{"id":5291,"date":"2025-09-15T08:23:17","date_gmt":"2025-09-15T08:23:17","guid":{"rendered":"https:\/\/sicarbtech.com\/?p=5291"},"modified":"2025-09-10T08:52:17","modified_gmt":"2025-09-10T08:52:17","slug":"silicon-carbide20251020","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/silicon-carbide20251020\/","title":{"rendered":"Tarjetas de control de accionamiento de puerta de MOSFET de carburo de silicio con pinza Miller activa, polarizaci\u00f3n negativa y alto aislamiento CMTI para funcionamiento a 50-200 kHz."},"content":{"rendered":"<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"product-overview-and-2025-market-relevance\">Visi\u00f3n general del producto y relevancia para el mercado en 2025<\/h2>\n\n\n\n<p>Las placas de control de accionamiento de puerta MOSFET de carburo de silicio (SiC) son la piedra angular para desbloquear el funcionamiento de alta frecuencia y alta eficiencia en los sistemas de conversi\u00f3n de energ\u00eda (PCS) y los inversores MV de los sistemas de almacenamiento de energ\u00eda de bater\u00edas (BESS). En los sectores textil, cementero de Pakist\u00e1n,<a href=\"https:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/Steel\" target=\"_blank\" rel=\"noopener\"> sider\u00fargico<\/a>y los sectores industriales emergentes, los convertidores deben ofrecer una eficiencia \u226598 %, una huella compacta y un funcionamiento estable en alimentadores vol\u00e1tiles de 11\u201333 kV, todo ello soportando temperaturas ambiente de 45\u201350 \u00b0C y entornos cargados de polvo comunes en los parques industriales.<\/p>\n\n\n\n<p>Las placas de accionamiento de puerta SiC dise\u00f1adas a medida permiten una conmutaci\u00f3n precisa y repetible a 50\u2013200 kHz mediante la combinaci\u00f3n de:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Aislamiento reforzado High-CMTI para tolerar bordes r\u00e1pidos dv\/dt sin disparos falsos<\/li>\n\n\n\n<li>Abrazadera Miller activa y polarizaci\u00f3n de puerta negativa configurable para suprimir la activaci\u00f3n parasitaria<\/li>\n\n\n\n<li>Protecci\u00f3n DESAT con desconexi\u00f3n de dos niveles (TLO) para una gesti\u00f3n de fallos r\u00e1pida y controlada<\/li>\n\n\n\n<li>Coincidencia de retardo de propagaci\u00f3n ajustada para la conmutaci\u00f3n sim\u00e9trica de medio puente<\/li>\n\n\n\n<li>Interfaces que se coordinan con los controles de PCS para la amortiguaci\u00f3n activa LCL, los modos de seguimiento de red (GFL) y de formaci\u00f3n de red (GFM), las ca\u00eddas Q\u2013V y P\u2013f y el comportamiento FRT<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Estas caracter\u00edsticas se traducen en ganancias medibles: imanes y filtros m\u00e1s peque\u00f1os, puesta en marcha m\u00e1s corta en alimentadores d\u00e9biles, menos disparos molestos y un mejor tiempo de actividad en condiciones adversas. Para las implementaciones de 2025, a medida que Pakist\u00e1n a\u00f1ade 3\u20135 GWh de almacenamiento C&amp;I y del lado de la red, las placas de accionamiento de puerta optimizadas para SiC reducen el riesgo de los programas y aceleran el retorno de la inversi\u00f3n.<\/p>\n\n\n<div class=\"wp-block-image\">\n<figure class=\"aligncenter size-full is-resized\"><img loading=\"lazy\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"1024\" src=\"https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/09\/13-1.jpg\" alt=\"\" class=\"wp-image-5292\" style=\"width:848px;height:auto\" srcset=\"https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/09\/13-1.jpg 1024w, https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/09\/13-1-300x300.jpg 300w, https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/09\/13-1-150x150.jpg 150w, https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/09\/13-1-768x768.jpg 768w, https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/09\/13-1-12x12.jpg 12w\" sizes=\"auto, (max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n<\/div>\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"technical-specifications-and-advanced-features\">Especificaciones t\u00e9cnicas y funciones avanzadas<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>El\u00e9ctrico y aislamiento<\/li>\n\n\n\n<li>Rieles de tensi\u00f3n de puerta: +15 a +18 V de activaci\u00f3n, -3 a -5 V de desactivaci\u00f3n (m\u00f3dulos configurables)<\/li>\n\n\n\n<li>Corriente de accionamiento m\u00e1xima: clase de 8\u201330 A para bordes n\u00edtidos con EMI gestionada<\/li>\n\n\n\n<li>Resistencia de aislamiento: aislamiento reforzado que cumple con las normas IEC\/UL pertinentes; CMTI \u2265 100 V\/ns para conmutaci\u00f3n de 50\u2013200 kHz<\/li>\n\n\n\n<li>Retraso de propagaci\u00f3n y sesgo: \u2264100 ns de propagaci\u00f3n total, \u226430\u201350 ns de sesgo de canal a canal<\/li>\n\n\n\n<li>Protecci\u00f3n y gesti\u00f3n de fallos<\/li>\n\n\n\n<li>Protecci\u00f3n DESAT con en blanco programable (por ejemplo, 200\u2013800 ns) y desconexi\u00f3n suave de dos niveles para limitar la sobretensi\u00f3n<\/li>\n\n\n\n<li>UVLO\/OVLO en ambos rieles positivos y negativos; umbrales de activaci\u00f3n de la abrazadera Miller ajustados al Cgd del dispositivo<\/li>\n\n\n\n<li>Enclavamiento de fallos programable, contadores de fallos y registros con marca de tiempo<\/li>\n\n\n\n<li>Control dv\/dt y EMI<\/li>\n\n\n\n<li>Rg de activaci\u00f3n\/desactivaci\u00f3n independiente; huellas de resistencia de puerta dividida opcionales para un ajuste fino<\/li>\n\n\n\n<li>Enrutamiento del pin de fuente Kelvin y topolog\u00eda de conexi\u00f3n a tierra en estrella para reducir el acoplamiento inductivo<\/li>\n\n\n\n<li>Snubbers RC opcionales y perfiles de control de velocidad de cambio dV\/dt cargados a trav\u00e9s del firmware<\/li>\n\n\n\n<li>Coordinaci\u00f3n e interfaces de control<\/li>\n\n\n\n<li>Enlaces digitales a las placas de control principales que implementan PLL, GFL\/GFM, ca\u00eddas Q\u2013V, P\u2013f, amortiguaci\u00f3n activa LCL, y curvas FRT<\/li>\n\n\n\n<li>Telemetr\u00eda: tensiones de puerta, eventos DESAT, sensores de temperatura; aislamiento de fibra opcional para entornos ruidosos<\/li>\n\n\n\n<li>Robustez ambiental<\/li>\n\n\n\n<li>Ambiente de funcionamiento: -40 \u00b0C a +105 \u00b0C; componentes clasificados para alta humedad; opciones de revestimiento conforme<\/li>\n\n\n\n<li>Protecci\u00f3n ESD\/sobretensi\u00f3n en E\/S; se mantiene el espacio libre del revestimiento para la fuga\/espacio libre<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"performance-comparison-sic-optimized-gate-drives-vs-conventional-igbt-oriented-drivers\">Comparaci\u00f3n de rendimiento: accionamientos de puerta optimizados para SiC frente a accionamientos orientados a IGBT convencionales<\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Criterio<\/th><th>Placas de control de accionamiento de puerta MOSFET de carburo de silicio (optimizadas para 50\u2013200 kHz)<\/th><th>Controladores de puerta orientados a IGBT convencionales<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Capacidad de frecuencia de conmutaci\u00f3n<\/td><td>50\u2013200 kHz con control dv\/dt<\/td><td>5\u201320 kHz t\u00edpicos; limitados a mayor fsw<\/td><\/tr><tr><td>Inmunidad dv\/dt (CMTI)<\/td><td>\u2265100 V\/ns de aislamiento reforzado<\/td><td>CMTI inferior; mayor riesgo de disparo falso<\/td><\/tr><tr><td>Protecci\u00f3n contra fallos<\/td><td>DESAT + TLO, r\u00e1pido y controlado<\/td><td>OCP m\u00e1s lento; mayor sobreimpulso\/tensi\u00f3n<\/td><\/tr><tr><td>Impacto de EMI y THD<\/td><td>Bordes limpios, filtros LCL m\u00e1s peque\u00f1os<\/td><td>Filtros m\u00e1s grandes; mayor EMI<\/td><\/tr><tr><td>Puesta en marcha en redes d\u00e9biles<\/td><td>Amortiguaci\u00f3n activa coordinada y modos de red<\/td><td>Sintonizaci\u00f3n m\u00e1s larga; riesgo de inestabilidad<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"key-advantages-and-proven-benefits-with-expert-quote\">Ventajas clave y beneficios probados con la cita de un experto<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Mayor eficiencia y densidad: la conmutaci\u00f3n estable de alta frecuencia admite filtros y componentes magn\u00e9ticos LCL compactos, lo que permite una eficiencia de PCS \u226598 % y una reducci\u00f3n de volumen de &gt;30 %.<\/li>\n\n\n\n<li>Protecci\u00f3n y tiempo de actividad robustos: DESAT con TLO controlado limita la energ\u00eda de fallo y el sobreimpulso, protegiendo los costosos m\u00f3dulos SiC y minimizando los disparos.<\/li>\n\n\n\n<li>Cumplimiento de interconexi\u00f3n m\u00e1s r\u00e1pido: la coordinaci\u00f3n integrada con los controles de ca\u00edda, FRT y amortiguaci\u00f3n activa acelera la aceptaci\u00f3n de la red MV.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Perspectiva experta:<br>\u201cGate drivers for wide bandgap transistors must provide fast, deterministic protection and finely controlled slew rates to realize efficiency advantages without compromising reliability.\u201d \u2014 IEEE Transactions on Power Electronics, WBG gate-driver design guidance (https:\/\/ieeexplore.ieee.org)<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"real-world-applications-and-measurable-success-stories\">Aplicaciones reales e historias de \u00e9xito mensurables<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>PCS de Punjab de 2 MW\/4 MWh: los controladores SiC con ajustes preestablecidos de DESAT\/TLO y amortiguaci\u00f3n activa permitieron un funcionamiento de ~100 kHz, elevaron la eficiencia del sistema al 98,2 %, redujeron el volumen del armario en un 35 % y acortaron la puesta en marcha en ~30 % a pesar de las condiciones de alimentador d\u00e9bil.<\/li>\n\n\n\n<li>Accionamientos de plantas textiles en Sindh: la polarizaci\u00f3n negativa y la abrazadera Miller eliminaron la activaci\u00f3n parasitaria, lo que redujo los disparos de EMI durante los veranos a 50 \u00b0C. Se mejor\u00f3 el tiempo de actividad y se ampliaron los intervalos de mantenimiento.<\/li>\n\n\n\n<li>Piloto de inversor MV en el sur de Pakist\u00e1n: la coordinaci\u00f3n GFM estabiliz\u00f3 la tensi\u00f3n durante las ca\u00eddas; el soporte reactivo (Q\u2013V) cumpli\u00f3 los objetivos de calidad de la energ\u00eda, logrando la aprobaci\u00f3n de la utilidad en la primera pasada.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"selection-and-maintenance-considerations\">Selecci\u00f3n y mantenimiento<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Compatibilidad y dimensionamiento de dispositivos<\/li>\n\n\n\n<li>Haga coincidir la corriente m\u00e1xima del controlador con la carga de puerta (Qg) del m\u00f3dulo y el dv\/dt deseado; aseg\u00farese de que los pines de fuente Kelvin est\u00e9n disponibles.<\/li>\n\n\n\n<li>Dise\u00f1o y par\u00e1sitos de PCB<\/li>\n\n\n\n<li>Mantenga el \u00e1rea del bucle de puerta m\u00ednima; utilice un acoplamiento ajustado a las rutas de retorno y separe las trazas de l\u00f3gica de los nodos de alto dv\/dt.<\/li>\n\n\n\n<li>Ajuste de protecci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n<li>Establezca los umbrales DESAT a partir de la SOA de la hoja de datos; calibre el en blanco para evitar disparadores de ruido mientras captura fallos reales; verifique el tiempo de desconexi\u00f3n de dos niveles.<\/li>\n\n\n\n<li>Endurecimiento ambiental<\/li>\n\n\n\n<li>Aplique un revestimiento conforme y seleccione acabados resistentes a la corrosi\u00f3n; planifique el mantenimiento del filtro de polvo para los recintos refrigerados.<\/li>\n\n\n\n<li>Flujo de trabajo de validaci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n<li>Ejecute pruebas de doble pulso para ajustar Rg y velocidad de giro; correlacione el comportamiento DESAT\/TLO; pruebe HIL la amortiguaci\u00f3n activa y las interacciones de ca\u00edda antes de las pruebas a plena potencia.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"industry-success-factors-and-customer-testimonials\">Factores de \u00e9xito del sector y testimonios de clientes<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>El codise\u00f1o interfuncional que vincula el accionamiento de puerta, el dise\u00f1o de potencia, el filtro LCL y el firmware de control es fundamental para la estabilidad de alta frecuencia y el bajo THD.<\/li>\n\n\n\n<li>Los paquetes de par\u00e1metros adaptados a las utilidades y las fortalezas de los alimentadores de Pakist\u00e1n aceleran las implementaciones de campo.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Comentarios de los clientes:<br>\u201cLos controladores de puerta espec\u00edficos de SiC eliminaron nuestros disparos molestos y nos permitieron aumentar la frecuencia de conmutaci\u00f3n sin penalizaciones de EMI. Las pruebas de red fueron sencillas\u201d. \u2014 Ingeniero de energ\u00eda principal, integrador de ESS de Pakist\u00e1n<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"future-innovations-and-market-trends\">Futuras innovaciones y tendencias del mercado<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Estimaci\u00f3n de la temperatura de la uni\u00f3n integrada y detecci\u00f3n de corriente dentro de los controladores de puerta para el mantenimiento predictivo<\/li>\n\n\n\n<li>Modulaci\u00f3n adaptativa de la velocidad de giro que responde a los eventos de la red para equilibrar las p\u00e9rdidas y la estabilidad<\/li>\n\n\n\n<li>Actualizaciones inal\u00e1mbricas seguras con paquetes de par\u00e1metros firmados para pruebas presenciadas por la utilidad<\/li>\n\n\n\n<li>Localizaci\u00f3n del montaje y la prueba del controlador en Pakist\u00e1n para reducir los plazos de entrega y mejorar el servicio<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"common-questions-and-expert-answers\">Preguntas frecuentes y respuestas de expertos<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>\u00bfNecesito polarizaci\u00f3n de puerta negativa para los MOSFET de SiC?<br>S\u00ed, normalmente -3 a -5 V ayuda a evitar la activaci\u00f3n parasitaria a trav\u00e9s de la capacitancia Miller durante las transiciones de alto dv\/dt, especialmente en las patas de medio puente.<\/li>\n\n\n\n<li>\u00bfQu\u00e9 clasificaci\u00f3n CMTI debo apuntar?<br>Apunte a una CMTI \u2265100 V\/ns con aislamiento reforzado para evitar disparos falsos a una conmutaci\u00f3n de 50\u2013200 kHz.<\/li>\n\n\n\n<li>\u00bfC\u00f3mo reduce la desconexi\u00f3n de dos niveles la tensi\u00f3n de fallo?<br>TLO inserta una ruta de desconexi\u00f3n controlada y m\u00e1s lenta despu\u00e9s de la detecci\u00f3n DESAT, lo que limita el sobreimpulso VDS y di\/dt para proteger el dispositivo y el m\u00f3dulo.<\/li>\n\n\n\n<li>\u00bfPueden estos controladores ayudar con la puesta en marcha de redes d\u00e9biles?<br>S\u00ed. La coordinaci\u00f3n con los controles de amortiguaci\u00f3n activa y ca\u00edda estabiliza la corriente y la tensi\u00f3n durante las ca\u00eddas\/aumentos, lo que facilita las aprobaciones de las utilidades.<\/li>\n\n\n\n<li>\u00bfC\u00f3mo ajustar los valores de Rg?<br>Utilice pruebas de doble pulso para equilibrar la p\u00e9rdida de conmutaci\u00f3n y la EMI. Emplee resistencias de activaci\u00f3n\/desactivaci\u00f3n separadas y, si es necesario, rutas de puerta divididas para un control m\u00e1s fino.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"why-this-solution-works-for-your-operations\">Por qu\u00e9 esta soluci\u00f3n es adecuada para sus operaciones<\/h2>\n\n\n\n<p>Los entornos industriales de Pakist\u00e1n son calurosos, polvorientos y con problemas de red. Las placas de control de accionamiento de puerta MOSFET de carburo de silicio con abrazadera Miller activa, polarizaci\u00f3n negativa, aislamiento High-CMTI y protecci\u00f3n DESAT\/TLO convierten las ventajas del dispositivo SiC en resultados de campo: eficiencia \u226598 %, huella compacta, menos disparos y cumplimiento r\u00e1pido de la red. El resultado es un mayor tiempo de actividad, un menor LCOE y un retorno de la inversi\u00f3n m\u00e1s r\u00e1pido en los sectores textil, cementero, sider\u00fargico y emergente.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"connect-with-specialists-for-custom-solutions\">Conecte con especialistas para soluciones personalizadas<\/h2>\n\n\n\n<p>As\u00f3ciese con Sicarb Tech para dise\u00f1ar, validar y escalar plataformas de accionamiento de puerta SiC:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>M\u00e1s de 10 a\u00f1os de experiencia en fabricaci\u00f3n de SiC e ingenier\u00eda de aplicaciones<\/li>\n\n\n\n<li>Respaldado por la Academia de Ciencias de China para la innovaci\u00f3n en dispositivos, embalaje y control<\/li>\n\n\n\n<li>Desarrollo personalizado en materiales R-SiC, SSiC, RBSiC, SiSiC y pilas avanzadas de accionamiento de puerta\/control<\/li>\n\n\n\n<li>Servicios de transferencia de tecnolog\u00eda y establecimiento de f\u00e1bricas para localizar la producci\u00f3n y las pruebas en Pakist\u00e1n<\/li>\n\n\n\n<li>Soluciones llave en mano desde materiales y dispositivos hasta accionamientos de puerta, m\u00f3dulos, filtros LCL, refrigeraci\u00f3n y documentaci\u00f3n de cumplimiento<\/li>\n\n\n\n<li>Trayectoria probada con m\u00e1s de 19 empresas que logran una mayor eficiencia, una puesta en marcha m\u00e1s r\u00e1pida y un funcionamiento fiable<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Solicite una consulta gratuita para la especificaci\u00f3n del controlador, el ajuste de la protecci\u00f3n y los paquetes de par\u00e1metros de puesta en marcha:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Email: team@sicarbtech.com<\/li>\n\n\n\n<li>Tel\u00e9fono\/WhatsApp: +86 133 6536 0038<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Asegure las ranuras de codise\u00f1o y validaci\u00f3n 2025\u20132026 para acelerar el cumplimiento del c\u00f3digo de red, reducir el riesgo de EMI y escalar las implementaciones en los centros industriales de Pakist\u00e1n.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\" id=\"article-metadata\">Metadatos del art\u00edculo<\/h2>\n\n\n\n<p>\u00daltima actualizaci\u00f3n: 2025-09-10<br>Pr\u00f3xima actualizaci\u00f3n programada: 2026-01-15<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Descripci\u00f3n general del producto y relevancia para el mercado de 2025 Las placas de control de puerta MOSFET de carburo de silicio (SiC) son la piedra angular para desbloquear el funcionamiento de alta frecuencia y alta eficiencia en los sistemas de conversi\u00f3n de potencia (PCS) de los sistemas de almacenamiento de energ\u00eda en bater\u00edas (BESS) y los inversores de MV. En los sectores textil, cementero, sider\u00fargico y emergentes de Pakist\u00e1n, los convertidores deben ofrecer una eficiencia \u226598 %, una huella compacta y un funcionamiento estable en\u2026<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":1775,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_gspb_post_css":"","_kad_blocks_custom_css":"","_kad_blocks_head_custom_js":"","_kad_blocks_body_custom_js":"","_kad_blocks_footer_custom_js":"","_kad_post_transparent":"","_kad_post_title":"","_kad_post_layout":"","_kad_post_sidebar_id":"","_kad_post_content_style":"","_kad_post_vertical_padding":"","_kad_post_feature":"","_kad_post_feature_position":"","_kad_post_header":false,"_kad_post_footer":false,"_kad_post_classname":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-5291","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-uncategorized"],"acf":{"en_gb-title":"","en_gb-meta":"","ja-title":"","ja-meta":"","ja-content":"","ko-title":"","ko-meta":"","ko-content":"","nl-title":"","nl-meta":"","nl-content":"","es-title":"","es-meta":"","es-content":"","ru-title":"","ru-meta":"","ru-content":"","tr-title":"","tr-meta":"","tr-content":"","pl-title":"","pl-meta":"","pl-content":"","pt-title":"","pt-meta":"","pt-content":"","de-title":"","de-meta":"","de-content":"","fr-title":"","fr-meta":"","fr-content":""},"taxonomy_info":{"category":[{"value":1,"label":"Uncategorized"}]},"featured_image_src_large":["https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/05\/Wear-resistant-bushing-1.jpg",600,448,false],"author_info":{"display_name":"yiyunyinglucky","author_link":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/author\/yiyunyinglucky\/"},"comment_info":0,"category_info":[{"term_id":1,"name":"Uncategorized","slug":"uncategorized","term_group":0,"term_taxonomy_id":1,"taxonomy":"category","description":"","parent":0,"count":796,"filter":"raw","cat_ID":1,"category_count":796,"category_description":"","cat_name":"Uncategorized","category_nicename":"uncategorized","category_parent":0}],"tag_info":false,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5291","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=5291"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5291\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":5347,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/5291\/revisions\/5347"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/1775"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=5291"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=5291"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=5291"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}