Módulos de potencia MOSFET de carburo de silicio de alta tensión para aplicaciones de inversores y SAI de 1200–1700 V
Descripción general del producto y relevancia para el mercado de 2025 para Pakistán Los módulos de potencia MOSFET de carburo de silicio (SiC) de alta tensión de la clase de 1200–1700 V ofrecen pérdidas de conmutación y conducción ultrabajas, lo que permite el funcionamiento a alta frecuencia (50–100 kHz), huellas compactas y una eficiencia excepcional en inversores y sistemas SAI de media a alta potencia. Para las industrias textil, cementera y siderúrgica de Pakistán, donde la inestabilidad de la red, el calor, el polvo,…

