焼結SiC: 高性能材料の選択

焼結SiC: 高性能材料の選択

はじめに – 焼結炭化ケイ素とは何か、なぜ高性能産業用途に不可欠なのか?

現代産業の厳しい状況において、極端な条件に耐えることができる材料の探求は絶え間なく続いています。焼結炭化ケイ素(SiC)は、高性能用途に不可欠な独自の特性の組み合わせを提供する最前線として登場しました。他のセラミックスとは異なり、焼結SiCは、液相焼結助剤を使用せずに(固相焼結SiCまたはSSSiCの場合)、または非酸化物焼結助剤を使用して(液相焼結SiCまたはLPSSiCの場合)、通常2000°Cを超える非常に高温でSiC粉末を融合することによって製造されます。このプロセスにより、優れた硬度、強度、および熱安定性を備えた高密度で微細なセラミックスが得られます。

半導体製造から航空宇宙、パワーエレクトロニクスに至るまで、重要な産業部門における焼結SiCの本質的な性質は、他の材料が失敗する場所で確実に機能する能力に由来しています。優れた耐摩耗性、耐食性、および高温耐性に加え、優れた熱伝導性により、耐久性だけでなく、それらが組み込まれているシステムの効率と寿命を向上させるコンポーネントの設計が可能になります。ビジネスが求めている カスタム炭化ケイ素部品、焼結SiCの基本的な利点を理解することは、新たなレベルの運用上の卓越性とイノベーションを解き放つための最初のステップです。業界が技術の限界を押し広げるにつれて、高品質で精密に設計された焼結

これらの洗練された材料ソリューションを提供する上で、特にその製造能力で知られる地域からのものが重要です。炭化ケイ素カスタムパーツ製造の中心地は、濰坊市に位置しています。この地域には40以上の炭化ケイ素製造企業があり、中国のSiC総生産量の80%以上を占めています。この専門知識と生産能力の集中は、SiCコンポーネントの世界的な主要供給源となっています。

焼結SiCの主な用途 – 焼結SiCが業界全体でどのように使用されているかを調べてください

焼結炭化ケイ素(SiC)の顕著な特性は、それを多用途な材料とし、幅広い産業で重要な用途を見出しています。その採用は、過酷な動作条件下でも性能と構造的完全性を維持できるコンポーネントの必要性によって推進されています。以下に、その力を活用している主要なセクターをいくつかご紹介します。 焼結SiCコンポーネント:

  • 半導体製造: 焼結SiCは、ウェーハハンドリングコンポーネント、チャックテーブル、プロセスチャンバー部品(エッチングリング、ガスシャワーヘッド)、CMPリテーナーリングに広く使用されています。その高純度、剛性、熱安定性、および化学プラズマ浸食に対する耐性は、清浄な処理環境を維持し、チップ製造における高い歩留まりを確保するために不可欠です。
  • 自動車: 自動車分野、特に電気自動車(EV)の台頭に伴い、焼結SiCは、電力電子機器(インバーター、コンバーター)、高い熱伝導率と耐摩耗性によるブレーキディスク、およびエンジンとドライブトレインの耐摩耗性コンポーネントに役割を果たしています。従来の材料と比較して軽量であることも、車両の効率に貢献しています。
  • 航空宇宙と防衛 航空宇宙用途には、ロケットノズル、光学システムのミラー、および熱衝撃耐性と高温強度を最重要とする高速航空機のコンポーネントが含まれます。防衛分野では、その硬度と極限状態に耐える能力から、装甲板やミサイル誘導システムのコンポーネントに使用されています。
  • パワーエレクトロニクス 自動車以外にも、焼結SiCは、ダイオードやMOSFETなどの高出力、高周波デバイスに不可欠です。その広いバンドギャップ、高い熱伝導率、および高い電界破壊強度は、より小型で効率的な電力変換システムを可能にします。
  • 再生可能エネルギー: 太陽光および風力エネルギーシステムでは、SiCコンポーネントはインバーターおよび電力コンバーターに使用され、エネルギーハーベスティングと配電の効率と信頼性の向上に貢献しています。
  • 冶金および高温炉: 焼結SiC製のキルン家具(ビーム、ローラー、プレート、バーナーノズルなど)は、極端な温度で動作する工業炉において優れた耐用年数を提供します。その耐酸化性と熱衝撃性に対する耐性は高く評価されています。
  • 化学処理: 腐食性化学物質や研磨性スラリーを扱うために、焼結SiCはポンプコンポーネント(シール、ベアリング、インペラー)、バルブ部品、およびノズルに使用されています。幅広い酸やアルカリに対する化学的慣性は、長寿命を保証し、汚染を防ぎます。
  • LED製造: LED製造に使用されるMOCVDリアクターのサセプターやその他のコンポーネントは、SiCの熱的均一性とプロセス化学物質に対する耐性から恩恵を受けています。
  • 産業機械: 機械シール、ベアリング、サンドブラスト用ノズル、サイクロンライナーなどの摩耗部品は一般的な用途であり、SiCの極度の硬度と耐摩耗性により、メンテナンス間隔を大幅に延長し、ダウンタイムを削減します。
  • 石油およびガス: ダウンホールツール、流量制御バルブ、ポンプおよびコンプレッサーの摩耗部品のコンポーネントは、研磨性および腐食性環境におけるSiCの耐久性から恩恵を受けています。
  • 医療機器 それほど一般的ではありませんが、生体適合性のSiCグレードは、高い強度と耐摩耗性を必要とする特殊な医療用インプラントや外科用ツールに検討されています。
  • 鉄道輸送: SiCデバイスを組み込んだパワーモジュールは、電車の牽引システムに採用され、エネルギー効率の向上とシステムサイズの縮小を実現しています。
  • 原子力: SiCは、放射線耐性と高温安定性から、次世代原子力発電所の構造コンポーネントおよび燃料被覆材として検討されています。

これらの用途の広さは、 高度なセラミックソリューション 焼結SiCのようなものが、多様な産業分野における技術的進歩と運用効率を推進する上で重要であることを強調しています。 カスタム設計されたSiC部品 特定の用途のニーズに合わせて調整されたものは、これらの分野におけるイノベーションの主要な実現要因です。

カスタム焼結炭化ケイ素を選択する理由? – カスタマイズの利点について、焼結SiCの独自の利点に焦点を当てて説明します

標準的な既製のセラミックコンポーネントは、一部の用途には十分かもしれませんが、高度な工業プロセスの独特で、しばしば極端な要求には、正確に調整されたソリューションが必要となります。 カスタム焼結炭化ケイ素(SiC) は、最適化された性能、向上した寿命、および一般的な部品では達成できない革新的な設計への道を提供します。カスタマイズにより、エンジニアと調達マネージャーは、優れた耐熱性、耐摩耗性、および化学的慣性など、焼結SiCの固有の優れた特性を最大限に活用できます。

カスタム焼結SiC製品を選択する主な利点には、以下が含まれます。

  • 特定の用途向けに最適化された性能:
    • カスタマイズされた形状: カスタマイズにより、意図された用途に完全に適合する複雑な形状と正確な寸法を作成し、効率と有効性を最大化できます。これは、複雑に設計された半導体プロセスチャンバー部品や、工業用機械の特殊な摩耗コンポーネントなどのコンポーネントにとって重要です。
    • 材料特性の調整: 焼結SiCにはベースライン特性がありますが、カスタムアプローチにより、処理のわずかな調整や焼結SiCの特定のグレード(たとえば、より滑らかな表面用の微細粒子、必要に応じて特定の多孔度レベル)を最適化できます。
  • 熱管理の強化:
    • 高い熱伝導性: 焼結SiCは、優れた熱伝導率(通常80〜200 W/mK)を誇っています。カスタム設計により、電力電子機器のヒートシンクなどの重要なコンポーネントの放熱を最大化したり、炉部品の均一な温度分布を確保したりできます。
    • 優れた耐熱衝撃性: その低い熱膨張係数と高い強度により、熱衝撃に対する優れた耐性を備えています。カスタムコンポーネントは、用途に特有の急速な温度サイクルに耐えるように設計されており、亀裂や故障を防ぎます。
  • 比類のない耐摩耗性:
    • 極端な硬度: 焼結SiCは、市販されている最も硬い材料の1つです(モース硬度>9、ヌープ硬度〜25 GPa)。ノズル、シール、ベアリング、研削媒体などのカスタム摩耗部品は、特定の摩耗パターンに合わせて設計でき、耐用年数を大幅に延長し、研磨環境でのメンテナンスコストを削減できます。
  • 卓越した化学的慣性と耐食性:
    • 腐食性媒体に対する耐性: 焼結SiCは、高温でも、幅広い酸、アルカリ、および溶融塩に対して優れた耐性を示します。ポンプ部品やバルブライナーなどの化学処理用のカスタムコンポーネントは、特定の腐食性流体を処理するように設計でき、プロセスの純度とコンポーネントの長寿命を保証します。
  • システム効率と信頼性の向上:
    • 軽量強度: 多くの金属よりも密度(約3.1〜3.2 g / cm³)が大幅に低く、剛性と強度が高いため、カスタムSiC部品はシステムの質量を削減でき、航空宇宙や高速機械で有利であり、省エネと動的応答の改善につながります。
    • 寸法安定性: 焼結SiCは、高負荷および高温下でも形状と寸法を維持し、システム全体の安定した性能と信頼性を保証します。カスタム設計により、この安定性を効果的に活用できます。
  • 長期的なコスト削減:
    • カスタムSiC部品への初期投資は、従来の材料や標準部品よりも高くなる可能性がありますが、延長された耐用年数、ダウンタイムの削減、メンテナンス要件の削減、およびプロセスの歩留まりの向上により、多くの場合、総所有コストが大幅に削減されます。

複雑な カスタマイズ・サポートことのできる知識豊富なサプライヤーと協力することで、企業は運用上の課題を競争上の優位性に変えることができます。正確な寸法、許容誤差、表面仕上げを指定し、単一のモノリシックSiCコンポーネントに機能を統合する能力は、半導体、航空宇宙、化学処理などの要求の厳しい分野のエンジニアにとって、新たな設計の可能性を切り開きます。

焼結炭化ケイ素の主な特性 – 機械的、熱的、電気的、および化学的特性の詳細

焼結炭化ケイ素(SiC)は、その卓越した物理的、機械的、熱的、電気的、および化学的特性の組み合わせにより、優れた先進セラミック材料として際立っています。これらの属性は、要求の厳しい幅広い産業用途にとって最適な材料となっています。これらの特性を理解することは、 高性能焼結SiC部品.

機械的特性:

  • 高硬度: を指定する際のエンジニアや設計者にとって不可欠です。焼結SiCは、最も硬い合成材料の1つであり、通常、ヌープ硬度(HK)が24〜28 GPaの範囲であり、モース硬度が9を超えています。これにより、摩耗、浸食、および摩耗に対して非常に高い耐性があります。
    用途への関連性:ノズル、メカニカルシール、ベアリング、研削媒体などの摩耗部品に最適です。
  • 高いヤング率(剛性): ヤング率が通常400〜450 GPaの間であるため、焼結SiCは非常に硬く、負荷がかかっても変形しにくいです。
    用途への関連性:半導体装置(ウェーハチャック、ミラーなど)の精密部品および高い剛性を必要とする構造要素に不可欠です。
  • 良好な曲げ強度: 焼結SiCは、室温で通常400〜600 MPaの良好な曲げ強度を維持し、高温(最大1400〜1600°C)でもかなりの強度を維持します。
    用途への関連性:キルン家具や炉部品などの高温環境での耐荷重コンポーネントに適しています。
  • 中程度の破壊靭性: セラミックスは本質的に脆いですが、焼結SiCは、セラミックスとしては中程度の破壊靭性($K_{IC}$)を持ち、通常3.5〜5.0 MPa·mの範囲です。1/2の範囲です。脆性破壊を軽減するには、設計上の考慮事項が重要です。
    用途への関連性:衝撃や高い引張応力がかかるコンポーネントには、慎重な設計が必要です。
  • 低密度: 焼結SiCの密度は約3.1〜3.2 g / cm³であり、ほとんどの高強度金属よりも大幅に低くなっています。
    用途への関連性:航空宇宙、自動車、高速機械の軽量コンポーネントに有益であり、エネルギー効率と動的性能の向上に貢献します。

熱特性:

  • 高い熱伝導性: 焼結SiCは、室温で通常80〜200 W /(m·K)の優れた熱伝導率を示します。これは、純度と微細構造によって異なります。これにより、効率的な放熱が可能になります。
    用途への関連性:電力電子機器のヒートシンク、熱交換器、および急速な温度均一性を必要とするコンポーネントに不可欠です。
  • 低熱膨張係数(CTE): 焼結SiCは、低いCTEを持ち、通常約4.0〜4.5 x 10-6/°C。これは、温度変化による膨張と収縮が最小限であることを意味します。
    用途への関連性:さまざまな温度での優れた寸法安定性をもたらし、高い熱衝撃耐性に貢献します。精密機器や、変動する熱環境で使用されるコンポーネントに最適です。
  • 優れた耐熱衝撃性: 高い熱伝導率、低いCTE、および高い強度の組み合わせにより、焼結SiCは、急激な温度変化による損傷に対して優れた耐性を備えています。
    用途への関連性:炉部品、ロケットノズル、および急激で極端な温度勾配を経験するブレーキディスクなどの用途に不可欠です。
  • 高温安定性: 焼結SiCは、機械的特性を大幅に劣化させることなく、非常に高温(空気または不活性雰囲気で最大1600〜1700°C)で動作できます。受動的なシリカ(SiO2)層の形成により、高温での酸化に耐えます。
    用途への関連性:キルン家具、バーナーノズル、熱電対保護管、およびその他の高温構造コンポーネントに使用されます。

電気的特性:

  • 半導体特性: 炭化ケイ素は、本質的に広いバンドギャップ半導体です。焼結SiCの電気抵抗率は、純度、焼結添加剤、および微細構造によって大きく異なり、比較的導電性(ドープSiC)から高抵抗性までさまざまです。通常、高純度焼結SiCは低温では優れた電気絶縁体ですが、非常に高温になるとより導電性になる可能性があります。
    用途への関連性:電力電子デバイス(MOSFET、ダイオード)、発熱体(適切にドープされている場合)、および特定の高温用途における絶縁材料に使用されます。その半導体特性は、SiCエレクトロニクスでの使用の基礎となっています。
  • 高い絶縁破壊強度: 破壊前に高い電界に耐えることができ、高電圧用途に適しています。

化学的特性:

  • 優れた化学的安定性: 焼結SiCは、高温でも、強酸(たとえば、HF、H2SO4、HNO3)や塩基を含む幅広い化学物質による腐食に対して非常に高い耐性を示します。また、溶融塩や金属による攻撃にも耐えます。
    用途への関連性:化学処理装置(ポンプ部品、バルブシール、ノズル)のコンポーネント、および腐食性化学物質が存在する環境に最適です。
  • 耐酸化性: SiCは非常に高温(通常800〜1000°C以上)で酸化する可能性がありますが、二酸化ケイ素(SiO2)の保護層を形成し、さらなる酸化を遅らせ、約1650°Cまでの酸化雰囲気での使用を可能にします。
    用途への関連性:空気中で使用される高温コンポーネントの長寿命を可能にします。

以下の表は、一般的な焼結SiCの主要な特性範囲をまとめたものです。

プロパティ 代表的な値の範囲 重要性
密度 3.1 – 3.2 g/cm³ 軽量、高い強度対重量比
硬度(ヌープ) 24〜28 GPa 卓越した耐摩耗性および耐腐食性
曲げ強度(RT) 400〜600 MPa 良好な機械的強度
ヤング率 400〜450 GPa 高い剛性と剛性
熱伝導率(RT) 80 – 200 W/(m·K) 優れた放熱性
熱膨張係数(20〜1000°C) 4.0〜4.5 x 10-6/°C 高い熱安定性、良好な熱衝撃耐性
最高使用温度 1600 – 1700°C(空気中) 極端な温度用途に適しています
電気抵抗率(RT、未ドープ) 102 – 1012 オーム・cm(大きく異なります) 絶縁性または半導電性になる可能性があります
耐薬品性 ほとんどの酸と塩基に対して優れています 腐食性環境で耐久性があります

これらの優れた特性により、 焼結炭 最も過酷な産業環境において、信頼性と性能を求めるエンジニアにとって、優れた選択肢となります。企業が求めるのは、 産業用SiCソリューション、これらの特性を理解することが、アプリケーションとコンポーネント設計を成功させるための鍵となります。

焼結SiC製品の設計に関する考慮事項 – 焼結SiCに固有の製造可能性、形状の制限、壁の厚さ、および応力点に関する設計に関する洞察を提供します。

焼結炭化ケイ素(SiC)でコンポーネントを設計するには、本質的なセラミック性、主にその硬度と脆性のため、金属やプラスチックとは異なるアプローチが必要です。製造可能性、機能性、および寿命を確保するには、慎重な設計上の考慮事項が不可欠です。 カスタム焼結SiC部品の長寿命を確保するには、慎重な設計上の考慮事項が不可欠です。設計プロセス初期段階で経験豊富なSiCメーカーと連携することで、潜在的な問題を大幅に軽減し、最終製品を最適化できます。

主な設計上の考慮点は以下の通り:

  • 形状の単純さ:
    • 複雑な形状も実現可能ですが、広範囲な研削が必要となるため、製造コストが増加することがよくあります。可能な限り、より単純な形状を目指してください。
    • 鋭い内角やエッジは避け、応力集中と製造中および使用中のチッピングのリスクを軽減するために、半径または面取りを組み込んでください。通常、0.5 mmから1 mmの最小半径が推奨されます。
  • 肉厚とアスペクト比:
    • 焼結中の反りやひび割れを防ぎ、均一な応力分布を確保するために、均一な壁厚を維持してください。厚さの急激な変化は、スムーズに移行させる必要があります。
    • 極端に薄い壁(たとえば、全体的なサイズに応じて1〜2 mm未満)は、製造と取り扱いが困難な場合があります。具体的な制限については、サプライヤーにご相談ください。
    • 高アスペクト比(長さと直径/幅の比率)は、焼結中の歪みや、厳しい公差の達成を困難にする可能性があります。
  • 公差:
    • 焼結公差は通常、寸法の±0.5%〜±2%です。より厳しい公差には、焼結後のダイヤモンド研削が必要であり、コストがかかります。
    • 必要な場合にのみ、重要な公差を指定してください。コンポーネントの形状とサイズに基づいて、達成可能な公差についてサプライヤーと話し合ってください。
  • 穴とボア:
    • 穴の深さと直径の比率を考慮する必要があります。深く、小径の穴は、機械加工が困難でコストがかかる可能性があります。
    • 穴の間隔とエッジからの距離は、構造的完全性を維持するのに十分である必要があります。
  • 脆性と応力集中の管理:
    • 焼結SiCは高い圧縮強度を持ちますが、引張強度と衝撃強度は低いです。可能な限り、圧縮荷重がかかるようにコンポーネントを設計してください。
    • 潜在的な応力集中点(たとえば、ノッチ、鋭角、穴)を特定し、十分な半径、フィレット、または設計変更で軽減してください。複雑な部品の場合、有限要素解析(FEA)は、高応力領域を特定する上で非常に役立ちます。
    • 取り扱いまたは組み立て中にチッピングにつながる可能性のある機能を避けてください。露出したエッジには、保護面取りを検討してください。
  • 接合と組み立て:
    • SiC部品を他のコンポーネント(金属またはセラミック)と組み立てる必要がある場合は、熱膨張係数の違いを考慮してください。機械的クランプ、ろう付け(活性ろう材を使用)、または接着剤による接合が一般的な方法です。選択した接合技術に適したインターフェースを設計してください。
    • 慎重に計算し制御しない限り、SiC部品に高い引張応力を誘発する圧入は避けてください。
  • 表面仕上げ:
    • 焼結後の表面は、通常、数マイクロメートルの粗さ(Ra)を持っています。シールやベアリングなどの用途で、より滑らかな表面が必要な場合は、研削、ラッピング、および研磨が必要です。機能的なニーズに基づいて、必要な表面仕上げを指定してください。
  • 焼結中の収縮:
    • グリーンSiC部品は、焼結中に大幅に収縮します(通常15〜20%)。この収縮は、金型設計およびグリーン機械加工段階で正確に考慮する必要があります。これは主にメーカーの懸念事項ですが、どのような初期の「グリーン」形状が実現可能であるかを知らせます。
  • 設計上の選択肢のコストへの影響:
    • 複雑さ、厳しい公差、広範囲な機械加工(研削)、および非常に滑らかな表面仕上げは、焼結SiCコンポーネントのコストを大幅に増加させます。性能要件と費用対効果のバランスを取ってください。
    • たとえば、研削によって除去する材料の量を最小限に抑えることで、大幅なコスト削減につながる可能性があります。
  • プロトタイピングと反復:
    • 複雑または重要なコンポーネントについては、大規模な生産に着手する前に、設計と製造プロセスを検証するためのプロトタイピング段階を検討してください。

焼結SiCを使用した設計に関するエンジニアリングのヒント:

  • 設計段階で早期に SiCコンポーネントサプライヤー と連携してください。SiC製造における彼らの専門知識は、製造可能性設計(DFM)に関する貴重なフィードバックを提供できます。
  • 複雑な形状または重要な耐荷重機能を持つコンポーネントについては、FEAを使用して、動作負荷下での応力分布をシミュレーションしてください。
  • 図面ですべての重要な機能、寸法、公差、および表面仕上げ要件を明確に定義してください。
  • 取り扱い、組み立て、操作、およびメンテナンスを含む、コンポーネントのライフサイクル全体を考慮してください。

これらの設計ガイドラインを遵守することにより、エンジニアは 焼結炭化ケイ素セラミックスの可能性を最大限に活用し、最も要求の厳しい産業用途向けの堅牢で信頼性の高いコンポーネントを作成できます。技術的に熟練したサプライヤーとの提携により、これらの設計上の考慮事項が、高品質で機能的な部品に専門的に変換されることが保証されます。

焼結SiCの公差、表面仕上げ、および寸法精度

焼結炭化ケイ素(SiC)からコンポーネントを製造する場合、正確な寸法精度、特定の公差、および所望の表面仕上げを達成することが重要な側面です。その極度の硬度を考えると、焼結SiCの成形と仕上げには、特殊な技術、主にダイヤモンド研削、ラッピング、および研磨が必要です。これらの分野における能力と限界を理解することは、購入マネージャーやエンジニアが 精密SiC部品.

寸法精度と公差:

焼結SiC部品で達成可能な公差は、部品のサイズと複雑さ、製造プロセス(焼結後と機械加工)、および問題の特定の寸法など、いくつかの要因によって異なります。

  • 焼結公差:
    • その後の機械加工なしで、焼結炉から直接コンポーネントを使用すると、より広い公差が得られます。通常、これらは公称寸法の±0.5%〜±2%の範囲になります。より小さい寸法(例:25mm未満)の場合、これは±0.1mm〜±0.5mmに変換される場合があります。
    • 焼結後の部品は、その固有の公差がアプリケーション要件を満たしている場合、費用対効果が高くなります。これらは、超高精度が主な関心事ではない用途、たとえば、ある種の窯道具や一般的な摩耗部品に適しています。
  • 研削/機械加工公差:
    • 高精度を要求する用途には、焼結後のダイヤモンド研削が必要です。このプロセスにより、はるかに厳しい公差が可能になります。
    • 一般的な機械加工公差: 標準の研削公差は、多くの場合、±0.025mm〜±0.05mm(±0.001インチ〜±0.002インチ)に保持できます。
    • 精密機械加工公差: 高度な研削と計測を使用すると、より小さく、複雑でない機能の重要な寸法について、±0.001mm〜±0.005mm(±0.00004インチ〜±0.0002インチ)という厳しい公差を達成できます。このような厳しい公差を達成すると、コストとリードタイムが大幅に増加します。
    • 平坦度、平行度、直角度、および真円度も、研削とラッピングによって非常に高い精度で制御できます。たとえば、ラッピングされた表面では、ミクロンまたはサブミクロンの範囲の平坦度値が達成可能です。

機能的に必要な限り、公差を指定することが不可欠です。過度に厳しい公差は、製造コストを劇的にエスカレートさせます。 技術セラミックエンジニアリング チームまたはサプライヤーとの公差要件に関する話し合いは、最適なバランスを見つけるために不可欠です。

表面仕上げ:

焼結SiCコンポーネントの表面仕上げは、比較的粗い焼結後の表面から、高度に研磨された鏡面仕上げまで、特定のアプリケーションのニーズに合わせて調整できます。

  • 焼結後の表面:
    • 焼結SiC部品の一般的な表面粗さ(Ra)は、通常1 µm〜5 µm(40 µin〜200 µin)の範囲です。この仕上げは、表面の滑らかさが重要でない用途には十分であることがよくあります。
  • 地表:
    • ダイヤモンド研削は、表面仕上げを大幅に改善できます。標準の研削面は、Raが0.4 µm〜0.8 µm(16 µin〜32 µin)になる場合があります。より細かい研削操作では、Ra値を0.1 µm〜0.2 µm(4 µin〜8 µin)まで達成できます。
    • 研削された表面は、優れた寸法管理と適度な滑らかな仕上げを必要とするコンポーネントに一般的です。
  • ラップされた表面:
    • ラッピングは、非常に高い平面度と平行度、および改善された表面仕上げを達成するために使用されるプロセスです。ラップされたSiC表面は、通常、Ra値が0.02 µm〜0.1 µm(0.8 µin〜4 µin)に達する可能性があります。
    • ラッピングは、機械的シール、バルブシート、および優れた嵌合面を必要とするその他のコンポーネントによく使用されます。
  • 研磨された表面:
    • 非常に滑らかで、多くの場合反射性の表面(たとえば、ミラー、半導体ウェーハチャック、一部のベアリング面)を必要とする用途には、研磨技術が採用されています。
    • 研磨されたSiC表面は、Ra値0.01 µm~0.025 µmを達成できます。<0.4 µin to 1 µin), sometimes even down to angstrom levels for super-polished optical applications.

次の表は、達成可能な公差と表面仕上げの一般的なガイドラインを示しています。

About the Author: Sicarb Tech

We provide clear and reliable insights into silicon carbide materials, component manufacturing, application technologies, and global market trends. Our content reflects industry expertise, practical experience, and a commitment to helping readers understand the evolving SiC landscape.

You May Also Interest

私たちは中国のSiCのインサイダーなのだから。

私たちの背後には、中国科学アカデミーの専門家、10以上のSic工場の輸出提携があり、私たちは他の同業他社よりも多くのリソースと技術サポートを持っています。

シカーブテックについて

Sicarb Techは中国科学院の国家技術移転センターが支援する国家レベルのプラットフォームである。10以上の現地SiC工場と輸出提携を結び、このプラットフォームを通じて共同で国際貿易に従事し、カスタマイズされたSiC部品と技術を海外に輸出することを可能にしている。

主要材料
連絡先
© ウェイファン・サイカーブ・テック All Rights Reserved.

ウィーチャット

プロセス