Sin categoría

Descripción general del producto y relevancia para el mercado de 2025 Los sistemas de alimentación de CC de carburo de silicio (SiC) de alta frecuencia y alta densidad integran MOSFET y diodos SiC con componentes magnéticos avanzados, control digital y un embalaje térmico robusto para ofrecer una conversión de CC compacta y eficiente para sitios de telecomunicaciones, nodos de computación de borde y redes de CC industriales. Funcionando de forma fiable a temperaturas ambiente elevadas y bajo perturbaciones de la red comunes…

Descripción general del producto y relevancia para el mercado en 2025 Los módulos convertidores de SAI en línea de carburo de silicio (SiC) son etapas de potencia prediseñadas que integran MOSFET/diodos de SiC, componentes magnéticos de alta densidad, control digital y gestión térmica avanzada para ofrecer protección continua de doble conversión para cargas de misión crítica. En comparación con los diseños de SAI basados en silicio, los módulos SiC logran una mayor eficiencia tanto a plena carga como a carga ligera,...

S. Productos coreanos de carburo de silicio para su éxito En el panorama industrial actual, que avanza con rapidez, la demanda de materiales capaces de soportar condiciones extremas y ofrecer al mismo tiempo un rendimiento superior es primordial. Entre ellos, **los productos personalizados de carburo de silicio (SiC)** destacan por su capacidad de cambiar las reglas del juego y ofrecer propiedades inigualables para una amplia gama de aplicaciones críticas. Esta entrada del blog profundiza en…

Industria del vidrio: SiC para la estabilidad y el control a alta temperatura La industria del vidrio opera en algunas de las condiciones térmicas y mecánicas más exigentes que se encuentran en la fabricación. Lograr un control preciso de la temperatura, garantizar la longevidad del equipo y mantener la pureza del vidrio son primordiales. El carburo de silicio (SiC) ha surgido como un material cerámico avanzado crítico, que ofrece un rendimiento sin igual en entornos de alta temperatura,...

Descripción general del producto y relevancia para el mercado en 2025 Los sustratos de SiC para disipación térmica a nivel de chip son componentes cerámicos de ingeniería que se colocan directamente debajo de las matrices de semiconductores o dentro de las pilas de módulos de potencia para conducir y diseminar lateralmente el calor, reduciendo los gradientes térmicos y las temperaturas máximas de unión. Utilizando SiC aglomerado por reacción (RBSiC), SiC sinterizado sin presión/en estado sólido (SSiC) o híbridos de SiSiC, estos sustratos ofrecen una alta conductividad térmica,...

Descripción general del producto y relevancia en el mercado en 2025 Los módulos de control de corrección del factor de potencia (PFC) de SiC son etapas de control y potencia prediseñadas que combinan MOSFET/diodos de carburo de silicio con control digital, detección y protección para ofrecer un factor de potencia (PF) >99% y una distorsión armónica total (THD) <3% en amplios rangos de carga. Son la piedra angular de los rectificadores frontales de alta eficiencia en SAI, VFD,...

Descripción general del producto y relevancia para el mercado de 2025 Los módulos de potencia de alto voltaje de carburo de silicio (SiC) permiten una conversión compacta, eficiente y robusta a voltajes de enlace de CC de clase kilovoltio para accionamientos de media tensión (MV), inversores de tracción y convertidores conectados a la red. Aprovechando los MOSFET y diodos SiC de 1200–3300 V en paquetes avanzados con DBC AlN/Si3N4, unión de matriz de sinterización de plata y barras colectoras de baja inductancia, estos módulos ofrecen una alta conmutación…

Descripción general del producto y relevancia para el mercado de 2025 Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) son rectificadores unipolares con una carga de recuperación inversa (Qrr) casi nula, lo que permite una conmutación ultrarrápida y de bajas pérdidas en las etapas de corrección del factor de potencia (PFC) y en las fuentes de alimentación conmutadas (SMPS). A diferencia de los diodos de recuperación ultrarrápida/rápida de silicio, los dispositivos Schottky de SiC eliminan la corriente de cola de recuperación inversa, lo que reduce drásticamente las pérdidas de conmutación y las interferencias electromagnéticas (EMI)...

Descripción general del producto y relevancia para el mercado de 2025 Las pruebas de funcionamiento y los equipos de prueba automatizados (ATE) de dispositivos de carburo de silicio (SiC) proporcionan los entornos de tensión de alta temperatura y alta tensión necesarios para detectar fallos en las primeras etapas de vida útil y verificar la vida útil en condiciones severas. En comparación con el silicio tradicional, la mayor resistencia del campo eléctrico y las elevadas temperaturas de unión del SiC exigen hornos especializados, dispositivos de tensión de potencia, unidades de medición paramétrica,...