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Resumen de productos de 2025 y relevancia para el mercado de Pakistán Los sistemas de alimentación de SAI de carburo de silicio (SiC) integrados reúnen etapas rectificador-inversor de alta frecuencia, interfaces de almacenamiento de energía y controles inteligentes dentro de armarios modulares de 50–400 kVA. Aprovechando los MOSFET SiC y los diodos Schottky SiC en topologías de tres niveles y PFC sin puente, estos sistemas ofrecen una eficiencia >98%, una respuesta dinámica rápida y una alta fiabilidad, lo cual es fundamental...

Resumen de productos de 2025 y relevancia para el mercado de Pakistán Los módulos convertidores CC/CC aislados de carburo de silicio (SiC) proporcionan los raíles auxiliares protegidos necesarios para operar SAI de alta tensión, VFD, rectificadores e interfaces renovables. Estos módulos generan suministros aislados reforzados para controladores de puerta (±15/18 V, +6 V, +12/15 V), electrónica de control (5/12/24 V), sensores y relés, al tiempo que toleran transitorios de modo común altos...

Resumen de productos de 2025 y relevancia para el mercado de Pakistán Los sustratos separadores de calor de cerámica de carburo de silicio (R‑SiC (unido por reacción), SSiC (sinterizado), RBSiC (siliconizado unido por reacción) y SiSiC (silicio infiltrado)) son la columna vertebral térmica de la electrónica de potencia moderna. Al combinar una alta conductividad térmica, una baja densidad, una excelente rigidez y una excepcional resistencia al desgaste/erosión, estas cerámicas mueven el calor rápidamente desde los MOSFET SiC, los diodos Schottky SiC, los IGBT heredados...

Resumen de productos de 2025 y relevancia para el mercado de Pakistán Las unidades de control de corrección del factor de potencia (PFC) de carburo de silicio (SiC) de alta frecuencia son el cerebro de los frontales de CA ultraeficientes para SAI, VFD, rectificadores y fuentes de alimentación industriales de alta potencia. Al coordinar los MOSFET SiC y los diodos Schottky SiC en topologías de impulso entrelazadas o de poste tótem sin puente a 50–100 kHz, estos controladores...

Mezclas homogéneas con engranaje de mezcla de polvo de SiC: La clave para desbloquear el máximo rendimiento del carburo de silicio Introducción: El motor invisible: equipos de mezcla de polvo de SiC para un rendimiento superior del material El carburo de silicio (SiC) es un material fundamental en las industrias modernas de alto rendimiento, valorado por su excepcional dureza, conductividad térmica y resistencia al desgaste y al ataque químico. Sin embargo...

SiC a medida de Japón para la máxima precisión En la búsqueda incesante de rendimiento y durabilidad en sectores críticos, los productos de carburo de silicio (SiC) a medida destacan como material fundamental. Conocido por sus extraordinarias propiedades, el carburo de silicio ofrece soluciones inigualables para aplicaciones en las que los materiales convencionales simplemente fallan. Esta entrada del blog se adentra en el mundo del SiC de ingeniería de precisión…

Resumen de productos de 2025 y relevancia para el mercado de Pakistán Los módulos rectificador-inversor de SAI de carburo de silicio (SiC) integrados combinan la rectificación PFC de alta frecuencia y las etapas de potencia del inversor de tres niveles en un bloque compacto y validado en fábrica que ofrece una eficiencia excepcional, una respuesta dinámica rápida y una alta fiabilidad. Para los sectores textil, cementero y siderúrgico de Pakistán, y para los crecientes grupos de centros de datos en Karachi, Lahore,...

Resumen de productos de 2025 y relevancia para el mercado de Pakistán Los diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) son los dispositivos de trabajo duro para la corrección del factor de potencia (PFC) de alta frecuencia y la rectificación rápida en SAI, frontales VFD, cargadores de vehículos eléctricos y fuentes de alimentación industriales compactas. A diferencia de los diodos ultrarrápidos de silicio, los SBD SiC presentan una carga de recuperación inversa insignificante (Qrr ≈ 0), lo que permite...

Resumen de productos de 2025 y relevancia para el mercado de Pakistán Los equipos de crecimiento de cristales y epitaxia 4H‑SiC se encuentran en la base de la cadena de valor del carburo de silicio, lo que permite la producción local de sustratos y capas de deriva para MOSFET de alta tensión, diodos Schottky y módulos de potencia utilizados en SAI, VFD y convertidores conectados a la red. Para los sectores textil, cementero y siderúrgico de Pakistán, y para los...