\n| SiC recristalizado (RSiC)<\/td>\n | Excelente resistencia al choque t\u00e9rmico, poroso.<\/td>\n | Fabricaci\u00f3n de hornos, elementos calefactores.<\/td>\n | Medio-Alto<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n La consulta con proveedores experimentados de cer\u00e1mica t\u00e9cnica es crucial para seleccionar el grado de SiC \u00f3ptimo que equilibre los requisitos de rendimiento con la viabilidad econ\u00f3mica para su aplicaci\u00f3n solar espec\u00edfica.<\/p>\n Dise\u00f1o para el \u00e9xito: Integraci\u00f3n de componentes SiC en energ\u00eda solar<\/h2>\nEl dise\u00f1o y la integraci\u00f3n eficaces de componentes de SiC son primordiales para aprovechar todo el potencial de este material avanzado en los sistemas fotovoltaicos solares. Si bien el SiC ofrece propiedades superiores, una cuidadosa consideraci\u00f3n durante la fase de dise\u00f1o garantiza la fabricabilidad, el rendimiento \u00f3ptimo y la fiabilidad a largo plazo. Esto implica un enfoque de colaboraci\u00f3n entre los dise\u00f1adores de sistemas solares y los fabricantes de componentes de SiC.<\/p>\n Entre las consideraciones clave del dise\u00f1o figuran:<\/p>\n \n- Fabricabilidad y l\u00edmites de la geometr\u00eda:<\/strong>\n
\n- El SiC es un material extremadamente duro, lo que dificulta y encarece el mecanizado despu\u00e9s del sinterizado o la uni\u00f3n. Los dise\u00f1os deben apuntar a la fabricaci\u00f3n de forma casi neta siempre que sea posible.<\/li>\n
- Considere las capacidades de los diferentes procesos de formaci\u00f3n de SiC (por ejemplo, prensado, colado por deslizamiento, extrusi\u00f3n, moldeo por inyecci\u00f3n para cuerpos verdes). Las geometr\u00edas complejas podr\u00edan ser factibles, pero podr\u00edan afectar el costo y el plazo de entrega.<\/li>\n
- El grosor m\u00ednimo de la pared, el tama\u00f1o de la caracter\u00edstica y las relaciones de aspecto deben discutirse con el proveedor de SiC, ya que estos var\u00edan seg\u00fan el grado de SiC y la ruta de fabricaci\u00f3n.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Integraci\u00f3n de c\u00e9lulas solares y dise\u00f1o de inversores:<\/strong>\n
\n- Para los dispositivos de potencia de SiC (MOSFET, diodos), el dise\u00f1o del paquete es fundamental para minimizar las inductancias y capacitancias par\u00e1sitas, que pueden afectar el rendimiento de la conmutaci\u00f3n a altas frecuencias.<\/li>\n
- Los materiales de interfaz t\u00e9rmica (TIM) y las t\u00e9cnicas de montaje deben garantizar una transferencia de calor eficiente del chip de SiC al disipador de calor dentro del dise\u00f1o del inversor.<\/li>\n
- La disposici\u00f3n de los componentes de SiC en las PCB o sustratos debe optimizar las trayectorias de corriente y reducir la interferencia electromagn\u00e9tica (EMI).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Dise\u00f1o y gesti\u00f3n t\u00e9rmica:<\/strong>\n
\n- Si bien el SiC funciona a temperaturas m\u00e1s altas, la gesti\u00f3n t\u00e9rmica eficaz sigue siendo crucial para la longevidad y el rendimiento. Dise\u00f1e componentes de SiC y sus conjuntos para maximizar la disipaci\u00f3n de calor. Esto podr\u00eda implicar canales de refrigeraci\u00f3n integrados, geometr\u00edas de difusores de calor optimizadas o uni\u00f3n directa a disipadores de calor.<\/li>\n
- Considere el desajuste del coeficiente de expansi\u00f3n t\u00e9rmica (CTE) entre el SiC y los materiales adyacentes (por ejemplo, placas base de cobre, PCB) para evitar tensiones mec\u00e1nicas durante el ciclo t\u00e9rmico. Las composiciones de materiales de SiC personalizadas a veces pueden ofrecer CTE adaptados.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Puntos de tensi\u00f3n mec\u00e1nica y fragilidad:<\/strong>\n
\n- El SiC es una cer\u00e1mica y, por lo tanto, inherentemente fr\u00e1gil. Los dise\u00f1os deben evitar las esquinas afiladas, los concentradores de tensi\u00f3n y las altas cargas de tracci\u00f3n siempre que sea posible. Se recomiendan radios y chaflanes generosos.<\/li>\n
- Los mecanismos de montaje y las fuerzas de sujeci\u00f3n deben controlarse cuidadosamente para evitar el agrietamiento o los da\u00f1os en los componentes de SiC. Considere intercapas conformes o dispositivos de fijaci\u00f3n con resorte.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Consideraciones el\u00e9ctricas:<\/strong>\n
\n- Para la electr\u00f3nica de potencia, los requisitos de accionamiento de puerta para los MOSFET de SiC son diferentes a los de los IGBT de silicio y requieren un dise\u00f1o cuidadoso para una conmutaci\u00f3n \u00f3ptima.<\/li>\n
- Deben respetarse las distancias de fuga y de aislamiento, especialmente en aplicaciones de alta tensi\u00f3n t\u00edpicas de los sistemas solares de 1500 V, para evitar la formaci\u00f3n de arcos.<\/li>\n
- Las altas velocidades de conmutaci\u00f3n de los dispositivos de SiC pueden generar m\u00e1s EMI si no se gestionan correctamente mediante el dise\u00f1o, el blindaje y el filtrado.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Uni\u00f3n y ensamblaje:<\/strong>\n
\n- Las t\u00e9cnicas para unir SiC a otros materiales (metales, otras cer\u00e1micas), como la soldadura fuerte, la uni\u00f3n por difusi\u00f3n o los adhesivos especializados, deben considerarse en la fase inicial del dise\u00f1o. La elecci\u00f3n del m\u00e9todo de uni\u00f3n depende de la temperatura y el entorno de funcionamiento.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n
La integraci\u00f3n exitosa suele implicar la simulaci\u00f3n y el modelado (t\u00e9rmico, mec\u00e1nico, el\u00e9ctrico) para predecir el rendimiento e identificar posibles problemas antes de la fabricaci\u00f3n. Trabajar en estrecha colaboraci\u00f3n con un proveedor de SiC que ofrezca soporte de dise\u00f1o y experiencia en el dise\u00f1o de componentes de SiC puede agilizar significativamente este proceso y conducir a sistemas fotovoltaicos solares m\u00e1s robustos y eficientes.<\/p>\n La precisi\u00f3n importa: Tolerancias y acabado para piezas solares de SiC<\/h2>\nLograr la exactitud dimensional, el acabado superficial y las tolerancias ajustadas requeridas es fundamental para la funcionalidad y la fiabilidad de los componentes de carburo de silicio en aplicaciones fotovoltaicas solares exigentes. Dada la extrema dureza del SiC, los procesos de mecanizado y acabado son especializados y pueden afectar significativamente al coste y al rendimiento final de la pieza. Los ingenieros y los responsables de compras deben tener una clara comprensi\u00f3n de lo que es factible y necesario.<\/p>\n Tolerancias alcanzables:<\/h3>\nLas tolerancias alcanzables para los componentes de SiC dependen de varios factores, como el grado de SiC, el proceso de conformado inicial (por ejemplo, prensado, fundici\u00f3n) y el alcance del mecanizado posterior a la sinterizaci\u00f3n.<\/p>\n \n- Tolerancias de \"as-sintered\":<\/strong> Los componentes producidos sin mecanizado posterior a la sinterizaci\u00f3n suelen tener tolerancias m\u00e1s amplias, a menudo en el rango de \u00b10,5% a \u00b12% de la dimensi\u00f3n, dependiendo del tama\u00f1o y la complejidad. Esto es adecuado para aplicaciones en las que la alta precisi\u00f3n no es primordial, como algunos elementos estructurales o mobiliario de hornos.<\/li>\n
- Tolerancias mecanizadas:<\/strong> Para aplicaciones de alta precisi\u00f3n como los sustratos de semiconductores de potencia de SiC, los componentes \u00f3pticos en CSP o las piezas de acoplamiento en conjuntos mec\u00e1nicos, se emplean el rectificado y el lapeado. Con estos procesos, se pueden lograr tolerancias muy ajustadas:\n
\n- Tolerancias dimensionales: Hasta \u00b10,001 mm (1 \u00b5m) o incluso m\u00e1s ajustadas para caracter\u00edsticas cr\u00edticas.<\/li>\n
- Planitud y paralelismo: Se pueden controlar hasta unos pocos micr\u00f3metros en \u00e1reas superficiales significativas.<\/li>\n
- Angularidad y perpendicularidad: Tambi\u00e9n se pueden controlar de forma precisa.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Opciones de acabado superficial:<\/h3>\nEl acabado superficial de los componentes de SiC es crucial por varias razones, como minimizar la fricci\u00f3n en aplicaciones din\u00e1micas, garantizar un buen contacto para la transferencia t\u00e9rmica o lograr las propiedades \u00f3pticas deseadas.<\/p>\n \n- Superficie tal cual se cuece\/sinteriza:<\/strong> El acabado superficial de una pieza sinterizada es generalmente m\u00e1s rugoso, con valores Ra (rugosidad media) que suelen oscilar entre 1 \u00b5m y 10 \u00b5m, dependiendo del grado de SiC y del m\u00e9todo de conformado.<\/li>\n
- Superficie Rectificada:<\/strong> El rectificado con muelas diamantadas puede mejorar significativamente el acabado superficial, logrando t\u00edpicamente valores Ra en el rango de 0,2 \u00b5m a 0,8 \u00b5m. Esto suele ser suficiente para muchas aplicaciones mec\u00e1nicas y t\u00e9rmicas.<\/li>\n
- Superficie lapeada y pulida:<\/strong> Para aplicaciones que requieren superficies ultra lisas, como sustratos para el crecimiento epitaxial en obleas de SiC, espejos o sellos de alto rendimiento, se utilizan procesos de lapeado y pulido. Estos pueden lograr:\n
\n- Valores Ra muy por debajo de 0,05 \u00b5m (50 nm).<\/li>\n
- Para obleas de semiconductores, se pueden lograr superficies \"preparadas para epi\" con una rugosidad a nivel de angstrom mediante pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico (CMP).<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n
Consideraciones de ingenier\u00eda de precisi\u00f3n:<\/h3>\n\n- Implicaci\u00f3n de costes:<\/strong> Las tolerancias m\u00e1s ajustadas y los acabados superficiales m\u00e1s finos conducen invariablemente a mayores costes de fabricaci\u00f3n debido al aumento del tiempo de procesamiento, los equipos especializados y el desgaste de las herramientas de diamante. Es esencial especificar s\u00f3lo el nivel de precisi\u00f3n realmente requerido por la aplicaci\u00f3n.<\/li>\n
- Metrolog\u00eda e inspecci\u00f3n:<\/strong> La verificaci\u00f3n de tolerancias ajustadas y acabados superficiales finos requiere equipos de metrolog\u00eda sofisticados, como m\u00e1quinas de medici\u00f3n por coordenadas (CMM), perfil\u00f3metros, interfer\u00f3metros y microscopios de fuerza at\u00f3mica (AFM). Aseg\u00farese de que su proveedor dispone de capacidades de inspecci\u00f3n adecuadas.<\/li>\n
- Calidad de los bordes:<\/strong> El astillado puede ser un problema con materiales fr\u00e1giles como el SiC. La especificaci\u00f3n de chaflanes o redondeos en los bordes puede mitigar este problema.<\/li>\n
- Dise\u00f1o para el mecanizado:<\/strong> Si se requiere mecanizado, dise\u00f1e caracter\u00edsticas que sean accesibles a las muelas y otras herramientas. Evite las ranuras o los agujeros profundos y estrechos si es posible.<\/li>\n<\/ul>\n
Comprender la interacci\u00f3n entre los requisitos de dise\u00f1o, las capacidades de mecanizado de SiC y el coste es vital. La consulta temprana con expertos en ingenier\u00eda de precisi\u00f3n en su proveedor de componentes de SiC le ayudar\u00e1 a definir especificaciones realistas y alcanzables para sus piezas fotovoltaicas solares, garantizando un rendimiento \u00f3ptimo sin gastos innecesarios.<\/p>\n Mejora de la durabilidad: Post-procesamiento para SiC en tecnolog\u00eda solar<\/h2>\nAunque el carburo de silicio es intr\u00ednsecamente robusto, ciertos tratamientos de posprocesamiento pueden mejorar a\u00fan m\u00e1s la fiabilidad de sus componentes y el rendimiento a largo plazo en los exigentes entornos que se encuentran en la tecnolog\u00eda solar. Estos pasos se adaptan a las necesidades espec\u00edficas de la aplicaci\u00f3n y pueden mejorar las propiedades mec\u00e1nicas, la resistencia qu\u00edmica o las caracter\u00edsticas de la superficie.<\/p>\n Las necesidades comunes de posprocesamiento para los componentes de SiC incluyen:<\/p>\n \n- Rectificado y lapeado de SiC:<\/strong>\n
\n- Como se ha comentado anteriormente, estos son los m\u00e9todos principales para lograr dimensiones precisas y acabados superficiales lisos. M\u00e1s all\u00e1 de la exactitud dimensional, el rectificado puede eliminar cualquier defecto superficial o microfisura introducida durante las etapas de conformado anteriores, mejorando as\u00ed la resistencia mec\u00e1nica del componente. El lapeado crea superficies ultraplanas y lisas, cruciales para aplicaciones de sellado o para sustratos utilizados en la fabricaci\u00f3n de dispositivos semiconductores dentro de los inversores solares.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Pulido:<\/strong>\n
\n- Para aplicaciones que requieren una rugosidad superficial extremadamente baja, como espejos \u00f3pticos en sistemas de energ\u00eda solar concentrada (CSP) o sustratos para capas epitaxiales de alta calidad en obleas de SiC, se emplea el pulido (a menudo pulido qu\u00edmico-mec\u00e1nico o CMP). Esto minimiza la dispersi\u00f3n de la luz y los defectos de la superficie.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Tratamiento de bordes y achaflanado:<\/strong>\n
\n- La fragilidad del SiC hace que los bordes afilados sean propensos a astillarse durante la manipulaci\u00f3n, el montaje o el funcionamiento. El rectificado de chaflanes o radios en los bordes puede reducir significativamente las concentraciones de tensi\u00f3n y mejorar la resistencia a la fractura del componente.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Recocido:<\/strong>\n
\n- El recocido a alta temperatura puede utilizarse para aliviar las tensiones internas que pueden haberse desarrollado durante la fabricaci\u00f3n o el mecanizado agresivo. Esto puede mejorar la tenacidad y la estabilidad del material, especialmente para los componentes sometidos a ciclos t\u00e9rmicos.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Recubrimiento y modificaci\u00f3n de la superficie de SiC:<\/strong>\n
\n- Sellado para grados porosos:<\/strong> Algunos grados de SiC (por ejemplo, RSiC poroso o algunos NBSC) pueden requerir sellado para evitar la penetraci\u00f3n de gases o l\u00edquidos en entornos espec\u00edficos. Esto puede lograrse con sellantes a base de vidrio u otros recubrimientos cer\u00e1micos.<\/li>\n
- Revestimientos protectores:<\/strong> Aunque el SiC en s\u00ed es muy resistente a muchos productos qu\u00edmicos, se pueden aplicar recubrimientos especializados (por ejemplo, SiC CVD, carbono similar al diamante u otros materiales refractarios) para mejorar a\u00fan m\u00e1s la resistencia a entornos extremadamente corrosivos o para modificar las propiedades el\u00e9ctricas de la superficie. Por ejemplo, se podr\u00edan utilizar recubrimientos en componentes de SiC dentro de los reactores de producci\u00f3n de polisilicio.<\/li>\n
- Recubrimientos funcionales:<\/strong> Los recubrimientos tambi\u00e9n pueden conferir funcionalidades espec\u00edficas, como recubrimientos antirreflectantes para lentes o ventanas de SiC, o recubrimientos catal\u00edticos para aplicaciones de procesamiento qu\u00edmico espec\u00edficas relacionadas con la producci\u00f3n de combustible solar.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Limpieza:<\/strong>\n
\n- Los procesos de limpieza a fondo son esenciales, especialmente para los componentes utilizados en entornos de alta pureza, como la fabricaci\u00f3n de semiconductores (por ejemplo, anillos de grabado de SiC, componentes de c\u00e1mara) o para aplicaciones \u00f3pticas. Esto puede implicar la limpieza por ultrasonidos, el grabado qu\u00edmico y los enjuagues con agua de alta pureza.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n
La decisi\u00f3n de implementar estos pasos de posprocesamiento depende de las exigencias espec\u00edficas de la aplicaci\u00f3n solar, el grado de SiC elegido y un an\u00e1lisis de coste-beneficio. Por ejemplo, los MOSFET y diodos de SiC se someter\u00e1n a un extenso procesamiento a nivel de oblea, incluyendo CMP y capas de pasivaci\u00f3n, mientras que una viga estructural de SiC podr\u00eda requerir s\u00f3lo rectificado a la dimensi\u00f3n. Colaborar con un proveedor de SiC con conocimientos que comprenda estos matices es clave para garantizar que los componentes reciban los tratamientos adecuados para maximizar su durabilidad y rendimiento dentro de la vida \u00fatil operativa del sistema fotovoltaico solar.<\/p>\n Superar los obst\u00e1culos: Desaf\u00edos comunes del SiC en la energ\u00eda solar fotovoltaica y soluciones<\/h2>\nA pesar de sus numerosas ventajas, la adopci\u00f3n e implementaci\u00f3n del carburo de silicio en los sistemas fotovoltaicos solares no est\u00e1n exentas de desaf\u00edos. Comprender estos obst\u00e1culos y las estrategias para superarlos es crucial para los ingenieros, los responsables de compras y los fabricantes que pretenden aprovechar el SiC para mejorar la eficiencia y la fiabilidad.<\/p>\n Desaf\u00edos comunes:<\/h3>\n\n- Fragilidad y tenacidad a la fractura del SiC:<\/strong>\n
\n- Desaf\u00edo:<\/strong> El SiC es un material cer\u00e1mico y, como la mayor\u00eda de las cer\u00e1micas, presenta un comportamiento de fractura fr\u00e1gil. Esto significa que tiene poca tolerancia a los defectos y puede fracturarse repentinamente bajo tensi\u00f3n mec\u00e1nica o t\u00e9rmica, especialmente si hay concentraciones de tensi\u00f3n.<\/li>\n
- Soluciones:<\/strong>\n
\n- Optimizaci\u00f3n del dise\u00f1o:<\/strong> Evite las esquinas afiladas, utilice redondeos y chaflanes, y dise\u00f1e para cargas de compresi\u00f3n en lugar de tracci\u00f3n siempre que sea posible.<\/li>\n
- Selecci\u00f3n del grado de material:<\/strong> Algunos grados de SiC (por ejemplo, cer\u00e1micas o compuestos endurecidos, aunque menos comunes para piezas t\u00edpicas de energ\u00eda solar fotovoltaica) ofrecen una tenacidad a la fractura ligeramente mejorada. De forma m\u00e1s pr\u00e1ctica, elegir grados de mayor densidad y sin defectos puede ayudar.<\/li>\n
- Manipulaci\u00f3n y montaje cuidadosos:<\/strong> Implemente los procedimientos adecuados para la manipulaci\u00f3n, el montaje y la sujeci\u00f3n de los componentes de SiC para evitar la inducci\u00f3n de tensiones.<\/li>\n
- Pruebas de resistencia:<\/strong> Para componentes cr\u00edticos, las pruebas de verificaci\u00f3n pueden ayudar a eliminar las piezas con defectos subcr\u00edticos.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n
- Complejidad y coste del mecanizado:<\/strong>\n
\n- Desaf\u00edo:<\/strong> La extrema dureza del SiC dificulta y encarece el mecanizado. Se requiere utillaje de diamante, y las tasas de eliminaci\u00f3n de material son lentas, lo que genera mayores costes de fabricaci\u00f3n y, potencialmente, plazos de entrega m\u00e1s largos para piezas complejas.<\/li>\n
- Soluciones:<\/strong>\n
\n- Formaci\u00f3n de formas cercanas a la red:<\/strong> Utilice procesos de fabricaci\u00f3n que produzcan piezas lo m\u00e1s cercanas posible a las dimensiones finales, minimizando la necesidad de un mecanizado exhaustivo.<\/li>\n
- Dise\u00f1o optimizado para la fabricaci\u00f3n (DFM):<\/strong> Simplifique las geometr\u00edas siempre que sea factible y dise\u00f1e caracter\u00edsticas que sean m\u00e1s f\u00e1ciles de mecanizar.<\/li>\n
- T\u00e9cnicas de mecanizado avanzadas:<\/strong> Explore opciones como la rectificaci\u00f3n asistida por ultrasonidos o el mecanizado por l\u00e1ser para caracter\u00edsticas espec\u00edficas, aunque tambi\u00e9n pueden ser costosas.<\/li>\n
- Producci\u00f3n en volumen:<\/strong> Las econom\u00edas de escala pueden ayudar a reducir los costes de mecanizado por unidad.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Sector de energ\u00eda solar fotovoltaica: SiC para mayores ganancias de eficiencia Introducci\u00f3n: SiC impulsando el futuro de la eficiencia de la energ\u00eda solar fotovoltaica El cambio global hacia las fuentes de energ\u00eda renovables ha colocado a la industria solar fotovoltaica (PV) a la vanguardia de la innovaci\u00f3n. A medida que aumenta la demanda de energ\u00eda m\u00e1s limpia, tambi\u00e9n lo hace la presi\u00f3n para mejorar la eficiencia, la fiabilidad y la rentabilidad de la generaci\u00f3n de energ\u00eda solar….<\/p>","protected":false},"author":3,"featured_media":2346,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_gspb_post_css":"","_kad_blocks_custom_css":"","_kad_blocks_head_custom_js":"","_kad_blocks_body_custom_js":"","_kad_blocks_footer_custom_js":"","_kad_post_transparent":"","_kad_post_title":"","_kad_post_layout":"","_kad_post_sidebar_id":"","_kad_post_content_style":"","_kad_post_vertical_padding":"","_kad_post_feature":"","_kad_post_feature_position":"","_kad_post_header":false,"_kad_post_footer":false,"_kad_post_classname":"","footnotes":""},"categories":[1],"tags":[],"class_list":["post-2551","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-uncategorized"],"acf":{"en_gb-title":"","en_gb-meta":"","ja-title":"","ja-meta":"","ja-content":"","ko-title":"","ko-meta":"","ko-content":"","nl-title":"","nl-meta":"","nl-content":"","es-title":"","es-meta":"","es-content":"","ru-title":"","ru-meta":"","ru-content":"","tr-title":"","tr-meta":"","tr-content":"","pl-title":"","pl-meta":"","pl-content":"","pt-title":"","pt-meta":"","pt-content":"","de-title":"","de-meta":"","de-content":"","fr-title":"","fr-meta":"","fr-content":""},"taxonomy_info":{"category":[{"value":1,"label":"Uncategorized"}]},"featured_image_src_large":["https:\/\/sicarbtech.com\/wp-content\/uploads\/2025\/05\/Custom-Silicon-Carbide-Products-8_1-1.jpg",1024,1024,false],"author_info":{"display_name":"yiyunyinglucky","author_link":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/author\/yiyunyinglucky\/"},"comment_info":0,"category_info":[{"term_id":1,"name":"Uncategorized","slug":"uncategorized","term_group":0,"term_taxonomy_id":1,"taxonomy":"category","description":"","parent":0,"count":794,"filter":"raw","cat_ID":1,"category_count":794,"category_description":"","cat_name":"Uncategorized","category_nicename":"uncategorized","category_parent":0}],"tag_info":false,"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2551","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/3"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2551"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2551\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":4965,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2551\/revisions\/4965"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2346"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2551"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2551"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/sicarbtech.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2551"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}} |