。これにより、適切な適合性が保証され、機械的応力集中が減少し、シール面を改善できます。
• エッジ面取り/ラジアス加工： SiCコンポーネントの鋭いエッジは、材料の脆性により欠けやすくなる可能性があります。面取りまたは面取りエッジは、このリスクを軽減し、取り扱い堅牢性とコンポーネントの寿命を向上させます。
• クリーニングと純度管理： 半導体プロセスなどの高純度アプリケーションでは、SiCコンポーネントは、製造または機械加工からの表面汚染物質を除去するために、厳格な洗浄手順を受けます。これには、化学エッチングまたは特殊な洗浄プロトコルが含まれる場合があります。
• アニール/応力除去： 場合によっては、特に広範な機械加工の後、制御されたアニーリングサイクルを適用して、SiCコンポーネントに誘発された内部応力を緩和し、熱衝撃抵抗または安定性を向上させることができます。

SiCコンポーネント用の特殊コーティング：

コーティングは、バルクSiC材料に固有ではない特性を提供する機能的な表面層を提供したり、特定のSiCグレードの多孔性を封止したりできます。

コーティングタイプ	目的とメリット	SiC炉の一般的な用途
CVD炭化ケイ素（CVD-SiC）コーティング	超高純度、高密度、および高度に不浸透性のSiC層を提供します。優れた耐酸化性と耐薬品性。基底SiC（例：RBSiC、RSiC）の多孔性を封止できます。	コーティンググラファイトサセプタ、SiCフォーム、半導体プロセスの多孔質SiCコンポーネント。攻撃的な化学環境でのライナーとチューブの強化。
アルミナ（Al₂O₃）コーティング	特定の化学的攻撃に対する耐性を向上させ、拡散バリアとして機能したり、電気的特性を変更したりできます。	特定の雰囲気からSiC発熱体を保護したり、特定の処理材料との反応からSiCコンポーネントを保護したりします。
ジルコニア（ZrO₂）コーティング	熱障壁特性を強化し、一部の溶融金属またはスラグによる攻撃に対する耐性を向上させることができます。	非常に高温ゾーンまたは反応性溶融物と接触するSiCコンポーネントを保護します。
ムライトまたはガラス相シーラント	RBSiCや多孔質RSiCなどのグレードの表面多孔性を封止するために使用され、ガス密性を向上させ、遊離シリコンまたはベース材料の酸化を低減します。	放射管、キルン家具を密閉して、空気雰囲気での酸化を防ぎ、寿命を向上させます。

適切な後処理手順またはコーティングの選択は、SiC炉の特定の用途、使用されるSiCのグレード、動作環境（温度、雰囲気、化学物質）、および必要な性能向上に大きく依存します。これらの高度な処理を理解している材料専門家および炉メーカーに相談することは、SiC炉コンポーネントの寿命と効率を最大化するために不可欠です。これらの強化は、初期費用に追加されますが、多くの場合、ダウンタイムの削減とコンポーネントの耐用年数の延長を通じて、長期的な大幅な節約につながります。

SiC熱システムの運用上の課題の克服

炭化ケイ素熱システムは非常に堅牢ですが、動作上の課題がないわけではありません。これらの潜在的な問題を理解し、緩和戦略を実装することは、エンジニアとプラントマネージャーが安定した性能を確保し、稼働時間を最大化し、SiC炉の寿命を延ばすための鍵です。

一般的な課題とその解決策には、以下が含まれます。

• 熱衝撃：
  • チャレンジだ： SiCは、他のセラミックと比較して優れた耐熱衝撃性を備えていますが、過度に急速な温度変化、特に不均一な加熱または冷却にさらされると、ひび割れや破損が発生する可能性があります。
  • 緩和：
    • 炉コントローラーにプログラムされた加熱および冷却サイクルの制御されたランプ速度を実装します。
    • 適切な炉設計と要素配置により、均一な加熱を確保します。
    • 急激な温度変動を起こしやすいコンポーネントには、より高い耐熱衝撃性を持つSiCグレード（例：RSiC、NBSiC）を選択します。
    • 冷気または材料が熱いSiCコンポーネントに直接衝突するのを避けてください。
• 発熱体の経年劣化と故障：
  • チャレンジだ： SiC発熱体は、酸化により、特に空気雰囲気下で、時間の経過とともに電気抵抗が徐々に増加します。この「経年劣化」には、電力出力を維持するための定期的な電圧調整が必要です。最終的に、要素は、過度の薄化、局所的なホットスポット、または機械的損傷により故障する可能性があります。
  • 緩和：
    • 経年劣化特性が文書化されている高品質のSiC発熱体を使用してください。
    • 抵抗変化を補償できる電力コントローラー（例：サイリスタベース）を採用します。
    • 要素の電流/電圧を定期的に監視し、予定された交換を計画します。
    • セット内の要素間で均一な電流分布を確保します。
    • 設置および操作中に要素に機械的ストレスを与えないようにしてください。過酷な環境では保護コーティングを検討してください。
• 雰囲気汚染とコンポーネントの劣化：
  • チャレンジだ： 反応性プロセスガス、副産物、またはワークロードの不純物は、SiCコンポーネントまたは炉ライニングを攻撃し、劣化、剥離、または処理された製品の汚染につながる可能性があります。RBSiC中の遊離シリコンは、特定の化学物質の影響を受けやすくなる可能性があります。
  • 緩和：
    • 攻撃的な環境には、高い耐薬品性を持つ適切なSiCグレード（例：SSiC）を選択します。
    • コンポーネントに保護コーティング（例：CVD-SiC）を使用します。
    • 不要な侵入や反応を防ぐために、適切な炉の密閉と雰囲気制御を確保します。
    • 炉室の定期的な清掃とメンテナンススケジュールを実装します。
    • 高純度プロセスガスと材料を使用します。
• 機械的応力と損傷：
  • チャレンジだ： SiCコンポーネントは強力ですが脆いです。機械的衝撃、不適切な支持、または熱膨張のミスマッチからの応力は、ひび割れや破損につながる可能性があります。
  • 緩和：
    • すべての材料の熱膨張に対応するように炉構造と支持体を設計します。
    • 設置、積み込み、およびメンテナンス中にSiCコンポーネントを注意して取り扱ってください。
    • SiCキルン家具と支持体に均一な荷重分布を確保します。
    • 炉の過負荷を避けてください。
• 温度の不均一性：
  • チャレンジだ： 大きなワークロードまたは複雑なチャンバー形状全体で正確な温度均一性を達成および維持することは困難であり、製品の品質に影響を与える可能性があります。
  • 緩和：
    • マルチゾーン加熱と精密制御で炉の設計を最適化します。
    • 熱電対を定期的に校正します。
    • プロファイリング熱電対を使用して、チャンバーの温度をマッピングします。
    • 適切な断熱を施し、熱漏れを最小限に抑えます。
    • 最適な熱曝露のために、ワークロードの配置を検討します。

積極的なメンテナンス、慎重な操作、そしてこれらの潜在的な課題を考慮した、よく考えられた炉の設計が不可欠です。操作とトラブルシューティングに関するガイダンスを提供できる経験豊富なSiC炉サプライヤーとの提携も、産業ユーザーにとって非常に有益です。

パートナーの選択：炭化ケイ素炉の専門家の選択

炭化ケイ素炉または重要なSiCコンポーネントの適切なサプライヤーを選択することは、運用効率、製品品質、および長期的なコストに大きな影響を与える決定です。初期購入価格だけでなく、調達マネージャーと技術バイヤーは、さまざまな能力とサービス面に基づいて潜在的なパートナーを評価する必要があります。専門家パートナーは単に製品を販売するだけでなく、特定の熱処理ニーズに合わせて調整されたソリューションを提供します。

サプライヤーを選択する際に考慮すべき主な要素：

• SiC材料に関する技術専門知識：
  • さまざまなSiCグレード（RBSiC、SSiC、NBSiC、RSiCなど）に関する深い知識と、さまざまな用途、温度、雰囲気への適合性。
  • 化学的適合性、耐熱衝撃性、および機械的強度を考慮して、特定のプロセス要件に最適なSiC材料を推奨する能力。
• 炉の設計とエンジニアリング能力：
  • さまざまな業界および用途向けのSiC炉の設計および製造における実績。
  • 特定の温度プロファイル、チャンバーサイズ、雰囲気制御、およびローディングメカニズムに合わせて炉の設計をカスタマイズする能力。
  • 温度均一性とエネルギー効率を最適化するための熱モデリングとシミュレーションの習熟度。
• 製造品質と管理：
  • SiCコンポーネントの製造と炉の組み立ての両方に対する堅牢な品質管理システム（例：ISO 9001認証）。
  • 高品質で一貫性のあるSiC部品を正確な公差で製造するための高度な製造技術。
  • 温度均一性マッピング、リークテスト、および安全チェックを含む、出荷前の徹底的なテストおよび検査プロトコル。
• カスタマイズ能力：
  • SiCコンポーネントと完全な炉システムの調整に対する意欲と能力